本发明专利技术公开了一种Cu2ZnSnSe4纳米材料及其制备方法与应用。该方法，包括下述步骤：将含铜化合物、含锌化合物、含锡化合物及油胺混匀后，加热升温至终温保温，同时用惰性气体排除所述反应体系中的氧气和水；在所述混匀步骤之前或所述加热升温步骤中向反应体系中加入含硒化合物的溶液，反应完毕后得到所述Cu2ZnSnSe4纳米材料。本发明专利技术利用常规的反应物可制备出均匀的Cu2ZnSnSe4纳米材料，而且利用制备的Cu2ZnSnSe4纳米材料和P3HT制备的复合材料表现出优异的光电性能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及Cu2ZnSnSi54纳米材料及其制备方法与应用。
技术介绍
太阳能是一种取之不尽，用之不竭，无污染的可再生能源，如何利用太阳能成为了 当今一大研究课题。在太阳能的有效利用中，光伏发电是近些年来发展最快、最具活力的研 究领域。高的光电转换效率和低的生产成本是太阳能光电工业和研究界始终追求的目标， 为了达到这个目标，利用高效率低成本的光电转换材料是非常重要的。多晶半导体的研究是为了研制一种高效率、稳定性好、低成本的新材料，作为太阳 电池半导体材料必须具有合适的禁带宽度，能有效地吸收太阳光，并可以形成在太阳能转 换中控制光电子形成的异质结。CulnSe52是一种最具发展前景的太阳能电池光吸收材料，基 于Culnk2的太阳能电池的转换效率已经达到20%。然而，金属铟属于稀有贵金属，这大 大限制了 Culnk2太阳能电池的大规模商业化应用，因此，开发替代铟的新型高效太阳能电 池材料尤为必要。Cu2ZnSnSi54是最近报道的直接带隙半导体材料，带隙为ljeV，适合于太 阳光的光电转换要求；而且具有非常高的光吸收系数(达IO5CnT1)，因此受到光伏界广泛关 注。由于铜源、锌源和锡源的反应活性有较大差异，并且常作为硒源的单质硒在一般 溶解中的溶解性极差，所以制备高质量的纳米Cu2ZnSnSi54M料具有极大的难度。因此， 目前研究的焦点大都集中制备高结晶度，单分散的纳米Cu2ZnSnSe54材料。目前关于纳米 Cu2ZnSnSi54材料的制备仅有一篇相关报道，其制备出的产物中，锌的含量较少，而锡的含 量较高。众所周知，结构和成分对材料的性质具有重大的影响，因此制备化学计量比的 Cu2ZnSnSe4纳米材料在实际应用中具有重要的意义。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种Cu2ZnSnSi54纳米材料及其制备方法与应用。本专利技术提供的制备Cu2ZnSnSi54纳米材料的方法，包括下述步骤将含铜化合物、含 锌化合物、含锡化合物及油胺混勻后，加热升温至终温保温，同时用惰性气体排除所述反应 体系中的氧气和水；在所述混勻步骤之前或所述加热升温步骤中向反应体系中加入含硒化 合物的溶液，反应完毕后得到所述Cu2ZnSnSi54纳米材料。该方法具体可为下述方法a或方法b 所述方法a为将含铜化合物、含锌化合物、含锡化合物、油胺和含硒化合物的溶 液混勻后，加热升温至终温保温，同时用惰性气体排除所述反应体系中的氧气和水，再升温 至反应温度进行反应，反应完毕后得到所述Cu2ZnSnSi54纳米材料。所述方法b为将含铜化合物、含锌化合物、含锡化合物及油胺混勻后，加热升温 至终温保温，同时用惰性气体排除所述反应体系中的氧气和水，在所述加热升温步骤中向 反应体系中加入含硒化合物的溶液，反应完毕后得到所述Cu2ZnSnSi54纳米材料。上述方法中，所述含铜化合物选自油酸铜、氯化铜、氯化亚铜和醋酸铜中的至少一 种，优选油酸铜，所述含锌化合物选自氯化锌、油酸锌和醋酸锌中的至少一种，优选油酸锌， 所述含锡化合物选自氯化锡、辛酸亚锡、草酸亚锡和醋酸锡中的至少一种，优选辛酸亚锡； 所述惰性气体选自氮气、氩气、氦气和二氧化碳中的至少一种；油胺为反应溶剂，其用量以 完全溶解反应物即可。所述含硒化合物的溶液中，溶剂选自油胺、甲苯、正己烷中的至少一 种，优选甲苯，所述含硒化合物选自二苯基二硒醚、硒脲和单质硒中的至少一种，优选二苯 基二硒醚。所述含铜化合物中的铜元素、所述含锌化合物中的锌元素、所述含锡化合物中的 锡元素与所述含硒化合物的硒元素的摩尔比为2 1 1 4。