【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
１．一种制备ＣｄＳ／ＺｎＯ纳米管阵列光电极的方法，其特征是，所述的方法包括以下步骤：（１）ＺｎＯ纳米管阵列的制备：在含有５ｍＭ Ｚｎ（Ａｃ）２和０．１Ｍ ＫＣｌ的温度为８５℃的去离子水溶液中，以清洗干净的导电玻璃作为工作电极，以铂片作为对电极，以饱和甘汞电极作为参比电极组成三电极体系；对所述的工作电极施加－１．０Ｖ的恒定电压，在所述的导电玻璃上得到ＺｎＯ纳米棒阵列；将生长有ＺｎＯ纳米棒阵列的导电玻璃基底浸泡于含有０．２Ｍ ＫＯＨ的温度为８５℃的去离子水溶液中，制得ＺｎＯ纳米管阵列；（２）ＣｄＳ的电沉积：在含有Ｓ粉和ＣｄＣｌ２的二甲基亚砜溶液中，以步骤（１）制备得到的ＺｎＯ纳...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：师文生，齐小鹏，佘广为，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：11
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