【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳电池制造工艺，具体涉及一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用。
技术介绍
在激光刻蚀选择性发射极太阳电池技术中，使用激光在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺中制备的氮化硅上进行选择性的刻蚀激光刻蚀区域作为后续化学镀或者电镀的电极制备区域，而非激光刻蚀区域作为产生光生载流子的受光区域。一方面，制备电极的化学镀或者电镀工艺需要在裸露的硅上进行，而激光刻蚀之后的区域会产生部分氧化硅，影响了化学镀或者电镀工艺的效果，因此需要使用刻蚀溶液在激光刻蚀区域有效去除氧化硅。另一方面，非激光刻蚀区域的氮化硅作为产生光生载流子的受光区域，因此所使用的刻蚀溶液必须在刻蚀时间内去除氧化硅的过程中尽可能减少刻蚀非激光刻蚀区域的氮化硅。否则，刻蚀溶液会在氮化硅上刻蚀出很多针孔，甚至大面积的刻蚀掉氮化硅，从而在不期望进行化学镀或者电镀的非激光刻蚀区域化学镀或者电镀上金属材料，导致过镀现象。过镀现象不仅影响了电池外观，增加了遮光面积，降低了太阳电池的短路电流，而且过镀的金属极易在之后的热退火过程中穿透PN结区域，导致漏电。因此，在激光刻蚀硅衬底之后，使用选择性的...
【技术保护点】
１．一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用，其特征是，所述的选择性刻蚀溶液由质量浓度为１％～１０％的氢氟酸溶液和相对介电常数大于氢氟酸相对介电常数８３．６的溶剂组成，所述的氢氟酸溶液与所述的溶剂的体积比为１∶１～１０∶１。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李涛，周春兰，宋洋，郜志华，罗运强，段野，李友忠，王文静，
申请(专利权)人：中国科学院电工研究所，中轻太阳能电池有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11
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