【技术实现步骤摘要】
本技术涉及温度测控领域，具体涉及一种利用三极管的温度特征对运放芯片内部温度的测控装置。
技术介绍
目前，我们知道三极管是一种对温度十分敏感的元件。当温度每升高1° C，W3e约下降-2 mV/° C, b值约增加0. 5%_1 %, Icbq大致将增加一倍。利用这一特征，可在精密测量电压电流时，温度的控制便显得更加重要，但在公开的技术中，没有利用三极管的温度特征同时对运放芯片内部温度进行测控装置。
技术实现思路
本技术的目的是克服了现有技术中的没有利用三极管的温度特征同时对运放芯片内部温度进行测控装置，提供了一种可对运放芯片内部温度进行测控的装置。为了解决上述技术问题，本技术是通过以下技术方案实现一种运放芯片内部温度的测控装置，包括温度采集模块、单片机、运算放大器、被测控运放芯片、数码管及旋钮，其特征在于，所述的单片机的温度输入端口与温度采集模块的信号连接；所述的单片机的显示输出端口与数码管连接；所述的单片机的温度控制端口与运算放大器的反相输入端连接；所述的单片机温度设置端口与旋钮连接；所述的被测控运放芯片包括2个或2个以上的三极管，其中运算放大器的同相输入端与被测控运放芯片中用于测量温度的三极管连接，运算放大器的输出端口与被测控运放芯片中用于控制温度的三极管连接。本技术的有益效果是本技术实现的装置能自由控制运放芯片内部温度，同时能测量运放芯片内部真实温度。可以测试芯片的精确度和工作能力，消除温度变化对该芯片造成的误差，提高芯片的安全性，该装置结构简单，易于生产。附图说明图1是本技术的运放芯片内部温度的测控装置的结构图。具体实施方式以下结合附图给出具体实施例...
【技术保护点】
１．一种运放芯片内部温度的测控装置，包括温度采集模块（１）、单片机（２）、运算放大器（３）、被测控运放芯片（４）、数码管（５）及旋钮（６），其特征在于，所述的单片机（２）的温度输入端口与温度采集模块（１）的信号连接；所述的单片机（２）的显示输出端口与数码管（５）连接；所述的单片机（２）的温度控制端口与运算放大器（３）的反相输入端连接；所述的单片机（２）的温度设置端口与旋钮（６）连接；所述的被测控运放芯片（４）包括２个或２个以上的三极管，其中运算放大器（３）的同相输入端与被测控运放芯片（４）中用于测量温度的三极管连接，运算放大器（３）的输出端口与被测控运放芯片（４）中用于控制温度的三极管连接。
【技术特征摘要】
1. 一种运放芯片内部温度的测控装置，包括温度采集模块(1)、单片机(2)、运算放大器(3)、被测控运放芯片(4)、数码管(5)及旋钮(6)，其特征在于，所述的单片机(2)的温度输入端口与温度采集模块(1)的信号连接；所述的单片机(2)的显示输出端口与数码管(5) 连接；所述的单片机( 的温度控制端...
【专利技术属性】
技术研发人员：苟刚，宋建平，姜哲，朱太宜，
申请(专利权)人：河海大学，
类型：实用新型
国别省市：84
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