【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种阻变存储器，尤其是一种有序可控纳米硅量子点阵列阻变存储器，同时还涉及其制备方法，属于非挥发性存储器
技术介绍
据申请人了解，在过去的几十年中，电子科学技术的蓬勃发展将世界带进了信息社会，大大改变了人类的生活方式和思维模式。而支撑包括信息处理、传输和存储在内的信息技术的关键器件是高密度信息存储器，它不但是一个国家电子技术发展水平的主要指标之一，也是电子行业中的一项重要产业。近年来，各种新型的下一代非挥发性存储器应运而生，如铁电存储器(！^eRAM ) 、磁存储器(MRAM) 、相变存储器(PRAM) ，阻变式存储器(RRAM) 等.相比其他非挥发存储器，阻变式存储器以其低操作电压、低功耗、高写入速度、耐擦写、非破坏性读取、保持时间长、结构简单、与传统CMOS (互补金属氧化物半导体)工艺相兼容等优点而被广泛研究。到目前为止，国际上研究小组制备的阻变式存储器所用的阻变材料有很多种，如二元金属氧化物、钙钛矿结构三元化合物、硫系化合物、有机半导体，但基于有序可控纳米硅量子点阵列结构的阻变存储器至今尚未见报道。检索可知，申请号为CN200610...
【技术保护点】
１． 一种有序可控硅量子点阵列阻变存储器，包括Ｐ＋硅衬底材料，其特征在于：还包括附着在所述衬底材料上的阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列，以及分别附着在阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列上表面和衬底下表面的上、下电极；所述阻变多层膜纳米柱阵列内具有绝缘介质层；所述硅量子点多层膜纳米柱由至少二层镶嵌有纳米硅量子点，且具有不同氮组分的富硅氮化硅薄膜或具有不同氧组分的富硅氧化硅薄膜子层构成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：马忠元，陈坤基，徐岭，夏国银，江小帆，杨华峰，徐骏，黄信凡，冯端，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：84
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