【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种用于区熔法生长气相掺杂单晶硅的高频加热线圈。
技术介绍
硅单晶体作为一种半导体材料,一般用于制造集成电路和其他电子元件。区熔法生长单晶硅是一种重要的方法。由于区熔硅单晶生长时,硅熔体不接触任何物体,所以可以生长出比直拉法纯度高的单晶。区熔法生长的硅单晶不仅所含的氧、碳非常低,而且可以生产出直拉法无法达到的高电阻率。区熔单晶生产所使用的多晶原料电阻率一般较高,且区熔单晶生长环境洁净,不存在污染,因此区熔原生单晶电阻率较高,一般在两千以上。一般商业用的区熔硅单晶的电阻率约在10到200欧姆厘米之间,这种高电阻率的区熔硅单晶主要用在高功率的元件上。区熔单晶硅掺杂技术主要有以下几种填装掺杂法、核心掺杂法、气相掺杂法和核嬗变掺杂法。目前最普遍使用的掺杂方法是气相掺杂法,这种掺杂技术是将易挥发的磷烷或硼烷气体直接吹入熔区进行掺杂。气相掺杂法具有操作简单,成本低,生产周期短等优点ο气相掺杂法主要是将掺杂气体吹向熔体,并使之在熔区附近分解。气相掺杂法的难点主要在于如何使掺杂气体完全分解并使分解出的硼或磷进入熔区,因此掺杂气体的出气口的位置就非常重要。为了能使掺杂气体有效的进入熔区,我们对区熔生产中使用的平板线圈进行了改造,在线圈上增加了导气管,使掺杂气体能直接从刃口处进入熔体,从而能更加有效的使掺杂气体进入熔区。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于区熔气相掺杂的高频加热线圈,此加热线圈通过添加附属通气管可以提高掺杂气体进入熔区的效率,可以更准确的控制掺杂量。为了实现上述目的,本技术采用以下技术方案本专利技术是通过在作为线圈主体的平板线圈上添加附属的导 ...
【技术保护点】
1.一种用于区熔气相掺杂的高频加热线圈,其特征在于:它包括:线圈主体及在主体上的铜导气管。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:韩海建,梁书正,陈海滨,闫志瑞,方峰,肖清华,沈晓东,
申请(专利权)人:北京有色金属研究总院,有研半导体材料股份有限公司,国泰半导体材料有限公司,
类型:实用新型
国别省市:11
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