一种多晶薄膜太阳电池的制备方法技术

本发明专利技术是一种多晶薄膜太阳电池的制备方法，不同的衬底材料上生长的膜的形貌会有较大的差异，而衬底材料中所含的某些微量元素也会影响膜的质量。玻璃衬底内应含低的杂质浓度，应具有相对较好的导热性，且热膨胀系数稍大于CSI膜，这是因为在冷却成膜时，受到收缩应力的影响自然会使薄膜更紧密。比较理想的衬底材料是Soda?lime玻璃，其厚度要小于4mm为佳。制成的多晶薄膜太阳电池的效率为24.2％，填补国内外空白。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于电池材料生产

技术介绍
光伏电池可直接将太阳能转变成电能。大规模的光伏发电，目前技术上成熟，在市场上占主导地位的光伏电池仍是硅基光伏电池。由于晶体硅光伏电池的生产成本昂贵， 制备工艺复杂，在大力推广中受到制约；非晶硅薄膜电池虽然在成本和工艺上比前者有优势，但由于材料固有的亚稳态和多缺陷的特性造成电池稳定性较低，大面积光电转换效率难以进一步提高，多晶铜硒铟薄膜太阳电池具有广阔的发展前景。多晶铜硒铟薄膜在长波段具有高光敏性，对可见光能有效吸收，且具有与晶体硅一样的光照稳定性，因此被公认为高效、低耗的最理想的光伏器件材料。另一方面，大晶粒的铜硒铟薄膜具有与晶体硅可相比拟的高迁移率，可以做成大面积、具有快速响应的场效应薄膜晶体管、传感器等光电器件， 从而在开辟新一代大阵列的液晶显示技术、微电子技术中具有广阔应用前景。
技术实现思路
本专利技术的目的是，制成的铜硒铟多晶薄膜太阳能电池的效率为2% .填补国内空白。制备技术1.衬底的选择和制备衬底材料对膜质量的影响是至关重要的，不同的衬底材料上生长的膜的形貌会有较大的差异，而衬底材料中所含的某些微量元素也会影响膜的质量。Sodalime玻璃衬底内应含低的杂质浓度，应具有相对较好的导热性，受到收缩应力的影响自然会使薄膜更紧密。 比较理想的衬底材料是Soda lime玻璃薄膜，其厚度要小于4mm为最佳。2.在衬底上直接沉积铜硒铟薄膜一般固相晶化的方法必须分两步制备氧化锌薄膜，时间较长。如果沉积铜硒铟薄膜和热处理不在同一系统中，则在转移刚沉积的铜硒铟薄膜的过程中，引入其它杂质，这都会对薄膜的性能产生不良的影响，其流程示意图如附图说明图1所示，蒸发硒化的步骤是衬底温度加热到270度，经过14分钟后，便得到一层含有硒的铜层。即将蒸发完时，开始蒸发铟，硒的温度控制在320度，30分钟后便在原铜层上生长一层含硒的铟层。然后将衬底温度升高到630左右进行铟化，这时硒源温度降到270度左右。权利要求1.，不同的衬底材料上生长的膜的形貌会有较大的差异，而衬底材料中所含的某些微量元素也会影响膜的质量。玻璃衬底内应含低的杂质浓度，应具有相对较好的导热性，且热膨胀系数稍大于CIS膜，这是因为在冷却成膜时，受到收缩应力的影响自然会使薄膜更紧密。比较理想的衬底材料是Soda lime玻璃，其厚度要小于4mm为佳。制成的多晶膜太阳电池的效率为2%，填补国内外空白。2.根据权利要求1所述的，衬底材料是Sodalime 玻璃。3.根据权利要求1所述的，在衬底上直接沉积铜硒铟薄膜。全文摘要本专利技术是，不同的衬底材料上生长的膜的形貌会有较大的差异，而衬底材料中所含的某些微量元素也会影响膜的质量。玻璃衬底内应含低的杂质浓度，应具有相对较好的导热性，且热膨胀系数稍大于CSI膜，这是因为在冷却成膜时，受到收缩应力的影响自然会使薄膜更紧密。比较理想的衬底材料是Soda lime玻璃，其厚度要小于4mm为佳。制成的多晶薄膜太阳电池的效率为24.2％，填补国内外空白。文档编号H01L31/18GK102237436SQ201010166939公开日2011年11月9日 申请日期2010年5月5日 优先权日2010年5月5日专利技术者黄庆举 申请人:茂名学院本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种多晶薄膜太阳电池的制备方法，不同的衬底材料上生长的膜的形貌会有较大的差异，而衬底材料中所含的某些微量元素也会影响膜的质量。玻璃衬底内应含低的杂质浓度，应具有相对较好的导热性，且热膨胀系数稍大于ＣＩＳ膜，这是因为在冷却成膜时，受到收缩应力的影响自然会使薄膜更紧密。比较理想的衬底材料是Ｓｏｄａ　ｌｉｍｅ玻璃，其厚度要小于４ｍｍ为佳。制成的多晶膜太阳电池的效率为２４．２％，填补国内外空白。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄庆举，
申请(专利权)人：茂名学院，
类型：发明
国别省市：44