Cu2CdSnS4或Cu2FeSnS4纳米晶的水热制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低成本、高质量的Cu2CdSnS4或Cu2FeSnS4纳米晶的水热制备方法，该方法是：通过将溶剂无水乙二胺和反应物前躯体氯化铜、氯化镉或者硫酸亚铁、氯化亚锡和硫粉加入高压釜中，然后升高温度进行反应一定时间，反应完毕后，将纳米晶融于异丙醇和甲苯的混合溶液；然后以5000-12000转/min的速度离心3-10分钟收集纳米晶，最终得到高质量的Cu2CdSnS4或Cu2FeSnS4纳米晶。本发明专利技术的优点在于：纳米晶的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的纳米晶颗粒分散性、结晶性较好等。该发明专利技术制备的Cu2CdSnS4或Cu2FeSnS4纳米晶可作为光伏器件的吸收层或者良好的热电及磁性材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种可作为薄膜光伏电池光吸收层的I2-II-IV-VI4族半导体纳米晶的制备工艺。具体的说，是一种Cu2CdSnS4或CuJeSn、纳米晶的水热制备工艺方法。
技术介绍
随着全球经济的快速发展，煤炭、石油、天然气等不可再生资源日益减少，寻找蕴藏丰富、不会枯竭，安全、干净新能源成为当前人类面临的迫切问题。占地球总能量99%以上的太阳能，具有取之不尽，用之不竭，没有污染的特点，因而成为各国科学家竞相开发和利用的新能源之一。目前研究和应用最广泛的太阳能电池主要是单晶硅、多晶硅和非晶硅系列光伏电池。然而硅电池发电成本是传统发电成本的2至3倍，而且进一步提高硅材料光伏器件效率和降低成本的难度已经越来越大，限制了其民用化。这促使人们开始寻找廉价、环境稳定性高、具有良好光伏效应的新型太阳电池材料。在人们争相研发的各种太阳能电池材料中， CuIn1^xGaxSe2 (CIGS)薄膜因具有较高的光吸收系数(大于IO5 cm—1)而成为备受关注的光吸收层材料。然而In，( 两种元素在地球中的含量很少，成为CIGS薄膜太阳能电池商业化应用的最大障碍。近来开发的Cu2Cd(Fe)Sr^4新材本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种Ｃｕ２ＣｄＳｎＳ４　或Ｃｕ２ＦｅＳｎＳ４纳米晶的制备方法，其特征在于具有如下的制备过程和步骤：ａ．依次将溶剂无水乙二胺和反应物前躯体氯化铜、氯化镉或者硫酸亚铁、氯化亚锡、硫粉加入一个高压釜中，将反应温度升高到１８００Ｃ反应１５小时，移除加热装置使反应物冷却，向冷却后的反应物中加入异丙醇和甲苯混合溶液；然后以５０００～１２０００转／ｍｉｎ的速度离心３～１０分钟收集纳米晶；最终得到Ｃｕ２ＣｄＳｎＳ４　或Ｃｕ２ＦｅＳｎＳ４的纳米晶；　　　制备过程中各原料配比为：　　　ＣｕＣｌ２：ＣｄＣｌ２：ＳｎＣｌ２：Ｓ＝（０．５～１．０）：　（０．２５～０．５）：　（０．２５～０．５）：　１；　　　ＣｕＣ...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹萌，李亮，刘秀勇，沈悦，王林军，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：31