【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及绝缘栅双极型器件的短路自保护
，更具体的说，是关于一种用于逆变器、PDP驱动芯片中的绝缘栅双极型器件免于高压大电流损坏的短路自保护电路设计，为。
技术介绍
随着人们对现代化生活需求的日益增强，功率集成电路产品的性能越来越受到关注，其中功率集成电路处理高电压、大电流的能力越来越成为最为主要的性能指标之一。决定功率集成电路处理高电压、大电流能力大小的因素除了功率集成电路本身电路结构、设计以及电路所采用的制造工艺之外，相同面积的单个器件能承受的电流能力也是衡量功率集成电路性能和成本的关键。绝缘栅双极型器件综合了双极型晶体管和绝缘栅场效应管器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。然而由于绝缘栅双极型晶体管高压大电流的属性，造成它在短路时的漏源电流极大，因而其只能承受很短时间的短路电流，能承受短路电流的时间与该器件的导通饱和压降有关，随着饱和导通压降的增加而延长。如饱和压降小于2V的绝缘栅双极型器件允许承受的短路时间小于5 μ s，而饱和压降3V的绝缘栅...
【技术保护点】
１．一种两步探测绝缘栅双极型器件短路自保护电路，其特征是包括电流变化探测电路（１）、电流探测电路（２）和软关断保护电路（３），被保护绝缘栅双极型器件（５）的输出端依次连接电流变化探测电路（１）、电流探测电路（２）和软关断保护电路（３），软关断保护电路（３）的输出端连接所述被保护绝缘栅双极型器件（５）的输入端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：钱钦松，刘斯扬，霍昌隆，崔其晖，孙伟锋，陆生礼，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：32
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