用于结温度估计的自校准电路和方法技术

本发明专利技术涉及用于校准半导体元件的结温度测量的校准电路、计算机程序产品和方法，其中测量半导体元件和参考温度传感器的结处的相应正向电压，并且通过使用参考温度传感器确定绝对周围温度，基于绝对周围温度和测量正向电压预测半导体元件的结温度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于校准半导体元件的结温度测量的校准电路、方法和计算机程序产品，半导体元件例如但不限于发光二极管(LED)。
技术介绍
高亮度LED正越来越广泛地用作交通灯、机动车内外照明、布告板和其他应用的光源。硅LED芯片的光输出不仅依赖于芯片尺寸和工艺，还依赖于LED的结温度。通过保持低的结温度，可以以两倍或三倍的电流驱动LED，从而在延长LED寿命的同时产生两倍或三倍的光输出。结温度以多种方式影响LED和激光二极管性能。光输出中心波长、光谱、功率值和二极管可靠性都直接依赖于结温度。因此，二极管本身的热设计和它的封装变得对器件的整体性能至关重要。验证热设计和组件可重复性需要测量结温度的能力。如果已知LED结处的温度Tjm。ti。n，则可以精确控制LED性能。LED的结温度Tjunctim 可以使用以下公式在小驱动电流(例如10 μ A量级)下基于LED的正向电压Vf来确定Tjunction 一 TEef+ (Vf_meosured_Vf_Eef) /Tcoeff (1)其中，TKef (°C )是参考温度，V0ef(V)是LED在参考温度和相同驱动电流下的正向电压，Tcoeff (V/0C )是温度系数，该温度系数将LED正向电压的改变与其结温度的改变联系起来。图2示出了示例性LED的正向电压Vf与结温度Tjunetim之间的关系的示意图。从图2所示的线性关系可以清楚地看出，为了能够精确地确定LED的结温度，必须知道参考温度TKrf、正向电压Vfjtef和温度系数Tareff的值。可以在实验室条件下针对某种类型的LED预先确定这些参数。但是，参考值的预先确定增加了 LED或LED设备制造商的成本、人力和复杂度。US 7，052，180公开了一种LED结温度测试器，其通过利用通过LED驱动的正向电流、LED的正向电压和结温度之间的线性关系来直接测量LED结温度，以确定LED结温度。 通过将两个同族LED置于周围温度下，使小测试电流流过每个LED以获得周围温度下的LED 的正向电压，来进行校准。然后，将被测LED置于温度高于周围温度已知量的环境受控箱内。已知的高压和低压值与周围温度和环境箱温度相关联，使得被测LED变为经校准的温度计，然后可以根据正向电压与结温度之间的线性关系测量其自身的结温度。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供与诸如LED等半导体元件一起使用的校准电路和方法，用于精确和快速的结温度测量。在本专利技术的第一方面中，提供了一种校准半导体元件的结温度测量的方法，所述方法包括测量所述半导体元件和参考温度传感器的结处的相应正向电压；通过使用所述参考温度传感器确定绝对周围温度；以及基于所述绝对周围温度和测量正向电压预测所述半导体元件的所述结温度。在本专利技术的另一方面中，提供了一种用于校准半导体元件的结温度测量的校准电路，所述校准电路包括参考温度传感器，用于测量绝对周围温度；电压测量装置，用于测量所述半导体元件和所述参考温度传感器的相应结处的正向电压；以及预测装置，用于基于所述绝对周围温度和测量正向电压预测所述半导体元件的所述结温度。从属权利要求中限定了本专利技术的优选实施例。应当理解，两个独立权利要求的特征具有相似和/或相同的优选实施例，如在从属权利要求中限定的那样。因此，可以提供具有精确快速的LED结温度测量能力的免校准LED驱动器，其中可以使驱动器集成电路(IC)独立于LED类型制造商和LED年龄和/或性质变化。可以从测量绝对周围温度和半导体元件和参考温度传感器处的测量正向电压预测结温度。该确定操作可以包括基于比例-绝对温度测量原理直接测量绝对周围温度。此外，可以在半导体元件的校准阶段期间，在至少两个不同温度下执行测量和确定步骤。在示例性实施例中，可以在半导体元件的关闭时间期间提供校准阶段。