配向膜修补设备及其修补方法技术

本发明专利技术公开一种配向膜修补设备，所述配向膜修补设备包括一检测装置及一等离子装置。所述检测装置用于检测一配向膜的边缘区域，以定义出至少一缺陷区域。所述等离子装置用于对所述配向膜的所述至少一缺陷区域产生等离子反应以去除所述至少一缺陷区域。本发明专利技术还公开一种利用所述配向膜修补设备的修补方法，通过所述检测装置配合等离子装置局部的去除配向膜的所述至少一缺陷区域，解决了现有的配向膜制程仅能通过剥膜液洗去整个配向膜的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种适用于 液晶显示面板的。
技术介绍
配向膜用于施予液晶分子朝配向的方向排列，使得液晶显示面板中的液晶分子拥 有一致的方向性，或是定向排列。当电场驱动液晶分子动作时，全部或局部的液晶分子需要 有同步且一贯性的动作，使得显示动作能快速且一致。新一代的配向膜涂布技术是以喷墨(Inkjet)印刷的方式，使聚酰亚胺 (polyimide, PI)液覆盖在薄膜晶体管基板或是彩色滤光基板上，经过扩散达到成膜的效 果。此成膜技术的最大制程问题来自于PI在边缘扩散时的状态不佳。在边缘PI液会流到 没有涂布的地方，使得PI液滴融合后直线性不佳，易呈现波浪状(Edge Wave)。现有改良 Edge Wave方法是以液滴的大小进行改善。以DPI (dots per inch)来做为一个衡量指标， DPI (dots per inch)越高，达成的直线性就越高。具体上即采用较小的PI液滴并以较密 集的排列达成较高的DPI，实际仍须视边缘液滴扩散的状况而有所不同，影响因素有液滴吐 出大小、基板表面状况及环境温湿度等等，难以有效稳定控制。另外，因边缘干燥速度不 同，使得在边缘会形成膜厚不均区域，称之为Halo area或Edge area。此Halo area若位 于显示区(Active area)，则将于25%灰阶下的画面边缘会有明显偏白的现象，因此判定为 报废等级。由于上述现象与PI材料粘度息息相关，粘度越高，越能抑制Halo area，但反而 容易造成喷墨头的吐出困难以及PI液滴扩散不均的缺点。上述现象经过烘烤加热后，会在配向膜检查设备中检查出来，当检查设备判定不 符合所需之规格时，则会将此等基板排出，并进行一全面性的膜剥离步骤。所述膜剥离步骤 即将含有上述配向膜之薄膜晶体管基板或是彩色滤光基板送至配向膜剥膜装置，以剥膜液 洗去配向膜。最后，再重复喷墨印刷方式于此基板重新涂布一配向膜。然而，在前述的方法中，将配向膜先移除再重新涂布一次的方式，相当花费时间， 并且造成更多材料以及能源的损耗或浪费，使得成本提高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种配向膜修补设备，其通过一检测装置配合 一等离子装置局部的去除配向膜的边缘区域，以解决上述问题。本专利技术的另一目的在于提供一种配向膜修补方法，所述配向膜修补方法利用本发 明的配向膜修补设备，以执行配向膜的局部修补，并改良现有的修补流程。为达上述的目的，本专利技术采取以下技术方案。即本专利技术的配向膜修补设备包括一 检测装置及一等离子装置。所述检测装置用于检测一配向膜的边缘区域，以定义出至少一 缺陷区域。所述等离子装置用于对所述配向膜的所述至少一缺陷区域产生等离子反应以去 除所述至少一缺陷区域。具体而言，等离子装置包括一反应气体供应装置及一等离子喷头。所述反应气体供应装置用于供给一反应气体，且所述等离子喷头用于喷出所述反应气体在 所述配向膜的所述至少一缺陷区域上。更进一步的说，所述等离子喷头包括一等离子喷出口以及一框体。所述等离子喷 出口用于喷出所述反应气体。所述框体用于界定出所述等离子喷出口，并限制所述反应气 体的喷出范围。此外，所述反应气体的喷出范围是对应于所述缺陷区域的大小而设定。进 一步的说，所述喷出范围的大小可根据所述等离子喷头与所述配向膜之间的距离而设定。 优选的，所述喷出范围为矩形，且所述喷出范围的大小介于0. 1平方毫米到100平方毫米之 间。在一较佳实施例中，所述等离子装置包括一终点侦测装置，用于停止等离子的反 应。 在一较佳实施例中，所述等离子装置设置在所述检测装置上。