公开了一种衬底处理装置，尤其公开了一种能够对衬底实施诸如退火、沉积和刻蚀等预定工序的衬底处理装置。该衬底处理装置包括：腔室，用于形成密封处理空间，覆盖元件，用于覆盖所述腔室的内表面的至少一部分，以及温度控制元件，安装于所述覆盖元件和所述腔室之间，以便于控制所述处理空间的温度。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种衬底处理装置，尤其涉及一种能够对衬底实施诸如退火、沉积和刻蚀等预定工序的衬底处理装置。
技术介绍
衬底处理装置是一种能够在处理空间-腔室的内空间处于大气压力或真空压力的状态下对衬底实施诸如预热、退火、沉积和刻蚀等预定工序的装置。这种衬底处理装置随诸如用于液晶显示器(IXD)面板的玻璃衬底变大而变大。对于衬底处理装置来说，维持有适宜温度的处理环境很重要，这使得衬底能够被有效处理。为了控制腔室内处理空间的温度，该腔室的壁体形成有流动路径，传热介质沿其流动。或者，该衬底处理装置在腔室的外壁上设置有诸如加热器的温度控制元件，该温度控制元件被配置为通过沿该腔室的壁体的热传导来对处理空间实施温度控制。尽管如此，当流动路径经受腔室的壁体上的特别加工或腔室的外壁上安装有加热器时，将存在以下问题。首先，由于处理空间的温度是通过控制该腔室的控制温度来控制的，该处理空间的温度可能受到腔室材料、腔室外部环境等因素的影响。这可能导致难以控制处理空间的温度。特别地，当通过传统的衬底处理装置来控制腔室的温度时，腔室可能出现热变形。 由于较大的腔室热变形严重，可能严重影响处理环境或缩短装置的使用寿命。其次，当衬底处理装置较大时，将显著增加用于温度控制的整体温度控制体积。这可能增加使处理空间的温度控制稳定进行所需花费的时间。这还可能需要较高性能的温度控制元件。由此可能会增加整体的制造成本、维护成本和维修成本，并且可能会限制温度控制方法的实施。第三，在腔室的壁体内特别加工流动路径的情况下，可能不易在腔室的壁体内形成流动路径。并且这可能会增加腔室的整体制造成本。第四，在腔室的外壁表面上安装用于控制处理空间的温度的加热器的情况下，该处理空间的温度控制可能受到腔室材料、腔室外部环境等因素的影响。这可能增加整体的温度控制体积。
技术实现思路
因此，本专利技术的一个目的在于提供一种能够通过在腔室的内表面上安装温度控制元件而直接对腔室内的处理空间实施温度控制的衬底处理装置。为了实现这些以及其他优势并且根据本专利技术的目的，如在此具体并广泛描述地， 提供一种衬底处理装置，包括腔室，用于形成密封的处理空间；覆盖元件，用于覆盖该腔室的内表面的至少一部分；以及温度控制元件，安装于该覆盖元件和该腔室之间，以便于控制该处理空间的温度。该温度控制元件可以通过间隔元件安装为与该腔室的内表面具有间隙。该温度控制元件和该腔室的内表面之间的间隙可以为空的间隙，或可以由间隔元件填充。该温度控制元件可以包括温度控制板，该温度控制板具有可供用于温度控制的传热介质沿其流动的流动路径，或可以包括平面薄膜加热器。该温度控制元件可以包括多个温度控制组件，并且这些温度控制组件所生成的热量可以被整体控制或单独控制。可以在该温度控制元件和腔室的内表面之间安装绝缘元件。该衬底处理装置可以为用于在真空状态下对衬底实施真空处理的真空处理装置， 或可以为传送模块，或可以为真空进样装置。根据本专利技术的衬底处理装置可以具有以下优势首先，由于温度控制元件安装在腔室的内表面上以直接控制处理空间的温度，可以使得处理空间的温度控制变得容易。其次，由于没有采用使用腔室热传导的传统方法，而是通过在腔室的内表面上安装温度控制元件来控制处理空间的温度，可以使腔室的热变形最小化。第三，由于用于控制处理空间内温度的温度控制元件安装在腔室的内表面上，可以便于制造并且可以降低整体的温度控制体积，以显著节省制造成本。第四，由于温度控制元件安装在腔室的内表面上以便直接控制处理空间内的温度，可以显著减少整体的温度控制量。这可以节省制造成本和维护/维修成本。第五，由于显著减少了整体的温度控制量，使得处理空间内的温度环境可以快速稳定化，以提高产量。