阵列基板和液晶显示面板制造技术

技术编号:6722281 阅读:187 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种阵列基板和液晶显示面板。阵列基板包括衬底基板,衬底基板上形成有导电图案和绝缘层,导电图案包括横向设置的栅线、纵向设置的数据线、以及公共电极线,绝缘层包括位于数据线上层的钝化层,数据线与接口电路相连,接口电路位于数据线的末端、衬底基板第一端;栅线通过其末端的引出线与接口电路相连;栅线的引出线的扇出区域与数据线的扇出区域之间具有缝隙;位于缝隙区域的钝化层上具有第一过孔,并在缝隙区域内敷设第一透明导电膜;位于缝隙区域的公共电极线通过第一过孔与第一透明导电膜相连;位于数据线的始端、衬底基板第二端的公共电极线上设有第二过孔,并通过第二过孔与第二透明导电膜相连。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示技术,尤其涉及一种阵列基板和液晶显示面板
技术介绍
液晶显示器是目前常用的平板显示器,其中薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。阵列基板是液晶显示器的重要部分,其典型的结构包括衬底基板1,以及在衬底基 板1上形成的导电图案和绝缘层。其中的导电图案可以但不限于包括有用于为彩膜基板提 供电能的公共电极线12。以手机这种最常见的液晶显示器应用产品来说,公共电极线的走 线方式的俯视图可以如图1所示,其中,虚线框内表示公共电极线12通过封框胶内的金属 晶球为彩膜基板提供电能的区域。然而,随着手机等液晶显示屏应用产品的尺寸越做越大,单凭图1所示的虚线框 内的区域为整个应用产品提供电能,会使得彩膜基板上公共电极线的阻抗(loading)耗损 越来越大,从而使得彩膜基板中显示区域的水平颤扰(crosstalk)非常明显。
技术实现思路
本技术提供一种阵列基板和液晶显示面板,以实现在液晶显示器应用产品的 尺寸越来越大的情况下,有效降低公共电极线上的阻抗损耗,减少显示区域的水平颤扰。本技术提供一种阵列基板,包括衬底基板,所述衬底基板上形成有导电图案 和绝缘层,所述导电图案包括横向设置的栅线、纵向设置的数据线、以及公共电极线,所述 绝缘层包括位于所述数据线上层的钝化层,其中所述数据线与接口电路相连,所述接口电路位于所述数据线的末端、所述衬底基板第一端;所述栅线通过其末端的引出线与所述接口电路相连;所述栅线的引出线的扇出区域与所述数据线的扇出区域之间具有缝隙;位于所述缝隙区域的钝化层上具有第一过孔,并在所述缝隙区域内敷设第一透明 导电膜;位于所述缝隙区域的公共电极线通过所述第一过孔与所述第一透明导电膜相 连;位于所述数据线的始端、所述衬底基板第二端的公共电极线上设有第二过孔,并 通过所述第二过孔与第二透明导电膜相连。如上所述的阵列基板,其中,所述栅线的引出线从两侧分别与所述接口电路相连 时,所述缝隙区域为两个。如上所述的阵列基板,其中,所述第一端为俯视所述衬底基板时的下端,所述第二 端为俯视所述衬底基板时的上端。如上所述的阵列基板,其中,所述第一过孔为一个或多个。如上所述的阵列基板,其中,所述第二过孔为一个或多个。本技术还提供了一种液晶显示面板,包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板, 所述阵列基板和彩膜基板之间填充有液晶层,并通过封框胶彼此相连,其中所述阵列基板 采用如上所述的阵列基板;所述阵列基板上的公共电极线通过所述第一过孔、第一透明导电膜,以及第二过 孔、第二透明导电膜与封框胶接触,并通过所述封框胶与彩膜基板上的公共电极彼此相连。本技术提供的阵列基板和液晶显示面板,通过同时在阵列基板的两端利用过 孔和透明导电膜与封框胶相接触,并通过封框胶为彩膜基板提供电能,使得液晶显示器应 用产品的尺寸越来越大的情况下,有效降低公共电极线上的阻抗损耗,减少彩膜基板显示 区域的水平颤扰,提高液晶显示面板的质量。附图说明图1为现有技术中公共电极线的走线方式的俯视图;图2为本技术实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图;图3为图2中A-A处的侧视剖切结构示意图。附图标记1-衬底基板;2-栅线;5-数据线;9-钝化层;12-公共电极线; 15-封框胶;16-第一过孔;17-第一透明导电膜;40-接口电路;50-印制电路板。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新 型实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描 述的实施例是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施 例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于 本技术保护的范围。实施例一图2为本技术实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图,如图2所示,该阵列 基板包括衬底基板1,该衬底基板1上形成有横纵交叉的数据线5和栅线2,数据线5和栅 线2围设形成矩阵形式排列的像素单元;每个像素单元包括TFT开关和像素电极;TFT开 关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层;栅电极连接栅线2,源电极连接数据线5,漏电极 连接像素电极,有源层形成在源电极和漏电极与栅电极之间。