【技术实现步骤摘要】
本专利技术属 于制备涂层的
，特别涉及一种在熔炼坩埚内壁上喷涂氮化硅涂层的方法。
技术介绍
在冶金熔炼除杂制备铸锭过程中，都需要使用熔炼坩埚，工业中通常使用的熔炼坩埚是石英或石墨坩埚，熔融金属液与坩埚接触时不可避免的产生反应粘连，同时坩埚中的杂质也会进入到硅熔体中。坩埚与金属之间的反应粘连、渗透和扩散会在铸锭脱模过程中引起问题，使得多晶硅铸锭有断裂或破裂的危险。高浓度的杂质，如c、0等将对铸锭的各种性能产生不利的影响。通常在坩埚上涂敷涂层使熔体与熔炼坩埚壁隔离，来减少反应粘连使铸锭顺利脱模，并阻止坩埚中的杂质在铸造过程中进入金属中。Si3N4由于其自扩散系数低，耐高温，化学稳定性好，通常被用来作为多晶硅铸造过程中的涂层材料。氮化硅涂层的制备方法很多，但通常工艺复杂，成本高。申请号为 200810243655. 6的专利技术专利采用氮化硅颗粒和去离子水形成乳浆状熔液，在低压下喷涂后烧结形成氮化硅涂层，但此方法中使用的是去离子水来形成乳胶状熔液，烧结后，涂层与熔炼坩埚的粘连性较小，在铸造过程中极易脱落，从而无法达到涂层的作用。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服...
【技术保护点】
化硅涂层。１．一种熔炼坩埚用涂层的制备方法，其特征在于，首先对熔炼坩埚进行烘制预处理，然后采用ＰＶＰ无水乙醇溶液与氮化硅配置悬浊液，将悬浊液均匀喷涂于熔炼坩埚内壁，最后将喷好涂层的熔炼坩埚进行预烧处理，即可在熔炼坩埚内壁得到一层厚度均匀、结构致密的氮
【技术特征摘要】
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