所述加热升温步骤中，分两步加热升温，每步加热升温步骤中，升温速率均为 1-500C /min，具体可为 10-25°C /min、10-45°C /min 或 25_45°C /min，第一步加热升温步 骤的终温优选为60°C，第二步加热升温的终温为60-160°C，具体可为80-110°C、80-150°C 或110-150°C，每一步的保温时间均为0. 5-3小时，具体可为0. 5-1小时、0. 5-2小时或1-2 小时；所述用惰性气体排除所述反应体系中的氧气和水的步骤中，时间为1-6小时，具体为 1-2小时、1-4小时或2-4小时。由所述加热升温步骤的终温升温至反应步骤的温度时，升 温速率为l-50°C/min ；所述反应步骤中，温度为130_280°C，具体为190_270°C、190-255°C、 190-205 "C >190-240 "C >205-240 "C >240-255 "C >240-270 "C >205-255 "C >205-270 V 或 255-270°C，时间为0. 5-3小时，具体为1-3小时或0. 5-1小时。所述方法还包括如下步骤在所述反应完毕后，用有机溶剂对反应产物进行洗涤； 所述有机溶剂选自甲苯、氯仿、正己烷、甲醇、乙醇和异丙醇中的至少一种。按照上述方法制备所得Cu2ZnSnSi54纳米材料，也属于本专利技术的保护范围。该 Cu2ZnSnSe4纳米材料的粒径为5-200纳米，优选10-21纳米，具体可为20-21纳米、18-21纳 米或18-20纳米。另外，本专利技术提供的Cu2ZnSnSi54纳米材料与聚3_己基噻吩(P3HT)混合得到的复 合材料，也属于本专利技术的保护范围。该复合材料中，所述Cu2ZnSnSi54纳米材料与P3HT的质 量比为0.1-2 1，具体为0.4-1 1。该聚3-己基噻吩的数均分子量优选为20000，重均 分子量优选为33000。本专利技术提供了一种低成本制备高质量Cu2ZnSnSe54纳米材料的方法。该方法的突出 优点在于没有使用特殊的昂贵的仪器，没有使用难于制备的前驱物，工艺条件相对简单， 大大降低了生产成本；并且制备了近单分散的Cu2ZnSnSe54纳米材料，具有重要的应用价值。附图说明图1为实施例1中Cu2ZnSnSi54纳米材料的X射线衍射图谱(XRD)。图2为实施例1中Cu2ZnSnSi54纳米材料的透射电子显微镜照片。图3为实施例1中Cu2ZnSnSi54纳米材料和P3HT复合材料的光电开关特性曲线。图4为实施例2中Cu2ZnSnSi54纳米材料的X射线衍射图谱(XRD)。 图5为实施例2中Cu2ZnSnSi54纳米材料的透射电子显微镜照片。图6为实施例2中Cu2ZnSnSi54纳米材料和P3HT复合材料的光电开关特性曲线。图7为实施例3中Cu2ZnSnSi54纳米材料的X射线衍射图谱(XRD)。图8为实施例3中Cu2ZnSnSi54纳米材料的透射电子显微镜照片。图9为实施例3中Cu2ZnSnSi54纳米材料和P3HT复合材料的光电开关特性曲线。具体实施例方式下面结合具体实施例对本专利技术作进一步说明。下述实施例中所述实验方法，如无 特殊说明，均为常规方法；所述试剂和材料，如无特殊说明，均可从商业途径获得。下述实施 例中所用油酸锌可按照如下方法制备而得取SiCl2(40mmo)和油酸钠(SOmmol)溶解在由 80ml乙醇、60ml水和140ml正己烷组成的混合溶液中，加热到70°C反应4小时，然后将上层 的含有油酸锌的有机溶液分离出来，用30ml水洗三次，最后本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种制备Ｃｕ２ＺｎＳｎＳｅ４纳米材料的方法，包括下述步骤：将含铜化合物、含锌化合物、含锡化合物及油胺混匀后，加热升温至终温保温，同时用惰性气体排除所述反应体系中的氧气和水；在所述混匀步骤之前或所述加热升温步骤中向反应体系中加入含硒化合物的溶液，反应完毕后得到所述Ｃｕ２ＺｎＳｎＳｅ４纳米材料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：万立骏，王建军，郭玉国，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：11
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