一种常温制备石墨烯的方法技术

本发明专利技术涉及到石墨烯的制备技术领域，特别涉及一种常温制备石墨烯的方法。本发明专利技术要克服现有技术需要在高温工艺，以及与半导体工艺不兼容和污染环境的缺点。本发明专利技术提供的技术方案是，一种室温制备石墨烯的方法，依次包括下述步骤：（一）取氧化石墨烯溶解于溶剂中获得氧化石墨烯的溶液，（二）经过旋涂或者提拉工艺，在基片表面获得氧化石墨烯薄膜；（三）在常温和真空环境中，氧化石墨烯薄膜经过荷能氢原子/离子/分子处理，还原氧化物石墨烯，获得纯净的石墨烯。本发明专利技术的优点是：在室温和真空环境下即可制备石墨烯，摒弃了以往石墨烯制备需要的高温环境，降低了能耗；本发明专利技术的制备工艺和目前半导体工艺完全兼容。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
的密度在１０１０－１０１５个每立方厘米，还原氧化物石墨烯，获得纯净的石墨烯。层均匀的氧化石墨烯薄膜；（三）还原得到石墨烯单体：在常温和１０－４Ｐａ到１０３Ｐａ之间的真空环境中，氧化石墨烯薄膜经过荷能氢原子／离子／分子处理，其能量在零点几个电子伏特到几百个电子伏特之间，作用时间在几分钟到数小时之间，氢原子／离子／分子１．一种室温制备石墨烯的方法，依次包括下述步骤：（一）配制氧化石墨烯溶液：取氧化石墨烯溶解于溶剂中配置浓度为０．１ｍｇ／ｍｌ到１ｍｇ／ｍｌ，经过超声分散，获得氧化石墨烯的溶液，（二）制备氧化石墨烯薄膜：经过旋涂或者提拉工艺，在基片表面获得一

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁海锋，蔡长龙，刘欢，苏俊宏，任雯，
申请(专利权)人：西安工业大学，
类型：发明
国别省市：87