PMOLED显示屏制造技术

本实用新型专利技术涉及平面显示技术。本实用新型专利技术解决了目前PMOLED显示屏亮度显示不均匀的问题，提供了一种PMOLED显示屏。其技术方案可概括为：增大了扫描电极的第一段宽度，在每一行像素单元与该行像素单元连接扫描电极的一端相对的另一端面还增加了连接该行像素单元上下横向阴极隔离柱的纵向阴极隔离柱。其有益效果是，改善了PMOLED显示屏的品质，适用于PMOLED显示屏。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及平面显示技术，具体涉及PMOLED显示屏。
技术介绍
OLED(有机发光二极管)是新一代的照明和显示装置，其通过将有机发光材料夹在透明阳极和金属反射阴极之间，形成有机薄膜，对有机薄膜施加电压来进行发光，PMOLED 是被动式驱动发光的OLED显示屏，一般是由驱动芯片向显示屏中的发光像素供电，通过对显示屏的扫描电极进行逐行扫描来达到显示图像的目的，由于显示屏的空间大小有局限性，而其接线又极其复杂，要在有限的空间内布置下繁复的线路，这就涉及到对扫描电极的布线问题，传统技术中的PMOLED显示屏结构如图1所示，其包括像素单元阵列和分布在像素单元阵列左右两侧的η个扫描电极，η等于像素单元阵列的行数；第一个扫描电极分布在像素单元阵列的一侧连接像素单元阵列的第一行，第二个扫描电极分布在像素单元阵列的另一侧连接像素单元阵列的第二行，第三个扫描电极分布在像素单元阵列的一侧连接像素单元阵列的第三行，第四个扫描电极分布在像素单元阵列的另一侧连接像素单元阵列的第四行…以此类推；其中，每个扫描电极分五段设计第一段为与像素单元1连接的接触孔2， 其宽度等于一个像素单元1的高度；第二段3为接触孔的引出电极，水平方向布线；第三段 4为竖直方向布线的电极；第四段5为向中央倾斜布线的电极；第五段6为竖直方向布线的电极，用于连接驱动芯片；处于像素单元阵列同侧的各扫描电极的第二段3逐渐缩短(从图1中可见，连接奇数行的扫描电极的第二段3逐渐缩短，连接偶数行的扫描电极的第二段 3也逐渐缩短)，不同的扫描电极之间在宽度设计上基本是一致的，像素单元阵列中每行像素单元之间通过阴极隔离柱7分开，整个像素单元阵列作为显示区域。上述PMOLED显示屏存在着缺陷由于其扫描电极本身存在一定的电阻，当电流由驱动芯片流向OLED发光单元时，会产生电流损耗，而距离驱动芯片越远则电流损耗越大，因此，电流在各行像素单元对应的扫描电极中的损耗大小不一致，造成OLED发光单元中行与行之间亮度有差异，从而导致整个PMOLED显示屏的亮度显示不均勻，且封装这种PMOLED显示屏时难以控制封装胶的封装宽度。
技术实现思路
本技术的目的是克服现在PMOLED显示屏亮度显示不均勻的缺点，提供一种 PMOLED显示屏。本技术解决上述技术问题所采用的技术方案是=PMOLED显示屏，包括像素单元阵列和分布在像素单元阵列左右两侧的η个扫描电极，η等于像素单元阵列的行数，第一个扫描电极分布在像素单元阵列的一侧连接像素单元阵列的第一行，第二个扫描电极分布在像素单元阵列的另一侧连接像素单元阵列的第二行，余类推；其中，每个扫描电极分五段设计第一段为与像素单元连接的接触孔，第二段为接触孔的引出电极，第三段为竖直方向布线的电极，第四段为向中央倾斜布线的电极；第五段为竖直方向布线的电极，处于像素单元阵列同侧的各扫描电极的第二段逐渐缩短，像素单元阵列中每行像素单元之间通过横向阴极隔离柱分开，每个扫描电极的第一段的宽度为两个像素单元高度之和，每一行像素单元与该行像素单元连接扫描电极的一端相对的另一端面还具有连接该行像素单元上下横向阴极隔离柱的纵向阴极隔离柱。具体的，每个扫描电极的第二段与水平方向呈一定角度。进一步的，所述一定角度为45°。具体的，处于像素单元阵列同侧的各扫描电极满足以下要求各扫描电极的第一段的宽度均相等；各扫描电极的第二段的宽度均相等；各扫描电极的第三段的宽度呈渐变趋势，越向外侧越宽；各扫描电极的第四段的宽度均相等；各扫描电极的第五段的宽度均相等。再进一步的，还包括四条显示区域阴极隔离柱，所述四条显示区域阴极隔离柱组成正方形，像素单元阵列及各扫描电极第一段位于所述四条显示区域阴极隔离柱组成的正方形内部。具体的，所述的四条显示区域阴极隔离柱上还具有突起。再进一步的，还包括四条封装区域阴极隔离柱，所述四条封装区域阴极隔离柱组成正方形，像素单元阵列及各扫描电极位于所述四条封装区域阴极隔离柱组成的正方形内部。