【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
１．一种制备硅纳米线－导电高分子复合物的方法，包括下述步骤：１）将具有硅纳米线阵列的硅片用ＨＦ溶液处理，得到处理后的具有硅纳米线阵列的硅片；２）采用循环伏安法，使高分子单体３，４－乙撑二氧噻吩在所述硅纳米线阵列表面进行电化学聚合反应，得到所述硅纳米线－导电高分子复合物。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张晓宏，杨添，王辉，欧雪梅，李述汤，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：11
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