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三电平半桥级联逆变器制造技术

技术编号:6944897 阅读:455 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种三电平半桥级联逆变器,包括有三相(U、V、W),每相由两个半桥级联而成,其中U相上半桥、V相上半桥和W相上半桥采用三个独立电源(E)分别供电,U相下半桥、V相下半桥和W相下半桥采用一个负电源(-E)供电,或者U相上半桥、V相上半桥和W相上半桥采用一个正电源(E)供电,U相下半桥、V相下半桥和W相下半桥采用三个独立负电源(-E)分别供电。本实用新型专利技术的优点是采用半桥级联逆变的结构,当级联数等于2时,整流变压器无须专门移相,简化了移相变压器的结构,同时也降低了移相变压器成本。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电力电子的功率变换设备
,特指一种半桥级联逆变结构的新型DC/AC逆变电力电子技术,具体是指三电平半桥级联逆变器
技术介绍
目前三相多电平逆变器在电力系统发展迅速,成为电力电子领域的重要研究热点,三相逆变器具有波形失真小、谐波含量低、开关器件工作频率低、开关损耗低等优点,在电气传动中的应用已无可潜代。现有的三相多电平逆变器主要有电容飞跨型、二极管钳位型和H桥级联型等几种。当逆变电平数较多时,电容飞跨型和二极管钳位型逆变器存在电路结构及其控制复杂的问题,而H桥级联型多电平逆变器则具有级联简单,易于模块化等优点,在高电压高功率逆变中H桥级联多电平逆变器显得更具有优势。现有的H桥级联多电平逆变器结构包括有一个H桥,即为一个全桥,一个全桥由四个功率开关器件组成,在电压不太高功率不太大的三相多电平逆变场合,全桥级联数可能只有一级,即每相只有一个全桥,逆变输出三个电平,这种情况需三个电压相等的独立直流电源,每个独立直流电源需一个3相交流电源供电。为解决整流电源电流谐波大的问题,通常须配备一个专门的移相变压器,移相变压器输出三个3相交流电源,即9相变压器,18脉冲整流,其中一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三电平半桥级联逆变器,其特征在于:包括有三相U、V、W,每相由两个半桥级联而成,其中U相上半桥包括有逆变开关功率器件SU3和逆变开关功率器件SU4,其中U相下半桥包括有逆变开关功率器件SU1和逆变开关功率器件SU2,V相上半桥包括有逆变开关功率器件SV3和逆变开关功率器件SV4,其中V相下半桥包括有逆变开关功率器件SV1和逆变开关功率器件SV2,W相上半桥包括有逆变开关功率器件SW3和逆变开关功率器件SW4,其中W相下半桥包括有逆变开关功率器件SW1和逆变开关功率器件SW2,其中U相上半桥、V相上半桥和W相上半桥采用三个独立正电源E分别供电,U相下半桥、V相下半桥和W相下半桥采用一个负...

【技术特征摘要】
1.一种三电平半桥级联逆变器,其特征在于包括有三相U、v、w,每相由两个半桥级联而成,其中U相上半桥包括有逆变开关功率器件Su3和逆变开关功率器件Su4,其中U相下半桥包括有逆变开关功率器件^和逆变开关功率器件Su2,V相上半桥包括有逆变开关功率器件Sv3和逆变开关功率器件Sv4,其中V相下半桥包括有逆变开关功率器件Svi和逆变开关功率器件Sv2,W相上半桥包括有逆变开关功率器件Sw3和逆变开关功率器件^,其中W相下半桥包括有逆变开关功率器件^和逆变开关功率器件Sw2,其中U相上半桥、V相上半桥和W 相上半桥采用三个独立正电源E分别供电,U相下半桥、V相下半桥和W相下半桥采用一个负电源-E供电。...

【专利技术属性】
技术研发人员:夏守行
申请(专利权)人:夏守行
类型:实用新型
国别省市:33

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