【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种微型集成温控式ＣＯ↓［２］气体传感器，其特征在于，在硅基片上，双面沉积Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］层，在硅基片的其中一面通过干法刻蚀掉Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］层，再湿法刻蚀出散热窗结构，在硅基片的另一面的Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］层上采用光刻、剥离工艺加工出Ｐｔ加热电极和Ｐｔ测温电极，然后沉积ＳｉＯ↓［２］绝缘保护层将Ｐｔ加热电极和Ｐｔ测温电极覆盖，并露出接线盘；然后在ＳｉＯ↓［２］绝缘保护层上沉积Ｌｉ↓［３］ＰＯ↓［４］固体电解质薄膜，并于其上制备出两个Ｐｔ导电薄膜，最后在一个Ｐｔ导电薄膜上制备出反应电极，在另一个Ｐｔ导电薄膜上制备出参比电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王海容，任军强，蒋庄德，孙国良，岑迪，门光飞，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：87
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