在金属衬底上定向生长一维无机纳米线阵列的方法技术

本发明专利技术公开了一种在金属衬底上大面积制备一维无机纳米线阵列的方法。该方法方法，包括如下步骤：1)将前驱体置于容器中，并将其放入真空管式炉的高温区；取金属衬底置于容器中，并将其放入所述真空管式炉中的低温区，距离高温区中心大概10-20cm处；使所述真空管式炉的炉腔内呈无氧状态，然后用非氧化性保护气体将炉腔内的压强充至1x103Pa，密封真空管式炉；2)以10℃-20℃/分钟的升温速率，将真空管式炉的高温区加热至前驱物的蒸发温度，维持此温度30分钟-300分钟，自然冷却至室温，在金属衬底上得到了竖直生长的一维无机纳米线阵列。本发明专利技术将化学气相沉积法、LB自组装技术和催化剂定点催化生长技术结合起来，实现了在金属衬底上一步制备大面积一维无机纳米材料阵列，适用于多种无机材料的阵列生长。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制备一维无机纳米线阵列的方法，包括如下步骤：　　１）将用于制备所述一维无机纳米线阵列的前驱体置于容器中，并将其放入真空管式炉的高温区；取金属衬底置于容器中，一并放入所述真空管式炉的低温区，所述金属衬底距离高温区中心１０－２０ｃｍ；使所述真空管式炉的炉腔内呈无氧状态，然后用非氧化性保护气体将所述炉腔内的压强充至１ｘ１０↑［３］Ｐａ，密封所述真空管式炉；所述高温区的温度为１３００度－１４００度，所述低温区的温度为６００度－１０００度；　　２）开启加热装置，以１０℃／分钟－－２０℃／分钟的升温速率，将所述真空管式炉的高温区加热至所述前驱物的蒸发温度，维持所述前驱物的蒸发温度３０分钟－３００分钟，...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓宏，王建涛，王辉，欧雪梅，李述汤，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：11