低压化学气相沉积反应设备制造技术

技术编号:6760915 阅读:386 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种低压化学气相沉积反应设备,包括进片室、至少一个沉积室,和出片室,所述腔室之间具有可开启关闭的阀门;所述沉积室包括可从侧面装入和卸出沉积室的沉积架,所述沉积架上纵向、间隔交替安装复数个加热板和喷淋室,所述喷淋室侧壁具有喷淋孔;所述设备还包括传送部件,用于带动装有基板的载板移动;当所述载板从设备的一端进入所述进片室后,所述传送部件带动所述载板将其移至沉积室的加热板和喷淋室之间的反应空间,沉积膜层后移至出片室。本实用新型专利技术的LPCVD反应设备能够进一步提高生产效率并降低生产和维护成本。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光伏太阳能电池
,特别涉及一种低压化学气相沉积 (LPCVD)反应设备。
技术介绍
随着能源的日益短缺,可再生绿色能源的开发利用越来越受到人们的关注,尤以太阳能的利用特别受到世人的青睐。太阳能作为清洁、安全、可持续并且可靠的能源,太阳能光伏(PV)系统正在迅速扩大其在能源和产业技术开发方面的应用。近年来,作为太阳能转换媒介的光伏(photovoltaic)电池和大面积光伏模块器件的开发和应用引起了普遍关注。以单晶硅、多晶硅、非晶硅薄膜等为代表的太阳能电池板在商业和住宅建筑物等设施中的广泛应用显示出巨大的潜力。特别是薄膜太阳能电池板,以其大面积、轻薄透明等特点正日趋广泛应用于民用设施建筑等领域的太阳能发电。薄膜太阳能电池是多层器件,不同层在整个结构中具有不同特点和作用。一个典型的薄膜太阳能电池通常包括玻璃基板、TCO(透明导电氧化物)前电极,具有由P、i和η 型半导体硅薄膜组成的p-i-n结构,背电极以及背玻璃板。掺杂层ρ层和η层在i层之间建立一个内部电场。基于硅的i层直接将入射光能转换成电能,由前电极和背电极收集。透明导电前电极和背电极通常采用氧化锌(SiO)材料,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低压化学气相沉积反应设备,其特征在于:包括进片室、至少一个沉积室,和出片室,所述腔室之间具有可开启关闭的阀门;所述沉积室包括可从侧面装入和卸出沉积室的沉积架,所述沉积架上纵向、间隔交替安装复数个加热板和喷淋室,所述喷淋室侧壁具有喷淋孔;所述设备还包括传送部件,用于带动装有基板的载板移动;当所述载板从设备的一端进入所述进片室后,所述传送部件带动所述载板将其移至沉积室的加热板和喷淋室之间的反应空间,沉积膜层后移至出片室。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄德王树林
申请(专利权)人:福建钧石能源有限公司北京精诚铂阳光电设备有限公司
类型:实用新型
国别省市:35

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