为达上述的另一目的，本专利技术另提供一种配向膜修补方法。所述配向膜修补方法 用于修补一配向膜的边缘区域。所述方法包含下列步骤(A)采用一检测装置检测所述配向膜的边缘区域，以判断是否有缺陷，如有，则定 义出至少一缺陷区域；以及(B)采用一等离子装置对所述配向膜的所述至少一缺陷区域产 生等离子反应以去除所述至少一缺陷区域。在本专利技术另一较佳实施例中，在步骤(B)之后，所述方法还包括步骤(C)判断修补 后的所述配向膜是否合格，如果是，则进行后烘使所述配向膜固化，如果否，则以一剥膜液 洗去所述配向膜。根据本专利技术，通过所述检测装置配合等离子装置局 部的去除配向膜的至少一缺陷区域，解决了现有的配向膜制程仅能通过剥膜液洗去整个配 向膜，无法进行局部修补的问题。此外，所述等离子装置还可装设于检测装置上，在检测过 程中即可利用等离子装置对所述至少一缺陷区域做去除，改良了现有的修补流程。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，幷配合所附图式，作 详细说明如下附图说明图1为本专利技术较佳实施例的配向膜修补设备的修补示意图。图2为图1的配向膜修补示意俯视图。图3为图2的等离子喷头沿AB连线的剖面示意图。图4为本专利技术较佳实施例的配向膜修补方法的流程图。具体实施例方式本专利技术说明书提供不同的实施例来说明本专利技术不同实施方式的技术特征。其中， 实施例中的各组件的配置是为清楚说明本专利技术揭示的内容，并非用以限制本专利技术。且不同 实施例中图式标号的部分重复，是为了简化说明，并非意指不同实施例之间的关联性。请参照图1，图1为本专利技术较佳实施例的配向膜修补设备的修补示意图。本较佳 实施例的配向膜修补设备包含一检测装置100以及一等离子装置200。配向膜300的溶液 透过喷墨(Inkjet)印刷的方式，使液滴覆盖在一薄膜晶体管基板或是一彩色滤光基板上，经过扩散达到成膜的效果。其中所述配向膜300的溶液较佳为聚酰亚胺(p0lyimide，PI)。 在此较佳实施例中，配向膜300覆盖在一薄膜晶体管基板400，所述薄膜晶体管基板400包 含一玻璃基板420及一薄膜晶体管层440。请参照图1及图2，图2为图1的配向膜修补示意俯视图。本专利技术的配向膜修补 设备用于修补一配向膜300的边缘区域，例如Edge Wave (如图2所示)、Halo area(如图 1所示)或两者皆有。所述检测装置100较佳为一检查机(Inspection)，包括一图像传感器120与一对 位装置140。所述图像传感器120架设于所述对位装置140上，用于检测所述配向膜的缺 陷。在本实施例中，所述检测装置100用于检测所述配向膜300的边缘区域，以定义出至少 一缺陷区域320 (如图2所示)。所述图像传感器较佳为一 CXD图像传感器或CMOS图像传 感器。所述对位装置140较佳为十字对位机台，用于移动所述图像传感器120到所需的位 置，以进行检测。所述等离子装置200用于对所述配向膜300的所述至少一缺陷区域320产生等离 子反应，以去除所述至少一缺陷区域320。具体来说，所述等离子装置200包括一反应气体 供应装置(未图示)及一等离子喷头250。所述反应气体供应装置用来提供一反应气体， 所述反应气体包括02、SF6、N2、He等。所述等离子喷头250用于喷出所述反应气体在所述配 向膜300的所述至少一缺陷区域320上(如图2的喷出范围322所示)上，以对所述所述 至少一缺陷区域320进行等离子蚀刻/灰化。所述等离子装置200较佳可设置在所述检测 装置100上，进行检查后立即进行修补。因此，所述等离子喷头250还可配合所述对位装置 1本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种配向膜修补设备，其特征在于，包括：一检测装置，用于检测一配向膜的边缘区域，以定义出至少一缺陷区域；以及一等离子装置，用于对所述配向膜的所述至少一缺陷区域产生等离子反应以去除所述至少一缺陷区域。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：施翔尹，贺成明，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：94