一种相变存储单元阵列的测试装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种相变存储单元的测试装置，装置包括信号发生器、测量模块、转换连接接口、探针台、控制器、单元阵列接口电路和数字示波器；通过控制器施加控制信号，通过信号发生器施加激励信号，通过测量模块或示波器采集信号完成对相变存储器单元的直流I-V特性、脉冲I-V特性、阈值电压、阈值电流、最小写脉冲幅度，最小写脉冲宽度、最小擦脉冲幅度、最小擦脉冲宽度、数据保持时间和擦写疲劳性测试等电特性测试。本发明专利技术能准确的测量相变存储单元的直流I-V特性、脉冲I-V特性、阈值电压、阈值电流、非晶态电阻、晶态电阻、最小写脉冲幅度，最小写脉冲宽度、最小擦脉冲幅度、最小擦脉冲宽度、数据保持时间和擦写疲劳性测试等电特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微纳电子学
，具体涉及相变存储单元阵列的电学性能测试装置。
技术介绍
相变存储器以硫系化合物为存储介质，利用电能使材料在晶态(低阻)与非晶态 (高阻)之间相互转换实现数据的写入与擦除，使相变存储器单元由晶态变为非晶态的脉冲称为擦脉冲，使其由非晶态变为晶态的脉冲称为写脉冲；数据读出靠测量电阻变化实现。 因此，它属于电阻式的非挥发性存储器。自相变存储器在20世纪60年代末被提出后，由于半导体工艺技术的限制，相变存储器的发展停滞了将近30年。相变存储器芯片的存储速度、操作电压、功耗与存储单元中擦写操作的可逆相变区域大小密切相关。如今，相变存储器正在以前所未有的速度向产业化的方向发展，目前国际上相变存储器的研究重点集中在减小器件的操作电流、高密度器件阵列的制造工艺和高密度下器件的稳定性和可靠性问题等，而这些都是以相变存储器单元和阵列的测试为基础的。因此，相变存储器单元和阵列的电性能测试对相变存储器芯片的研发起着决定性作用。中国专利技术专利文献“相变存储器器件单元测试系统及方法”(公开号CN1905077A， 公开日2007.01.31)介绍了一种利用现有商用仪器搭建的相本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种相变存储器单元阵列测试装置，其特征在于，该装置包括信号发生器（１）、测量模块（２）、转换连接接口（３）、探针台（４）、控制器（５）、单元阵列接口电路（６）和数字示波器（７）；信号发生器（１）通过高频电缆与转换连接接口（３）相连，为测试提供测试信号或电流、电压扫描的激励信号；测量模块（２）通过高频电缆与转换连接接口（３）相连，用来测试电阻、电流－电压扫描中的电压信号、电压－电流扫描中的电流信号；连接转换接口（３）通过高频电缆与探针台（４）或单元阵列接口电路（６）相连，用来整合激励和测试信号，实现激励和测试的一体化连接；控制器（５）通过排线与单元阵列接口电路（６）相连，用来为相变存储器阵列...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：缪向水，瞿力文，张乐，彭菊红，李震，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：83