倒装芯片单金属间化合物微互连结构制备方法技术

倒装芯片单金属间化合物微互连结构制备方法，本发明专利技术涉及一种倒装芯片金属间化合物微互连结构制备方法，针对倒装芯片微互连焊点在钎料合金、金属间化合物和金属焊盘连接界面处发生断裂问题。方案一：在芯片的金属表面上制备芯片金属基层(芯片金属焊盘)和表层，在基板的金属表面上制备基板金属基层(基板金属焊盘)和表层，芯片与基板金属表层由纯Sn制成；在芯片金属表层及基板金属表层上涂钎剂；芯片倒置，使芯片金属焊盘和基板金属焊盘相对应，施压、加热，冷却，形成倒装芯片单金属间化合物微互连结构；方案二与一不同：在芯片金属基层及基板金属基层上涂钎剂，芯片倒置，芯片金属焊盘和基板金属焊盘通过Sn箔接触。本发明专利技术用于电子封装结构中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种倒装芯片金属间化合物微互连结构制备方法，属于电子封装结构设计及制造领域。
技术介绍
倒装芯片技术是将芯片直接以倒扣方式安装到基板表面，这种芯片互连方式能提供更高的输入/输出连接密度.倒装占有面积几乎与芯片大小一致.可以实现小而薄的封装。电子产品向微型化和多功能方向发展的同时，对其可靠性也提出了更高的要求。 微互连焊点作为芯片与基板之间电气、机械连接的桥梁，对电子产品可靠性有着至关重要的影响。目前，倒装芯片微互连焊点是由钎料合金通过钎焊的方法与芯片及基板表面金属焊盘反应所形成的，此类微互连焊点通常是由芯片金属焊盘-金属间化合物-钎料合金-金属间化合物-基板金属焊盘构成。由于钎料合金、金属间化合物和金属焊盘的材料不同，其物理性质也有较大差异。在外力或由不同材料热胀冷缩不一致情况下产生的应力作用下，容易在钎料合金、金属间化合物和金属焊盘的连接界面处发生断裂。一旦出现这种情况，电子产品将无法工作，彻底失效。微互连焊点的性能及使用寿命与其结构关系密切， 通过对微互连焊点创新性设计以提高焊点及电子产品性能，并延长其使用寿命将是一种有效的途径。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种倒装芯片单金属间化合物微互连结构制备方法，其特征在于：所述方法是由以下步骤实现的：步骤一：在芯片（１）上的每个金属表面上制备芯片金属基层（２），在所述芯片金属基层（２）的水平面上制备芯片金属表层（３），所述芯片金属基层（２）定义为芯片金属焊盘；在基板（４）上的每个金属表面上制备基板金属基层（５），在所述基板金属基层（５）的水平面上制备基板金属表层（６），所述基板金属基层（５）定义为基板金属焊盘；所述芯片金属焊盘的材质与基板金属焊盘的材质均为Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉ或Ｐｔ，且芯片金属焊盘的材质与基板金属焊盘的材质相同，所述芯片金属表层（３）与基板金属表层（６）的材质均为纯Ｓｎ；步骤二...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘威，王春青，田艳红，孔令超，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：93