本技术的有益效果是将扫描电极分五段设计，每段设计都最大化地利用了空间，按照金属薄膜电阻的定义，扫描电极面积越大，则电阻越低，因此，减小了因扫描电极引起的电压降，从而保证了发光亮度；同时对于不同的扫描电极的第三段采取了渐变式的设计扫描电极宽度从外向内逐渐减小，从而减小了行与行之间的亮度显示差异，改善了 PMOLED显示屏的品质，且在每一行像素单元与该行像素单元连接扫描电极的一端相对的另一端面增加连接该行像素单元上下横向阴极隔离柱的纵向阴极隔离柱，可以避免短路问题，另外采用四条显示区域阴极隔离柱限定显示区域的长宽，方便封装该PMOLED显示屏， 在显示区域阴极隔离柱上增加突起可以增加显示区域阴极隔离柱的强度。附图说明图1为传统的PMOLED显示屏结构示意图；图2为本技术实施例的PMOLED显示屏结构示意图。图中，1为像素单元，2为接触孔，3为扫描电极的第二段，4为扫描电极的第三段，5 为扫描电极的第四段，6为扫描电极的第五段，7为横向阴极隔离柱，8为纵向阴极隔离柱，9 为显示区域阴极隔离柱，10为封装区域阴极隔离柱。具体实施方式以下结合附图及实施例对本技术作进一步的描述。本技术所述PMOLED显示屏，相对于传统技术，其改进点在于增加了扫描电极的第一段设计的宽度，使之达到两个像素单元高度之和，且每一行像素单元与该行像素单元连接扫描电极的一端相对的另一端面还具有连接该行像素单元上下横向阴极隔离柱7 的纵向阴极隔离柱8，由于扫描电极宽度的增加，降低了其自身电阻，因此，通过扫描电极的4电流损耗减小，从而保证了发光亮度，且增加的纵向阴极隔离柱8可以避免短路问题。实施例本例还具有四条显示区域阴极隔离柱9及四条封装区域阴极隔离柱10，其结构如图2所示。本例中的PMOLED显示屏结构，包括像素单元阵列和分布在像素单元阵列左右两侧的η个扫描电极，η等于像素单元阵列的行数，第一个扫描电极分布在像素单元阵列的左侧连接像素单元阵列的第一行，第二个扫描电极分布在像素单元阵列的右侧连接像素单元阵列的第二行，余类推；其中，每个扫描电极分五段设计第一段为与像素单元1连接的接触孔2，其宽度等于两个像素单元1的高度之和，第二段3为接触孔2的引出电极，与水平方向呈45°角，第三段4为竖直方向布线的电极，第四段5为向中央倾斜布线的电极，第五段 6为竖直方向布线的电极，用于连接驱动芯片，处于像素单元阵列同侧的各扫描电极的第二段3逐渐缩短，每一行像素单元与该行像素单元连接扫描电极的一端相对的另一端面还具有连接该行像素单元上下横向阴极隔离柱7的纵向阴极隔离柱8，还具有四条显示区域阴极隔离柱9及四条封装区域阴极隔离柱10，其中，四条显示区域阴极隔离柱9组成正方形， 像素单元阵列及各扫描电极第一段位于所述四条显示区域阴极隔离柱9组成的正方形内部，在显示区域阴极隔离柱上还具有突起，四条封装区域阴极隔离柱10组成正方形，像素单元阵列及各扫描电极位于所述四条封装区域阴极隔离柱10组成的正方形内部。分布在同一侧的不同的扫描电极之间需满足以下要求第一段的宽度均相等；第二段3的宽度均相等；第三段4的宽度呈渐变趋势，越向外侧越宽；第四段5的宽度均相等； 第五段6的宽度均相等。 通过上述设计，最大化利用了 P本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．ＰＭＯＬＥＤ显示屏，包括像素单元阵列和分布在像素单元阵列左右两侧的ｎ个扫描电极，ｎ等于像素单元阵列的行数，第一个扫描电极分布在像素单元阵列的一侧连接像素单元阵列的第一行，第二个扫描电极分布在像素单元阵列的另一侧连接像素单元阵列的第二行，余类推；其中，每个扫描电极分五段设计：第一段为与像素单元连接的接触孔，第二段为接触孔的引出电极，第三段为竖直方向布线的电极，第四段为向中央倾斜布线的电极；第五段为竖直方向布线的电极，处于像素单元阵列同侧的各扫描电极的第二段逐渐缩短，像素单元阵列中每行像素单元之间通过横向阴极隔离柱分开，每个扫描电极的第一段的宽度为两个像素单元高度之和，每一行像素单元与该行像素单元连接扫描电极的一端相对的另一端面还具有连接该行像素单元上下横向阴极隔离柱的纵向阴极隔离柱。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：闫晓剑，
申请(专利权)人：四川虹视显示技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：90