【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及聚合物与存储器
,尤其涉及一种用于电阻型存储材料的聚西佛碱。
技术介绍
数字高科技的飞速发展,对现有信息存储产品的性能提出了更高的要求,例如,高速度、高密度、长寿命、低成本和低功耗等,同时也揭示了现有随机存储技术的缺陷。动态存储器和静态存储器的弱点之一是其易失性,即在断电情况下信息丢失,并且易受电磁辐射干扰。闪存则存在读写速度慢、记录密度低等技术障碍。因此,迫切需要在存储材料和技术方面取得突破,开发具有高性能的存储产品,满足数字高科技时代发展的要求。2000年美国休斯顿大学在金属/钙钛矿锰氧化物I^rCaMnO/金属这种三明治结构中发现,在两金属电极间施加电脉冲可以使体系电阻在高低阻值上来回快速切换。随后,人们发现在Ni0、Cu0、&02、TiA等多种二元过渡族金属氧化物中也存在类似的电致电阻转变效应。基于该电阻转变效应,人们提出了一种新型非易失性存储器概念-电阻型随机存储器(RRAM)。电阻型随机存储器的存储单元一般包括绝缘衬底,绝缘衬底表面设置的第一电极,第一电极表面设置的具有电阻转变特性材料制成的中间层,以及中间层表面设置的第二 ...
【技术保护点】
1.一种用于电阻型存储材料的聚西佛碱,其特征是:包含如下结构单元:其中,n为正整数,R0为氢原子、C1-C20的脂肪或芳香基团,基本单元X、Y分别为以下结构单元(a)至(m)中的一种或两种以上的组合,其中A为硝基、磺酸基、磺酸盐、硝基、卤仿基、季胺基,A的取代位置可以为2,2,2’-或3,3’-;其中A为硝基、磺酸基、磺酸盐、硝基、卤仿基、季胺基,A的取代位置可以为2,2,2’-或3,3’-;其中W为二价基团,W的取代位置可以位于两个羰基的邻位、间位或者对位;R1和R2分别为氢原子、脂肪或芳香基团;其中V为二价基团,V的取代位置可以为3,3’-,4,4’-,或者3,4’-; ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:李润伟,胡本林,诸葛飞,潘亮,
申请(专利权)人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所,
类型:发明
国别省市:97
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