本实用新型专利技术公开了一种线性规则区域布料大颗粒的抗静电瓷砖，属于建筑材料科学技术领域。半导体釉覆盖在瓷砖坯体的上表面，导电颗粒线性分布在瓷砖坯体的上部，并与半导体釉相连通。线性分布是指：在一块固定尺寸的地砖内虚设有平行于砖体边缘线的示意布料线，纵横向布料线间距范围为100-600mm，砖体边缘线也是布料线之一；导电颗粒分布于以布料线为中心、宽度为3-30mm的区域内，布料颗粒的尺寸为1-5mm。本实用新型专利技术减小了导电颗粒的使用量而降低成本，同时也可保证切割后的边缘导电颗粒的保有量，且分布方式利于美观化。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术属于建筑材料科学
，涉及一种线性规则区域布料大颗粒的抗静电瓷砖。
技术介绍
抗静电瓷砖具有不燃、永久防静电、不变形等优点，性价比较高。但现有还存在缺点。目前市场上主要有二类抗静电瓷砖，其一是表面抗静电瓷砖，该瓷砖表面上釉，具有导静电的功能。但体积电阻率很大。该类瓷砖经过切割后，由于侧面釉层很薄，铺贴后容易导致经静电释放通路断裂，导致所铺贴的抗静电地板系统抗静电性能稳定性不好。其二为通体导电的抗静电瓷砖，该类瓷砖由于釉面针孔较多，表面抗污性能较差。中国专利 ZLZ00720103943. 2提供了一种瓷砖坯体上表面、侧面和下表面分别覆盖有防静电釉层的耐久性防静电瓷砖。但因下表面施釉，工艺实施难度加大，难以在辊道窑大规模生产。中国专利200820124251. 0提供了一种在瓷砖体上表面均勻分布导电颗粒的抗静电瓷砖。虽然它各方面性能优异，但它耗大颗粒导电材料的量较大，成本较高，大量的颗粒分布于瓷砖坯体上层没有被切割到，存在功能颗粒浪费的情况；当功能大颗粒的用量较少时，容易导致切割后的瓷砖侧面导电颗粒密度小，侧面导电能力差，从而增加大体系电阻率。
技术实现思路
本技术目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种抗静电性能及耐久性良好， 且成本更加低廉又利于美观化的抗静电瓷砖。本技术所提供一种线性规则区域布料大颗粒的抗静电瓷砖的结构如图1所示。包括有半导体釉、瓷砖坯体及导电颗粒。半导体釉覆盖在瓷砖坯体的上表面，导电颗粒线性分布在瓷砖坯体O)的上部，并与半导体釉(1)相连通。作为本技术优选的技术方案，所述导电颗粒线性分布是指在一块固定尺寸的地砖内虚设有平行于砖体边缘线的示意布料线4，纵横向布料线间距可根据生产需要调整，范围为100-600mm，砖体边缘线也是布料线之一；导电颗粒3分布于以布料线4为中心、 宽度为3-30mm的区域内，布料颗粒的尺寸为l_5mm，布料颗粒的形状可任意选择。示意布料线4实际上是不存在的，是为了界定颗粒的布料范围而虚设的线。本技术的优点在于，对中国专利200820124251. 0所提供抗静电瓷砖的方案进行了显著改进，更加有效的减小了导电颗粒的使用量而降低成本，同时也可保证切割后的边缘导电颗粒的保有量，且分布方式利于美观化。附图说明图1为线性规则布料大颗粒的抗静电瓷砖的结构示意图；图2为线性规则布料大颗粒的抗静电瓷砖结构的侧视图；图中，1为半导体釉，2为瓷砖坯体，3为导电颗粒，4为布料线。具体实施方式实例1瓷砖尺寸为600mmX600mm，颗粒尺寸为Imm的导静电大颗粒以IOOmmX IOOmm的布料线方格子的线条为中心布料，布料宽度为30mm，导静电釉覆盖在瓷砖表面并且和大颗粒连通。实例2瓷砖尺寸为800mm X 800mm，颗粒尺寸为5mm的导静电大颗粒以400mm X 400mm的布料线方格子的线条为中心布料，布料宽度为10mm，导静电釉覆盖在瓷砖表面并且和大颗粒连通。实例3瓷砖尺寸为600mm X 600mm，颗粒尺寸为3mm的导静电大颗粒以300mm X 300mm的布料线方格子的线条为中心布料，布料宽度为5mm，导静电釉覆盖在瓷砖表面并且和大颗粒连ο实例 4瓷砖尺寸为IOOOmmX 1000mm,颗粒尺寸为3mm的导静电大颗粒以600mmX 600mm的布料线方格子的线条为中心布料，布料宽度为3mm，导静电釉覆盖在瓷砖表面并且和大颗粒连通。权利要求1. 一种线性规则区域布料大颗粒的抗静电瓷砖，包括有半导体釉、瓷砖坯体及导电颗粒，其特征在于，半导体釉覆盖在瓷砖坯体的上表面，导电颗粒线性分布在瓷砖坯体O)的上部，并与半导体釉(1)相连通；导电颗粒线性分布是指在一块固定尺寸的地砖内虚设有平行于砖体边缘线的示意布料线G)，纵横向布料线间距范围为100-600mm，砖体边缘线也是布料线之一；导电颗粒(3) 分布于以布料线(4)为中心、宽度为3-30mm的区域内，布料颗粒的尺寸为l_5mm。专利摘要本技术公开了一种线性规则区域布料大颗粒的抗静电瓷砖，属于建筑材料科学
半导体釉覆盖在瓷砖坯体的上表面，导电颗粒线性分布在瓷砖坯体的上部，并与半导体釉相连通。线性分布是指在一块固定尺寸的地砖内虚设有平行于砖体边缘线的示意布料线，纵横向布料线间距范围为100-600mm，砖体边缘线也是布料线之一；导电颗粒分布于以布料线为中心、宽度为3-30mm的区域内，布料颗粒的尺寸为1-5mm。本技术减小了导电颗粒的使用量而降低成本，同时也可保证切割后的边缘导电颗粒的保有量，且分布方式利于美观化。文档编号E04F15/02GK201953032SQ20102068742公开日2011年8月31日 申请日期2010年12月29日 优先权日2010年12月29日专利技术者严建华, 崔素萍, 李建国, 王倩倩, 王群, 秦魏, 郭红霞, 阳文哲 申请人:北京工业大学本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种线性规则区域布料大颗粒的抗静电瓷砖，包括有半导体釉、瓷砖坯体及导电颗粒，其特征在于，半导体釉覆盖在瓷砖坯体的上表面，导电颗粒线性分布在瓷砖坯体（２）的上部，并与半导体釉（１）相连通；导电颗粒线性分布是指：在一块固定尺寸的地砖内虚设有平行于砖体边缘线的示意布料线（４），纵横向布料线间距范围为１００－６００ｍｍ，砖体边缘线也是布料线之一；导电颗粒（３）分布于以布料线（４）为中心、宽度为３－３０ｍｍ的区域内，布料颗粒的尺寸为１－５ｍｍ。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：严建华，秦魏，李建国，崔素萍，王群，阳文哲，郭红霞，王倩倩，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：实用新型
国别省市：11
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