4H-SiC PN穿通型二极管器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种4H-SiC?PN穿通型二极管器件，其特征在于，N型欧姆接触层、N+4H-SiC衬底、N-4H-SiC外延层、P+区域层和P型欧姆接触层依次层叠连接形成4H-SiC?PN穿通型二极管器件本体，N型欧姆接触层和P型欧姆接触层分别与阴极和阳极相接。该4H-SiC?PN穿通型二极管器件的反向耐压高，正向电流与电压之间特性好，实用价值高。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种4H-SiC PN穿通型二极管器件。
技术介绍
碳化硅(SiC)材料是典型的第三代宽禁带化合物半导体材料，以硅(Si)为代表的 第一代半导体材料和以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料具有许多的优点，如碳 化硅材料具有较大的禁带宽度和高的电场强度，可在更高温度下工作，同时有助于高压大 电流电力半导体器件的研制；又如碳化硅材料具有较大的饱和漂移速度和迁移率，又为制 备快速高频半导体器件提供了良好的条件。目前，碳化硅(SiC)器件的研制已经成为国内 外半导体器件电路的研究热点，其前景非常诱人。在电力电子技术系统中，一个良好的整流器(二极管)需要具有承受大导通正向 电流、高击穿电压及高开关速度，而4H-SiC PiN 二极管半导体器件则能很好的满足上述要 求。(4H代表碳化硅半导体材料的晶体结构类型，其中，4代表一个堆朵周期中包含的双原 子层的数目；H代表六方体结构，是英文字母Hexagonal的缩写。PiN表示半导体二极管器 件内部结构类型，具体指穿通型PN结)结边界终端对于一个高压4H_SiC PiN 二极管器件而言是十分重要的，否则因为 边界处的电场强度集中效本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种４Ｈ－ＳｉＣ　ＰＮ穿通型二极管器件，其特征在于，Ｎ型欧姆接触层、Ｎ＋４Ｈ－ＳｉＣ衬底、Ｎ－４Ｈ－ＳｉＣ外延层、Ｐ＋区域层和Ｐ型欧姆接触层依次层叠连接形成４Ｈ－ＳｉＣ　ＰＮ穿通型二极管器件本体，Ｎ型欧姆接触层和Ｐ型欧姆接触层分别与阴极和阳极相接。

【技术特征摘要】
1.一种4H-SiC PN穿通型二极管器件，其特征在于，N型欧姆接触层、N+4H-SiC衬底、 N_4H-SiC外延层、P+区域层和P型欧姆接触层依次层叠连接形成4H-SiC PN穿通型二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：张发生，
申请(专利权)人：中南林业科技大学，
类型：实用新型
国别省市：43