【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件
，具体涉及与η型ZnS材料欧姆接触的电极及其制备方法。
技术介绍
一维纳米材料由于其新颖的物理、化学和生物学特性以及在纳米器件中的潜在用途成为当今纳米技术的研究热点。而一维纳米材料大量、低成本和简单有效地合成与组装无论从基础研究的角度，还是从性能与应用的角度来看都有着特殊重要的意义。半导体纳米材料在光学、电学、磁学、纳电子学等方面具有潜在的应用价值，是近年来纳米材料科学的研究热点之一。硫化锌ZnS是最重要的II-VI族直接带隙半导体之一，ZnS禁带宽度为 3. 7eV，具有压电、红外透明及良好的发光性能，在电子显示器件、紫外探测器、太阳能电池、 红外窗口及激光和催化等众多领域中有广泛的应用。一维ZnS纳米材料具有单晶的晶体质量，并且具备因量子限域效应与尺寸效应而导致的诸多优异光、电特性，是构筑新一代纳米光电器件的理想材料体系之一。但是，ZnS纳米材料具有低的电子亲和势和高表面态密度， 由此导致的表面费米能级钉扎，使得金属/半导体界面处总是存在很高的肖特基势垒，从而难以形成良好的欧姆接触，欧姆接触的问题严重制约了 ZnS纳米材料在纳...
【技术保护点】
１．一种实现与ｎ型ＺｎＳ准一维纳米材料欧姆接触的电极，其特征是所述电极是直接在ｎ型ＺｎＳ准一维纳米材料上形成的ＡＺＯ或ＩＴＯ透明电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：揭建胜，于永强，蒋阳，罗林保，朱志峰，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：34
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