放射线检测器制造技术

本发明专利技术提供放射线检测器。该放射线检测器包括：波长转换单元，其将照射的放射线转换成具有第二波长的放射线；第一基板，其具有第一表面和第二表面；放射线检测像素，其按矩阵状排列在所述第一表面上，累积由于具有所述第二波长的放射线的照射而产生的电荷，并且包括用于读出所述电荷的开关元件；扫描线，其设置在所述第一表面上，对设置在各放射线检测像素中的各开关元件进行开关的控制信号流过所述扫描线；信号线，其设置在所述第一表面上，与在各放射线检测像素中累积的电荷相对应的电信号流过所述信号线；以及第二基板，其设置在所述第二表面上，包括由于具有所述第二波长的放射线的照射而产生电荷的放射线照射检测传感器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及放射线检测器。本专利技术尤其涉及这样的放射线检测器其包括按矩阵 状排列的多个像素，累积由于放射线照射所产生的电荷，并且检测所累积的电荷量作为代 表图像的信息。
技术介绍
近年来，采用FPD (平板检测器)等的放射线检测器(放射线检测元件)的放射线 图像成像装置(放射线图像检测装置)已经投入到实际使用。这样的放射线检测器具有设 置在TFT (薄膜晶体管)有源矩阵基板上的X射线敏感层，并且能够直接将X射线信息转换 成数字数据。与先前的成像板相比，这样的FPD具有如下的优点可以更即时地检查图像并 且还可以检查视频图像。因此，FPD得到了快速引入。对于这样的放射线检测元件，提出了各种类型。例如，存在在半导体层中直接将放 射线转换为电荷并且累积电荷的直接转换型放射线检测元件。还存在这样的间接转换型放 射线检测元件其首先用诸如CsI:Tl、GOS(Gd2AS:Tb)等的闪烁器将放射线转换成光，然后 在半导体层中将转换后的光转换成电荷，并且累积电荷。已知这样的技术使用检测总放射线照射量的AEC传感器来控制照射放射线的放 射线源(例如，参见日本特许4217506号公报)。在日本特许4217506号公报中所描述的技 术中，在第一放射线转换元件(放射线检测元件)之间的间隙中形成AEC传感器(第二放 射线转换元件)。在日本特许4217506号公报中所描述的技术中，在与形成第一放射线检测 元件的基板相同的基板上形成AEC传感器。根据日本特许4217506号公报中所描述的技术，AEC传感器并入在按矩阵状排列 第一放射线检测元件(它们是昂贵的部件)的基板中。因此，当在AEC传感器或其线路中出 现制造缺陷时，各个基板就变为有缺陷的基板。即，当在AEC传感器或其线路中出现制造缺 陷时，即使在按矩阵状排列的第一放射线转换元件中未出现制造缺陷，也需要废弃各基板。 因此，在日本特许4217506号公报中所描述的技术中，可能格外地增加了制造成本。当完成 了基板的生产时，对并入了 AEC传感器并且按矩阵设置有第一放射线转换元件的基板执行 发货检查。由于这个原因，通过下面的表达式可以代表基板的成品率。成品率=第一放射线转换元件的成品率XAEC传感器的成品率
技术实现思路
本专利技术提供了可以降低制造成本的放射线检测器。本专利技术的第一方面是一种放射线检测器，该放射线检测器包括波长转换单元，其 将所照射的具有第一波长的放射线转换成具有第二波长的放射线；第一基板，其具有第一 表面和不同于所述第一表面的第二表面；多个放射线检测像素，其按矩阵状排列在所述第 一表面上，累积由于具有所述第二波长的放射线的照射而产生的电荷，并且包括用于读出 所累积的电荷的开关元件；多条扫描线，其设置在所述第一表面上，对设置在各放射线检测像素中的各开关元件进行开关的控制信号流过所述多条扫描线；多条信号线，其设置在所 述第一表面上，根据各开关元件的开关状态，与在各放射线检测像素中累积的电荷相对应 的电信号流过所述多条信号线；以及第二基板，其设置在所述第一基板的所述第二表面上， 包括多个放射线照射检测传感器，所述多个放射线照射检测传感器由于照射到所述第一表 面上并且从所述第二表面出射的具有所述第二波长的放射线的照射而产生电荷。要注意的是，放射线照射检测传感器可以设置在第二基板的一部分上，或者可以 设置在第二基板的整个表面上。根据本专利技术的第一方面，放射线检测像素和放射线照射检测传感器分别设置在不 同的基板上。因此，在第一方面中，放射线检测像素的成品率和放射线照射检测传感器的成 品率可以彼此独立。因此，在第一方面中，当在放射线照射检测传感器中出现制造缺陷时， 仅第二基板可能变为有缺陷的基板，而第一基板不变为有缺陷的基板。即，在第一方面中， 即使在放射线照射检测传感器中出现制造缺陷，也不废弃按矩阵状排列有多个放射线检测 像素的第一基板。