第六，由于温度控制元件安装在腔室的内表面上，可以采用使用传热介质、薄膜加热器等的多种温度控制方法。可以减少衬底处理装置的整体尺寸和重量。可以使腔室的热变形最小化。并且，由于不需要在腔室内特别加工流动路径，可以很容易地制造腔室。第七，由于温度控制元件和腔室之间形成有空的间隙，可以使传导至腔室外部的热量最小化。这可以防止热量损失，由此进一步减少温度控制量。此外，由于通过空的间隙使传导至腔室的热量最小化，可以防止腔室的热变形。第八，由于温度控制元件包括多个温度控制组件，可以容易地控制处理空间的温度，并且可以显著缩短使温度环境稳定化所需花费的时间。第十，由于减少了温度控制量，可以很容易地使用平面薄膜加热器作为温度控制元件。由于平面薄膜加热器具有较轻的重量和较薄的厚度，这可以减少衬底处理装置的整体尺寸和重量。此外，可以以较低的成本制造和维护/维修该平面薄膜加热器。下面将结合附图进行详细说明，以使得本专利技术的前述和其他目的、特征以及优势更加明显。附图说明包含的附图被并入且构成说明书的一部分，用于进一步理解本专利技术，说明本专利技术示的实施例，并与该说明书一起用于解释本专利技术的原理。附图中图1为根据本专利技术的第一实施例的衬底处理装置的剖视图；图2为图1中‘A’部分的放大图；以及图3与图2相对应，示出了根据本专利技术的第二实施例的衬底处理装置。 具体实施例方式参考附图对本专利技术进行详细说明。接下来，将参考附图对根据本专利技术的衬底处理装置进行进一步详细说明。根据本专利技术的衬底处理装置用于对衬底实施预定工序。该衬底处理装置可以包括真空进样(load lock)装置、真空处理装置、传送模块等中的所有，或可以包括其中的至少一个。图1是根据本专利技术的第一实施例的衬底处理装置的剖视图，图2是图1中‘A’部分的放大图，并且图3与图2相对应，示出了根据本专利技术的第二实施例的衬底处理装置。如所示出的，根据本专利技术的第一实施例的衬底处理装置是一种用于在诸如用于 LCD面板的玻璃衬底、用于太阳能电池的基片等的衬底2上实施诸如沉积的预定工序的真空处理装置。该衬底处理装置可以被配置为通过在真空状态下形成等离子来执行真空处理。在此，该衬底处理装置可以对诸如用于太阳能电池的基片的一个或多个衬底2实施真空处理。在同时对多个衬底2进行真空处理的情况下，可以将多个衬底2以装载在托盘上的方式进行传送。如果待处理的衬底2是用于LCD面板的玻璃衬底，其可以为矩形。该衬底处理装置可以包括腔室10，其形成用于对衬底2进行真空处理的密封处理空间12，衬底支撑单元20，用于在其上安装衬底2，喷头30，用于向处理空间12内注入至少一种用于形成等离子体的工艺气体，等等。该腔室10可以具有多种配置。例如，该腔室10可以包括腔体16和与该腔体16 可拆卸地耦合的顶盖14。该腔体16可以通过与设置于其上方的顶盖14相耦合的方式形成处理空间12。该腔体16的侧壁可以形成有一个或多个门18，用于将衬底2引入处理空间12内或从其内移出。该门18可以通过门阀(未示出)打开或关闭。根据将衬底2引入腔体16内的方式， 该门18可以仅形成于该腔体16的一侧处，或两个彼此面对的位置处。该顶盖14可以具有多种配置。例如，该顶盖14可以被配置为通过与设置于其下方的腔体16耦合的方式形成处理空间12。该喷头30可以耦合至该顶盖14的下侧，用于传热和导电。该腔室10可以连接有供气管路32和排气管(未示出)，该供气管路32与一供气设备相连以便于向该处理空间12内提供工艺气体，并且该排气管与一真空泵相连以便本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种衬底处理装置，包括：腔室，用于形成密封处理空间；覆盖元件，用于覆盖所述腔室的内表面的至少一部分；以及温度控制元件，安装于所述覆盖元件和所述腔室之间，以便于控制所述处理空间的温度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：崔日权，
申请(专利权)人：IPS株式会社，
类型：发明
国别省市：KR
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