可以将参考温度传感器放置在与半导体元件具有实质上相同的周围温度的地方。 在具体实施例中，参考温度传感器可以放置在半导体元件(例如LED)的校准电路中。参考温度传感器可以包括二极管。此外，可以提供电流源，以产生测量电流提供给上述半导体元件和所述参考温度传感器，以允许基于比例-绝对温度测量原理直接测量绝对周围温度。此外，校准电路适于在至少两个不同温度下提供正向电压和绝对周围温度。校准电路可以布置为单独提供给半导体元件的单个芯片或芯片组，或者与半导体元件集成在同一芯片或芯片组上。此外，校准电路可以包括受软件例程控制的微处理器，其中软件例程包括代码装置，用于当在计算设备(例如在校准电路中提供的处理器)上运行时执行上述方法步骤。附图说明通过附图和示例进一步描述本专利技术，所述附图和示例不意在限制本专利技术的范围。 本领域技术人员将理解，可以组合多个实施例。参考下文描述的实施例，本专利技术的这些和其他优点将更加清楚。在附图中图1示出了根据实施例的校准系统的示意框图；图2示出了依赖于LED结温度的正向电压的示例的示意图；图3示出了根据实施例的校准过程的示意性流程图。具体实施例方式图1示出了根据实施例的自校准电路30的示意性框图。自校准电路30连接到LED 20，以控制校准工艺。针对温度感测的LED 20的自动校准是通过使用校准电路30中的标准内置温度传感器35实现的。围绕LED 20和校准电路30的虚线框指示公共周围环境10，其确保LED20和校准电路30实质上处于相同温度下。此外，校准电路30包括电流源(CS) 32、电压测量块(VM) 33、和具有用于存储测量参考值的嵌入式存储器的微控制器或微处理器(μ P) 34。电流源32被配置为向LED 20和参考温度传感器(T) 35 (例如二极管)提供测量电流。如果使用二极管作为参考温度传感器35，则允许根据以下公式，基于比例-绝对(proportional-to-absolute)温度(PTAT)测量原理来进行绝对周围温度的直接测量权利要求1.一种校准半导体元件00)的结温度测量的方法，所述方法包括测量所述半导体元件OO)和参考温度传感器(3 的结处的相应正向电压；通过使用所述参考温度传感器(3 确定绝对周围温度；以及基于所述绝对周围温度和测量正向电压预测所述半导体元件OO)的所述结温度。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述确定步骤包括基于比例-绝对温度测量原理进行所述绝对周围温度的直接测量。3.根据权利要求1或2所述的方法，还包括在所述半导体元件OO)的校准阶段期间在至少两个不同周围温度下执行所述测量和确定步骤。4.根据权利要求3所述的方法，还包括在所述半导体元件OO)的关闭期间提供所述校准阶段。5.根据前述任一权利要求所述的方法，还包括在与所述半导体元件具有实质上相同周围温度的地方布置所述参考温度传感器(35)。6.根据权利要求5所述的方法，还包括在所述半导体元件(20)的校准电路中布置所述参考温度传感器(35)7.根据前述任一权利要求所述的方法，其中所述半导体元件是发光二极管00)。8.根据前述任一权利要求所述的方法，其中所述参考温度传感器包括二极管(35)。9.一种用于校准半导体元件OO)的结温度测量的校准电路，所述校准电路(30)包括参考温度传感器(35)，用于测量绝对周围温度；电压测量装置(33)，用于测量所述半导体元件OO)和所述参考温度传感器(3 的相应结处的正向电本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种校准半导体元件（２０）的结温度测量的方法，所述方法包括：测量所述半导体元件（２０）和参考温度传感器（３５）的结处的相应正向电压；通过使用所述参考温度传感器（３５）确定绝对周围温度；以及基于所述绝对周围温度和测量正向电压预测所述半导体元件（２０）的所述结温度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：菲特·恩古耶恩霍安，帕斯卡尔·贝思肯，拉杜·苏尔代亚努，伯努特·巴泰娄，戴维·范斯滕温克尔，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL