一种电池反接保护电路及灯具制造技术

本实用新型专利技术适用于电子领域，提供一种电池反接保护电路及灯具。电池反接保护电路包括：双向导通开关元件、开关元件、第一电池端子、第二电池端子、第一负载端子、第二负载端子、分压电阻R1和分压电阻R2。在本实用新型专利技术中，当电池BT处于充电状态时，电池BT被反接，开关元件的控制端反偏，开关元件不会导通，双向导通开关元件的控制端的电位不会拉低，双向导通开关元件不会导通，充电器无法给电池BT充电，电池BT免遭损坏。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电子领域，尤其涉及一种电池反接保护电路及灯具。
技术介绍
图1是现有的一种反接保护电路，BT可以是电池也可以是其他的直流电源，当BT 是电池时，这个电路就有局限性，当电池BT向负载供电时，本电路的反接保护功能可以正常发挥；但如果把负载换成充电器，充电器会向电池BT充电，如果电池接反了，那么充电器就会向电池BT反向充电，这样，瞬间电流过大将会损坏电池BT，也就是说，当电池BT处于充电状态时，反接保护电路的反接保护功能就会失效。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种电池反接保护电路，旨在解决现在的反接保护电路在电池处于充电状态时，其反接保护功能会失效的问题。本技术是这样实现的，一种电池反接保护电路，分别连接负载和电池，所述电池反接保护电路包括双向导通开关元件、开关元件、第一电池端子、第二电池端子、第一负载端子、第二负载端子、分压电阻Rl和分压电阻R2 ；所述双向导通开关元件的第一端接所述第一电池端子，所述双向导通开关元件的第二端接所述第一负载端子，所述双向导通开关元件的控制端接所述开关元件的高电位端，所述开关元件的低电位端接地，所述分压电阻Rl连接在所述双向导通开关元件的第二端与开关元件的高电位端之间，所述分压电阻R2连接在所述双向导通开关元件的第一端与开关元件的控制端之间。上述结构中，所述双向导通开关元件采用P型MOS管Q1，当所述负载为用电装置时，所述P型MOS管Ql的漏极为所述双向导通开关元件的第一端，所述P型MOS管Ql的源极为所述双向导通开关元件的第二端，所述P型MOS管Ql的栅极为所述双向导通开关元件的控制端。上述结构中，所述双向导通开关元件采用P型MOS管Q1，当所述负载为充电器时， 所述P型MOS管Ql的源极为所述双向导通开关元件的第一端，所述P型MOS管Ql的漏极为所述双向导通开关元件的第二端，所述P型MOS管Ql的栅极为所述双向导通开关元件的控制端。上述结构中，所述开关元件采用NPN型三极管Q2，所述NPN型三极管Q2的集电极为所述开关元件的高电位端，所述NPN型三极管Q2的发射极为所述开关元件的低电位端， 所述NPN型三极管Q2的基极为所述开关元件的控制端。上述结构中，所述开关元件采用P型MOS管Q3，所述P型MOS管Q3的漏极为所述开关元件的高电位端，所述P型MOS管Q3的源极为所述开关元件的低电位端，所述P型MOS 管Q3的栅极为所述开关元件的控制端。本技术的另一目的在于提供一种灯具，包括一电池反接保护电路，所述电池反接保护电路分别连接负载和电池，所述电池反接保护电路包括双向导通开关元件、开关元件、第一电池端子、第二电池端子、第一负载端子、第二负载端子、分压电阻Rl和分压电阻R2 ；所述双向导通开关元件的第一端接所述第一电池端子，所述双向导通开关元件的第二端接所述第一负载端子，所述双向导通开关元件的控制端接所述开关元件的高电位端，所述开关元件的低电位端接地，所述分压电阻Rl连接在所述双向导通开关元件的第二端与开关元件的高电位端之间，所述分压电阻R2连接在所述双向导通开关元件的第一端与开关元件的控制端之间。上述结构中，所述双向导通开关元件采用P型MOS管Q1，当所述负载为用电装置时，所述P型MOS管Ql的漏极为所述双向导通开关元件的第一端，所述P型MOS管Ql的源极为所述双向导通开关元件的第二端，所述P型MOS管Ql的栅极为所述双向导通开关元件的控制端。上述结构中，所述双向导通开关元件采用P型MOS管Q1，当所述负载为充电器时， 所述P型MOS管Ql的源极为所述双向导通开关元件的第一端，所述P型MOS管Ql的漏极为所述双向导通开关元件的第二端，所述P型MOS管Ql的栅极为所述双向导通开关元件的控制端。上述结构中，所述开关元件采用NPN型三极管Q2，所述NPN型三极管Q2的集电极为所述开关元件的高电位端，所述NPN型三极管Q2的发射极为所述开关元件的低电位端， 所述NPN型三极管Q2的基极为所述开关元件的控制端。上述结构中，所述开关元件采用P型MOS管Q3，所述P型MOS管Q3的漏极为所述开关元件的高电位端，所述P型MOS管Q3的源极为所述开关元件的低电位端，所述P型MOS 管Q3的栅极为所述开关元件的控制端。在本技术中，当电池BT处于充电状态时，电池BT被反接，开关元件的控制端反偏，开关元件不会导通，双向导通开关元件的控制端的电位不会拉低，双向导通开关元件不会导通，充电器无法给电池BT充电，电池BT免遭损坏。