上述数据线5、栅线2、TFT开 关的栅电极、源电极、漏电极和有源层,以及像素电极可统称为导电图案。为保持各导电图 案的绝缘,可将同层设置的导电图案间隔设置,或通过绝缘层间隔异层设置的导电图案,例 如,栅线2和栅电极上覆盖栅极绝缘层,与TFT开关和数据线5保持绝缘;TFT开关和数据 线5上覆盖有钝化层,与像素电极保持绝缘,像素电极可通过钝化层过孔与漏电极相连。其 中,导电图案还包括公共电极线12,该公共电极线12既可以与栅线2同层形成;也可以与 数据线5同层形成。本实施例中以公共电极线12与数据线5同层形成为例进行说明,如图2所示,公 共电极线12围设在衬底基板1的边缘,并且在衬底基板1的第一端与接口电路40相连,或 者可以通过印制电路板50与接口电路40相连。从图2中可以看出,数据线5与接口电路 40相连,该接口电路40位于数据线5的末端;栅线2通过其末端的引出线与接口电路40相 连。其中,可以将奇数的栅线2从左侧引出,将偶数的栅线2从右侧引出。也可以反过来引 出,或者全部从其中一侧引出,这里不做限定。栅线2的引出线的扇出(fanout)区域与数 据线5的扇出区域之间具有缝隙,如图2中的椭圆形虚线所示的区域。如果栅线2的引出 线从两侧分别与接口电路40相连,该缝隙区域为两个。图3为图2中A-A处的侧视剖切结 构示意图,如图3所示,位于该缝隙区域B的钝化层9上具有第一过孔16,其中,第一过孔 16可以为一个或者多个,具体的形状不做限定。并且在缝隙区域B之内,钝化层9上敷设有 第一透明导电膜17。位于该缝隙区域B的公共电极线12通过第一过孔16与第一透明导电 膜相连。同样的,如图2中的长方形虚线所示的区域,位于数据线5的始端,衬底基板1第 二端的公共电极线12上设有第二过孔,该第二过孔可以为一个或者多个,具体的形状不做 限定,公共电极线12通过该第二过孔与第二透明导电膜相连。之所以将第一过孔16和第一透明导电膜17设置在缝隙区域,是因为只有在这个 缝隙区域中设置过孔和透明导电膜不会对栅线2和数据线5造成影响,有效避免栅线2短 路的风险。正是由于这种结构,才使得阵列基板上的公共电极线12可以通过过孔、透明导电 膜与封框胶15相接触,封框胶15中的金属晶球可以将公共电极线12上的电能传递给彩膜 基板上的公共电极,使得彩膜基板可以从两端分别获得公共电极线12上的电能,有效降低 了公共电极线12上因为尺寸大距离远而导致的阻抗损耗,减少彩膜基板显示区域的水平 颤扰,提高液晶显示面板的质量。在本实施例中,第一透明导电膜17以及第二透明导电膜是透光的,所以不会影响 到与其接触的封框胶15的固化。为了更加明确第一端与第二端的具体位置,本实施例以第一端为俯视该衬底基板 1时的下端,第二端为俯视该衬底基板1时的上端为例进行说明。本实施例提供的阵列基板,通过同时在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板,包括衬底基板,所述衬底基板上形成有导电图案和绝缘层,所述导电图案包括横向设置的栅线、纵向设置的数据线、以及公共电极线,所述绝缘层包括位于所述数据线上层的钝化层,其特征在于:所述数据线与接口电路相连,所述接口电路位于所述数据线的末端、所述衬底基板第一端;所述栅线通过其末端的引出线与所述接口电路相连;所述栅线的引出线的扇出区域与所述数据线的扇出区域之间具有缝隙;位于所述缝隙区域的钝化层上具有第一过孔,并在所述缝隙区域内敷设第一透明导电膜;位于所述缝隙区域的公共电极线通过所述第一过孔与所述第一透明导电膜相连;位于所述数据线的始端、所述衬底基板第二端的公共电极线上设有第二过孔,并通过所述第二过孔与第二透明导电膜相连。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,包括衬底基板,所述衬底基板上形成有导电图案和绝缘层,所述导电 图案包括横向设置的栅线、纵向设置的数据线、以及公共电极线,所述绝缘层包括位于所述 数据线上层的钝化层,其特征在于所述数据线与接口电路相连,所述接口电路位于所述数据线的末端、所述衬底基板第一端;所述栅线通过其末端的引出线与所述接口电路相连;所述栅线的引出线的扇出区域与所述数据线的扇出区域之间具有缝隙;位于所述缝隙区域的钝化层上具有第一过孔,并在所述缝隙区域内敷设第一透明导电膜;位于所述缝隙区域的公共电极线通过所述第一过孔与所述第一透明导电膜相连; 位于所述数据线的始端、所述衬底基板第二端的公共电极线上设有第二过孔,并通过 所述第二过孔与第二透明导电膜相连。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:祁小敬谭文
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司成都京东方光电科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:11

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