【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子功能材料与器件领域，具体涉及一种采用稀土金属氧化物CeO2薄 膜作为缓冲层以降低相变存储器单元操作功耗的方法，该方法完全满足硅集成工艺的技术 要求。
技术介绍
相变存储器(PCM)主要是利用某些材料在特定的电流脉冲之下会具有快速且可 逆的相变化效应，进而导致材料在某些特性上的稳定改变來达到存储效果，此外其最终的 状态并不会随着外加能量的消失而改变，因此具有非挥发性的特点。PCM技术凭借其在读取 速度、可靠度、非破坏性读取、非挥发性、尺寸微小化以及成本方面的优势，已被公认为最有 潜力取代传统的DRAM技术及Flash闪存技术成为主流的存储器技术之一。目前采用的最 为成熟的相变材料为Ge2Sb2I^5(GST)合金，最为常见的相变存储器单元(PCM cell)结构为 以W为加热电极的T型结构。但在传统的T型结构中，W电极直接与相变材料接触，而W具 有很高的热导率(174W/m· K)，如此高的热导率一方面导致热量大量向四周扩散，热能利用 率不高，S. M. Mdeghipour等人的计算发现真正用于相变的能量仅占总能量的0. 2 1. 4% (S....
【技术保护点】
１．一种降低相变存储器单元操作功耗的方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）在ＳｉＯ２／Ｓｉ基片上涂覆ＣｅＯ２薄膜；（２）将步骤（１）中制备的涂覆ＣｅＯ２薄膜的ＳｉＯ２／Ｓｉ基片退火处理，制得具有缓冲层的ＳｉＯ２／Ｓｉ基片；（３）在步骤（２）中制备的具有缓冲层的ＳｉＯ２／Ｓｉ基片上，涂覆ＧＳＴ相变材料，并封装成相变存储器器件。
【技术特征摘要】
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