因此，根据第一方面，可以降低制造成本。根据第一方面，放射线照射检测传感器不设置在放射线检测像素之间。因此，与 AEC传感器(第二放射线转换元件)形成在第一放射线转换元件(放射线检测元件)之间 的间隙中的现有技术相比，在第一方面中可以扩大放射线检测像素的有效检测区域。因此， 根据第一方面，可以改善本示例性实施方式中的放射线检测精度。根据本专利技术的第一方面，设置有多个放射线照射检测传感器的第二基板设置在第 一基板的第二表面侧上。因此，在第一方面中，接收的具有第二波长的放射线(如，光)的量 可以大于在AEC传感器形成于放射线检测TFT之间的间隙中的情况下的放射线量。结果， 根据本专利技术的第一方面，检测灵敏度变高。当AEC传感器形成在TFT的间隙中时，通过面积 比设置了 AEC传感器的间隙小的AEC传感器的传感器单元来接收具有第二波长的放射线。 同时，在本专利技术的第一方面中，AEC传感器设置在TFT的顶面上。因此，根据第一方面，AEC 传感器可以设置在TFT的整个间隙中，并且可以大量接收从间隙泄露并且出射的具有第二 波长的放射线。根据本专利技术的第一方面，由放射线检测像素和放射线照射检测传感器来检测由相 同的波长转换单元转换后的光。因此，在本专利技术的第一方面中，与由外部AEC传感器检测放 射线的情况相比，可以减小基于照射条件的像素检测和放射线照射量检测之差。本专利技术的第二方面是一种放射线检测器，该放射线检测器包括波长转换单元， 其具有第一表面和第二表面，将照射的具有第一波长的放射线转换成具有第二波长的放射 线，并将具有所述第二波长的放射线从两个表面出射；第一基板，其设置在所述波长转换单 元的所述第一表面上；多个放射线检测像素，其按矩阵状排列在所述第一基板上，累积由 于从所述波长转换单元的所述第一表面出射并具有所述第二波长的放射线的照射而产生 的电荷，并且包括用于读出所累积的电荷的开关元件；多条扫描线，其设置在所述第一基 板上，对设置在各放射线检测像素中的各开关元件进行开关的控制信号流过所述多条扫描 线；多条信号线，其设置在所述第一基板上，根据各开关元件的开关状态，与在各放射线检 测像素中累积的电荷相对应的电信号流过所述多条信号线；以及第二基板，其设置在所述 波长转换单元的所述第二表面上，包括多个放射线照射检测传感器，所述多个放射线照射检测传感器由于从所述波长转换单元的所述第二表面出射的具有所述第二波长的放射线 的照射而产生电荷。S卩，放射线照射检测传感器可以设置在第二基板的一部分上，或者可以设置在第 二基板的整个表面上。根据本专利技术的第二方面，放射线检测像素和放射线照射检测传感器分别设置在不 同的基板上。因此，在第二方面中，放射线检测像素的成品率和放射线照射检测传感器的成 品率可以彼此独立。因此，在第二方面中，当在放射线照射检测传感器中出现制造缺陷时， 仅第二基板可能变为有缺陷的基板，而第一基板不变为有缺陷的基板。即，在第二方面中， 即使在放射线照射检测传感器中出现制造缺陷，也不废弃按矩阵状排列有多个放射线检测 像素的第一基板。因此，根据第二方面，可以降低制造成本。根据第二方面，放射线照射检测传感器不设置在放射线检测像素之间。因此，与 AEC传感器(第二放射线转换元件)形成在第一放射线转换元件(放射线检测元件)之间 的间隙中的现有技术相比，在第二方面中可以扩大放射线检本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种放射线检测器，该放射线检测器包括：波长转换单元，其将所照射的具有第一波长的放射线转换成具有第二波长的放射线；第一基板，其具有第一表面和不同于所述第一表面的第二表面；多个放射线检测像素，其按矩阵状排列在所述第一表面上，累积由于具有所述第二波长的放射线的照射而产生的电荷，并且包括用于读出所累积的电荷的开关元件；多条扫描线，其设置在所述第一表面上，对设置在各放射线检测像素中的各开关元件进行开关的控制信号流过所述多条扫描线；多条信号线，其设置在所述第一表面上，根据各开关元件的开关状态，与在各放射线检测像素中累积的电荷相对应的电信号流过所述多条信号线；以及第二基板，其设置在所述第一基板的所述第二表面上，包括多个放射线照射检测传感器，所述多个放射线照射检测传感器由于照射到所述第一表面上并且从所述第二表面出射的具有所述第二波长的放射线的照射而产生电荷。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：冈田美广，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：JP