【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
近年来，随着在例如包括手机的移动通信器件、AV器件和电脑器件等的领域中产品的小型化和高性能化的发展，也要求用于这些器件的各种电子部件的小型化和高性能化。为了处理此类各种电子部件的小型化和高性能化，作为电子器件，目前在基板中具有导体(下文中，称为“内部导体”)如电极和配线的表面安装器件(SMD)成为主流。SMD具有印制电路板，在所述印制电路板上安装各部件如IC芯片和其它芯片部件。作为在SMD上安装的电子器件，使用通过同时煅烧多种具有不同材料特性的陶瓷组合物获得的层压陶瓷电子部件。层压陶瓷电子部件包括例如由磁性材料和介电材料的组合而组成的LC滤波器以及包含由高介电常数材料和低介电常数材料的组合而组成的电容器的电路基板(元件)。在LC滤波器的情况下，由具有低介电常数和高Q因子的陶瓷材料制成以提供高自谐振频率的感应器部和由具有优异的温度特性和高介电常数的材料制成的电容器部的组合产生具有高Q因子和优异的温度特性的LC元件。在包含于电路基板的电容器的情况下， 高介电常数材料和低介电常数材料的组合导致与仅由高介电常数材料制成的电容器相比降低的分布...
【技术保护点】
１．一种陶瓷电子部件，其包括：第一电介质层，所述第一电介质层包含ＢａＯ、Ｎｄ２Ｏ３和ＴｉＯ２；第二电介质层，所述第二电介质层包含与所述第一电介质层不同的材料；和中间层，所述中间层设置于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间，并含有不共同包含于所述第一电介质层和所述第二电介质层中的主组分。
【技术特征摘要】
2010.03.31 JP 2010-0803871.一种陶瓷电子部件，其包括第一电介质层，所述第一电介质层包含BaO、Nd2O3和TiO2 ；第二电介质层，所述第二电介质层包含与所述第一电介质层不同的材料；和中间层，所述中间层设置于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间，并含有不共同包含于所述第一电介质层和所述第二电介质层中的主组分。2.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中所述第一电介质层包含BaCKNd2O3和TW2 作为主组分，并包含氧化物作为副组分，和所述第二电介质层包含Mg2SiO4作为主组分，并包含氧化物和玻璃作为副组分。3.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中与在所述中间层和所述第二电介质层之间的边界部中相比，所述中间层在所述中间层和所述第一电介质层之间的边界部中以更高的比例含有不包含于所述第二电介质层中且仅包含于所述第一电介质层中的组分，和与在所述中间层和所述第一电介质层之间的边界部中相比，所述中间层在所述中间层和所述第二电介质层之间的边界部中以更高的比例含有不包含于所述第一电介质层中且仅包含于所述第二电介质层中的组分。4.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中所述中间层以从具有较高比例的包含于所述第一电介质层和所述第二电介质层的至少之一中的组分的电介质层侧朝向具有较低比例的所述组分的电介质层侧减少的比例含有包含于所述第一电介质层和所述第二电介质层的至少之一中的组分。5.根据权利要求4所述的陶瓷电子部件，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：樱井俊雄，小更恒，岚友宏，中野贵弘，宫内泰治，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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