本文公开了一种用于ZnO压敏电阻性能评价的无损检测方法，ZnO压敏电阻的性能通常是通过对其小电流特性、非线性系数、电位梯度的测试来评价。本发明专利技术是通过使用介电谱对ZnO压敏电阻的介电性能进行测量的方法，从介电损耗以及其微观结构缺陷活化能的观点来评价ZnO压敏电阻性能的好坏。本发明专利技术是一种无损伤的测量，不仅可以用于评价ZnO压敏电阻性能的优劣，还可以对其配方和制作过程的优化有一定指导意义。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于评价aio电阻性能优劣的无损检测方法，特别涉及一种结合 ZnO压敏电阻介电谱松弛过程的评价方法。
技术介绍
评价ZnO压敏电阻性能优劣的常用方法是对其小电流特性、非线性特性、电位梯 度进行测量，但即使ZnO压敏电阻的小电流特性、电位梯度、非线性系数等电性能满足产品 要求，这种ZnO压敏电阻也不一定能够很好的被利用，往往由于受到大电流冲击或者通流 时发热量太大而引起爆炸、火灾等。因此，就需要有更好的测试方法来对ZnO压敏电阻性能 的优劣进行表征。目前，关于对ZnO压敏电阻进行介电谱测试的研究主要集中在对其缺陷种类的分 析以及其松弛机制上，而通过从ZnO压敏电阻高温损耗峰的存在与否以及不同温度下其缺 陷结构松弛活化能的大小来表征其性能优劣的公开报道还未见到。如果表征ZnO压敏电阻 介电性能的参数或者复平面选择不当就会影响到对其性能优劣的评价。
技术实现思路
本专利技术的提供，可以更加准确的 从微观角度对ZnO压敏电阻性能的优劣进行评判，并与传统的评判方法有一定的一致性， 可以相互补充验证。为达到以上目的，本专利技术的技术方案是这样实现的1)对SiO压敏电阻试样测量的温度范围为_160°C 250°C，从低温到高温以10°C 或20°C为一个间隔对试样进行一次测量；在同一个温度下的频率测量范围为0. IHz IOfiHz,通过宽频介电谱测试系统以1. 5倍的比例从高频到低频进行介电性能测量；2)选择参数对ZnO压敏电阻性能进行表征，这些参数分别为介电损耗、复模量、复 阻抗和电导率；3)通过测得数据以介电损耗tan δ为纵坐标，频率为横坐标，得到介电损耗值 在不同温度下随频率的变化关系，检测到60 80°C以上有新的损耗峰移入平面，再取不 同温度下的损耗峰值，按Arrhenius公式计算出各个峰值对应的活化能值，其中低温高频 和低温低频峰分别对应的值为0. 20 0. 30ev，0. 30ev 0. 40ev,高温峰对应值0. 65 0. 75ev ；4)通过测得数据以复模量M”为纵坐标，频率为横坐标，得到复模量值在不同温 度下随频率的变化关系，再取不同温度下的复模量峰值，按Arrhenius公式计算出各个峰 值对应的活化能值，其中低温高频和低温低频峰分别对应值0. 20 0. 30ev,0. 30ev 0. 40ev,高温高频和高温低频峰分别对应值为0. 65 0. 75ev,0. 80ev 0. 95ev ；5)通过测得数据以复阻抗Ζ”为纵坐标，频率为横坐标，得到复阻抗值在不同温度 下随频率的变化关系，再取不同温度下的复阻抗峰值，按Arrhenius公式计算出该峰值对应的活化能值为0. 80 0. 95ev ；6)通过测得数据以电导率σ ’为纵坐标，频率为横坐标，得到电导率值在不同温 度下随频率的变化关系，再取不同温度下0. 1 IOHz处电导率值，按Arrhenius公式计算 出类直流电导对应的活化能值0. 80 0. 95ev ；7)对表征ZnO压敏电阻性能的不同参数进行比较，首先，检测到损耗谱中存在三 个松弛峰，其中高温峰对应活化能为0. 65 0. 75ev，其次，在模量谱中检测到四个松弛峰， 其中复模量高温低频峰和复阻抗松弛峰对应的活化能值与类直流电导活化能值大小一致， 约 0. 80 0. 95ev0本专利技术是通过选择合适的介电参数及合适的复平面对ZnO压敏电阻的三种试样 进行介电性能分析。性能(比如非线性和耐大电流冲击性能)好的试样会在高温区会出现 一个活化能约为0. 65 0. 75ev的损耗峰，该峰能否在介电损耗的高温区被表征出来是衡 量ZnO压敏电阻性能的一个重要标准。