【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种利用紫外激光划切蓝宝石晶圆表面的加工装置,还涉及一种利用紫外激光划切蓝宝石晶圆表面的材料加工方法,尤其涉及一种利用静电场对紫外激光划切蓝宝石晶圆过程中产生的带电微粒进行吸附以减少蚀除物在晶圆表面的沉积的方法。
技术介绍
紫外激光是目前划切蓝宝石、氮化镓、碳化硅等脆硬材料为衬底高亮度蓝光LED 晶圆的最有效方法,在高能量的纳秒脉冲紫外激光的作用下,蓝宝石晶圆材料依赖多光子吸收能量,直接打断材料化学键链接,使晶圆材料电离,并在晶圆表面形成一团等离子体云,其中包含着大量的微、纳米级别的带电微粒,如果不及时进行清除这些微粒将在激光脉间沉积到晶圆的表面,形成表面污染,很难清除。在微电子行业中,衬底材料的表面污染将造成很多不确定因素,影响设备的稳定性,因此,改善蓝宝石衬底的表面质量,实现蓝宝石晶圆的清洁加工具有非常现实的重要意义。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种通过外加辅助静电场改善蓝宝石表面质量的方法, 在晶圆与聚焦镜之间附加一个静电场,通过调整直流电源电压(5v-300v)及极板间距 (0. lmm-2mm)实现对不同大小带电微粒的吸附。加工过程中产生的带电颗粒在静电场的作用下,被吸附到极板上,而不会落到蓝宝石表面,这样就可以达到改善蓝宝石表面质量的效^ ο具体实施方式为一种利用紫外激光划切蓝宝石晶圆表面的方法,其特征在于,包括以下步骤将蓝宝石晶圆固定在紫外激光工作台上,将产生外电场的极板置于晶圆之上,并与晶圆保持一定距离;调整工作台,使聚焦镜头与蓝宝石晶圆之间发生相对移动,直至晶圆上表面在显示器上清晰成像;在激光加工开始前,将极板调整为 ...
【技术保护点】
1.一种利用紫外激光划切蓝宝石晶圆表面的方法,其特征在于,包括以下步骤:将蓝宝石晶圆固定在紫外激光工作台上,将产生外电场的极板置于晶圆之上,并与晶圆保持一定距离;调整工作台,使聚焦镜头与蓝宝石晶圆之间发生相对移动,直至晶圆上表面在显示器上清晰成像;在激光加工开始前,将极板调整为水平,并使激光位于两极板中间;根据紫外激光的参数调整极板间距与电源电压;紫外激光通过聚焦镜,聚焦到蓝宝石晶圆表面,开激光,并沿水平方向扫描蓝宝石晶圆,对晶圆表面进行加工;通过调整直流电源电压及极板的间距产生适当的静电场场强,使加工过程中产生的带电颗粒在静电场的作用下,被吸附到极板上。
【技术特征摘要】
1.一种利用紫外激光划切蓝宝石晶圆表面的方法,其特征在于,包括以下步骤将蓝宝石晶圆固定在紫外激光工作台上,将产生外电场的极板置于晶圆之上,并与晶圆保持一定距离;调整工作台,使聚焦镜头与蓝宝石晶圆之间发生相对移动,直至晶圆上表面在显示器上清晰成像;在激光加工开始前,将极板调整为水平,并使激光位于两极板中间;根据紫外激光的参数调整极板间距与电源电压;紫外激光通过聚焦镜,聚焦到蓝宝石晶圆表面,开激光,并沿水平方向扫描蓝宝石晶圆,对晶圆表面进行加工;通过调整直流电源电压及极板的间距产生适当的静电场场强,使加工过程中产生的带电颗粒在静电场的作用下,被吸附到极板上。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,紫外激光加工参数为波长355nm...
【专利技术属性】
技术研发人员:王懋露,王扬,刘俊岩,秦雷,
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学,
类型:发明
国别省市:93
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