一种通过控制水解程度影响碳纳米管生长形貌的方法技术

本发明专利技术涉及一种通过控制水解程度影响碳纳米管生长形貌的方法，包括如下步骤：步骤1：制备含铁离子的前驱液薄膜；步骤2：将附着有前驱液薄膜的基片在恒温烘箱中烘烤一定时间直至烘干；步骤3：将烘干后的基片放入管式炉的恒温区，进行退火处理；步骤4：制备颗粒尺寸和密度可控的铁催化剂薄膜；步骤5：制备不同长度和形貌的碳纳米管阵列：在管式炉内，升温至一定温度下，通入乙炔和氩气，乙炔气体在含铁催化剂颗粒的薄膜表面分解并析出直立的碳纳米管阵列。本发明专利技术的有益效果：实现了我们通过控制水解程度影响碳纳米管生长形貌的目的，取得了意想不到的效果，有效的优化了碳纳米管生长的工艺，降低了工业生产的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于碳纳米管
，尤其涉及一种通过控制催化剂形貌制备碳纳米管的方法。
技术介绍
碳纳米管(Carbon nanotube)作为近二十年来研究的新兴热点材料，因其具有高的电子迁移率、热导率，以及极好的机械性能和化学稳定性而被广泛的关注。现在，在已知的制备方法中，想要大规模生产高质量的碳纳米管，应用得最广泛的方法还是热化学气相沉积法(TCVD，Thermal Chemical Vapor D印osition)。而在该方法中，催化剂纳米颗粒的制备是得到高质量碳纳米管的前提，铁、钴、镍作为该方法中常用和有效的催化剂。近年来，许多研究小组的工作都放在如何控制催化剂在基片上的尺寸大小和密度分布。2008 年，Chris Papadopoulos等人利用一种胶体高分子作为掩模，成功制取了密度可控的纳米催化剂颗粒，得到分散的单壁碳纳米管(详细文献见=Chris Papadopoulos and Badr Qmrane. Nanometer-scale catalyst patterning for control led growth of individual single-wal本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种通过控制水解程度影响碳纳米管生长形貌的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：制备含铁离子的前驱液薄膜：将含铁离子的前驱液放置在室温条件下，水解一定时间后，吸取一定量的前驱液滴到生长碳纳米管所需的基片上进行甩胶，得到在基片表面均匀分布的前驱液薄膜；步骤２：将附着有前驱液薄膜的基片在恒温烘箱中烘烤一定时间直至烘干；步骤３：将烘干后的基片放入管式炉的恒温区，进行退火处理；步骤４：制备颗粒尺寸和密度可控的铁催化剂薄膜：将退火处理后的基片在管式炉内进行升温还原处理，得到附着在基片上的颗粒尺寸和密度可控的铁催化剂薄膜。步骤５：制备不同长度和形貌的碳纳米管阵列：在管式炉内，升温至一定温度下，通入乙...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林媛，刘升华，赵小伟，曾慧中，黄文，潘泰松，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：90