一种无机半导体纳米材料及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种无机半导体纳米材料及其制备方法，该方法包括以下步骤：步骤1)：将阳离子配位剂和手性稳定剂溶解于同一溶剂，调节pH值至9～12，使其生成手性金属络合物；步骤2)：加入阴离子配位剂，然后在60～120℃加热使其成核。本发明专利技术通过在原料中加入手性稳定剂使得到的无机纳米材料具有手性特征，所采用的方法简单，所制备的手性纳米材料组成、性质多样，应用范围广。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
１．一种无机半导体纳米材料的制备方法，包括以下步骤：步骤１）：将阳离子配位剂和手性稳定剂溶解于同一溶剂，调节ＰＨ值至９～１２，使其生成手性金属络合物；步骤２）：加入阴离子配位剂，然后在６０～１２０℃加热使其成核。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周云龙，唐智勇，
申请(专利权)人：国家纳米科学中心，
类型：发明
国别省市：11