一种锗的微米/纳米锥阵列及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种锗的微米/纳米锥阵列及其制备方法。本发明专利技术的锗的微米/纳米锥阵列是基于对单晶锗片的化学刻蚀得到的，是由多个锗的微米/纳米锥构成，其中，阵列中的锗的微米/纳米锥的长度为5～40μm，尖端的直径为50～100nm。本发明专利技术的制备方法工艺简单，不需要高温和金属催化剂，常压下即可进行，为制备锗的微观结构提供了一种简单经济的方法。通过改变刻蚀溶液中的各成分的浓度和温度，可得到大长径比的锗的微米/纳米锥状阵列结构，并可在很大的范围内对形貌进行调节，这为锗的微米/纳米结构的制备提供了一种简单、可控的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种锗的微米/纳米锥阵列，以及涉及一种基于化学刻蚀法制备锗的微米/纳米锥阵列的方法。
技术介绍
锗是一种重要的半导体材料，由于其特殊的能带结构和高的载流子迁移率，锗在红外光学，光伏和电子工业等领域用途非常广泛。例如，锗作为红外光学材料应用于红外探测；作为高效率太阳能电池材料，吸收长波长光谱范围的能量；锗隧道二极管作为高速开关器件被广泛用于航天航空的各种仪器等。特别是近年来，由于器件的小型化和集成化，锗的微米/纳米结构越来越引起人们的重视。目前，锗的微米/纳米结构的制备主要有水热法 (Pei, L. Z. ；Zhao, H. S. ；Tan, W. ；Yu, H. Y. ；Chen, Y. W. ；Fan, C. G. ；Zhang, Q. -F. Materials Characterization 2009，60，1400)，化学气相沉积法(Wang, D. W. ；Dai, H. J. Angewandte Chemie-International Edition 2002,41,4783),(Zhang, Y. F. ；Tang, Y. H.； Wang, N.本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种锗的微米／纳米锥阵列，其特征是：阵列中的锗的微米／纳米锥的长度为５～４０μｍ，尖端的直径为５０～１００ｎｍ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：师文生，刘运宇，佘广为，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：11