附图说明图1是现有的电池反接保护电路的结构图；图2是本技术实施例提供的电池反接保护电路的结构图；图3是本技术第一实施例提供的电池反接保护电路的结构图；图4是本技术第二实施例提供的电池反接保护电路的结构图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。图2示出了本技术实施例提供的电池反接保护电路的结构。电池反接保护电路，分别连接负载100和电池BT，电池反接保护电路包括双向导通开关元件200、开关元件300、第一电池端子A、第二电池端子B、第一负载端子C、第二负载端子D、分压电阻Rl和分压电阻R2 ；双向导通开关元件200的第一端接第一电池端子A，双向导通开关元件200的第二端接第一负载端子C，双向导通开关元件200的控制端接开关元件300的高电位端，开关元件300的低电位端接地，分压电阻Rl连接在双向导通开关元件200的第二端与开关元件 300的高电位端之间，分压电阻R2连接在双向导通开关元件200的第一端与开关元件300 的控制端之间。图3示出了本技术第一实施例提供的电池反接保护电路的结构。作为本技术一实施例，双向导通开关元件200采用P型MOS管Ql，当负载100 为用电装置时，P型MOS管Ql的漏极为双向导通开关元件200的第一端，P型MOS管Ql的源极为双向导通开关元件200的第二端，P型MOS管Ql的栅极为双向导通开关元件200的控制端。作为本技术一实施例，开关元件300采用NPN型三极管Q2，NPN型三极管Q2 的集电极为开关元件300的高电位端，NPN型三极管Q2的发射极为开关元件300的低电位端，NPN型三极管Q2的基极为开关元件300的控制端。图4示出了本技术第二实施例提供的电池反接保护电路的结构。作为本技术一实施例，双向导通开关元件200采用P型MOS管Ql，当负载100 为充电器时，P型MOS管Ql的源极为双向导通开关元件200的第一端，P型MOS管Ql的漏极为双向导通开关元件200的第二端，P型MOS管Ql的栅极为双向导通开关元件200的控制端。作为本技术一实施例，开关元件300采用NPN型三极管Q2，NPN型三极管Q2 的集电极为开关元件300的高电位端，NPN型三极管Q2的发射极为开关元件300的低电位端，NPN型三极管Q2的基极为开关元件300的控制端。作为本技术一实施例，开关元件300还可采用P型MOS管Q3(图中未示出)， P型MOS管Q3的漏极为开关元件300的高电位端，P型MOS管Q3的源极为开关元本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种电池反接保护电路，分别连接负载和电池，其特征在于，所述电池反接保护电路包括：双向导通开关元件、开关元件、第一电池端子、第二电池端子、第一负载端子、第二负载端子、分压电阻Ｒ１和分压电阻Ｒ２；所述双向导通开关元件的第一端接所述第一电池端子，所述双向导通开关元件的第二端接所述第一负载端子，所述双向导通开关元件的控制端接所述开关元件的高电位端，所述开关元件的低电位端接地，所述分压电阻Ｒ１连接在所述双向导通开关元件的第二端与开关元件的高电位端之间，所述分压电阻Ｒ２连接在所述双向导通开关元件的第一端与开关元件的控制端之间。

【技术特征摘要】
1.一种电池反接保护电路，分别连接负载和电池，其特征在于，所述电池反接保护电路包括双向导通开关元件、开关元件、第一电池端子、第二电池端子、第一负载端子、第二负载端子、分压电阻Rl和分压电阻R2 ；所述双向导通开关元件的第一端接所述第一电池端子，所述双向导通开关元件的第二端接所述第一负载端子，所述双向导通开关元件的控制端接所述开关元件的高电位端，所述开关元件的低电位端接地，所述分压电阻Rl连接在所述双向导通开关元件的第二端与开关元件的高电位端之间，所述分压电阻R2连接在所述双向导通开关元件的第一端与开关元件的控制端之间。2.如权利要求1所述的电池反接保护电路，其特征在于，所述双向导通开关元件采用P 型MOS管Q1，当所述负载为用电装置时，所述P型MOS管Ql的漏极为所述双向导通开关元件的第一端，所述P型MOS管Ql的源极为所述双向导通开关元件的第二端，所述P型MOS 管Ql的栅极为所述双向导通开关元件的控制端。3.如权利要求1所述的电池反接保护电路，其特征在于，所述双向导通开关元件采用P 型MOS管Q1，当所述负载为充电器时，所述P型MOS管Ql的源极为所述双向导通开关元件的第一端，所述P型MOS管Ql的漏极为所述双向导通开关元件的第二端，所述P型MOS管 Ql的栅极为所述双向导通开关元件的控制端。4.如权利要求1所述的电池反接保护电路，其特征在于，所述开关元件采用NPN型三极管Q2，所述NPN型三极管Q2的集电极为所述开关元件的高电位端，所述NPN型三极管Q2 的发射极为所述开关元件的低电位端，所述NPN型三极管Q2的基极为所述开关元件的控制端。5.如权利要求1所述的电池反接保护电路，其特征在于，所述开关元件采用P型MOS管 Q3，所述P型MOS管Q3的漏极为所述开关元件的高电位端，所述P型MOS管Q3的源极为所述开关元件的低电位端，所述P型MOS管Q3的栅极为所述开关元件的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，邵贤辉，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94