另外，在复模量平面内，性能好的试样在测试范围内 表现出4个松弛过程，其peak4的活化能对应着类直流电导率和复阻抗松弛峰的活化能， 并且都在0. 80 0. 90ev以上。本专利技术的这种测量和表征方法可以用于某一批ZnO压敏电 阻性能的进一步评价中。附图说明图1 (a)是试样A松弛损耗与频率的关系及其损耗峰对应的活化能。图1 (b)是试样Bl松弛损耗与频率的关系及其损耗峰对应的活化能。图1 (c)是试样B2松弛损耗与频率的关系及其损耗峰对应的活化能。图1 (d)是试样C松弛损耗与频率的关系及其损耗峰对应的活化能。图2(a)试样A模量与频率的关系以及松弛峰对应活化能。图2(b)试样Bl模量与频率的关系以及松弛峰对应活化能。图2 (c)试样B2模量与频率的关系。图2 (d)试样B2模量松弛峰对应活化能的计算。图3(a)试样A电导率与频率的关系及其类直流电导活化能。图3(b)试样Bl电导率与频率的关系及其类直流电导活化能。图3(c)试样B2电导率与频率的关系及其类直流电导活化能。图3(d)试样C电导率与频率的关系及其类直流电导活化能。图4 (a)试样A阻抗谱与频率的关系及其松弛峰对应活化能。图4 (b)试样Bl阻抗谱与频率的关系及其松弛峰对应活化能。图4 (c)试样B2阻抗谱与频率的关系及其松弛峰对应活化能。图4(d)试样C阻抗谱与频率的关系及其松弛峰对应活化能。下面结合附图对本专利技术的内容作进一步详细说明。具体实施例方式首先，表1中给出四种不同试样的小电流测试结果，包括电位梯度ElmA和非线性系数α 。表 1Sample ASample BSample CBlB2五ImA347 V/mm281 V/mm212V/mm154 V/mmα6471571参照图1，图2，图3和图4所示，各个图中出现松弛峰均以相应的peakl，peak2, peak3和peak4命名，每个松弛峰对应的活化能都通过Arrhenius公式计算得出并总结在下 表2中。表2给出了不同ZnO压敏电阻的松弛过程在不同的平面内表现出的性能。其中， PeakUPeak2是ZnO压敏电阻的损耗以及模量M”在低温区对应的松弛峰，对不同的试样而 言它们活化能的大小几乎一样，它们分别对应着ZnO压敏电阻的本征缺陷。而Peak3，只有 在ZnO压敏电阻的制备及性能都非常好的情况下才能观察得到，即在试样Bi、B2和C中被 观测到，在试样A中观测不到。并且该峰对应的活化能在试样Bi、B2和C中几乎一样，大 约在0. 65 0. 75ev左右，该松弛峰是否能够在介电损耗中得到体现是衡量ZnO压敏电阻 性能优劣的一个重要标准。而对于Peak4只有在模量谱中才能得到体现，并且试样A、B、C Peak4的活化能呈递增趋势(老化后的B2有所下降)。试样A、B、C的类直流电导活化能和 阻抗谱松弛对应的活化能与模量谱中Peak4在活化能的值上相对应(因此表2中把类直流 电导活化能及阻抗谱中的松弛活化能归结为对应Peak4)。因此认为，首先在损耗谱中出现Peak3，其次在模量谱中出现Peak4其活化能与类 直流电导活化能及阻抗松弛活化能一致，在大约0. 80 0. 95ev以上，满足这两个评价标准 的试样其性能是好的。按本专利技术评价标准判断本文中四种试样性能从好到坏依次为C、Bl、B2、A，得出的 结果与传统小电流测试的非线性系数越大试样性能越好一致。另外，在雷电波大电流(电 流密度约600A/cm2)冲击试验中，试样A仅能耐受冲击10次左右，试样Bl可以承受10000 次本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种用于ＺｎＯ压敏电阻性能评价的无损检测方法，其特征在于，１）对ＺｎＯ压敏电阻试样测量的温度范围为－１６０℃～２５０℃，从低温到高温以１０℃或２０℃为一个间隔对试样进行一次测量；在同一个温度下的频率测量范围为０．１Ｈｚ～１０６Ｈｚ，通过宽频介电谱测试系统以１．５倍的比例从高频到低频进行介电性能测量；２）选择参数对ＺｎＯ压敏电阻性能进行表征，这些参数分别为介电损耗、复模量、复阻抗和电导率；３）通过测得数据以介电损耗ｔａｎδ为纵坐标，频率为横坐标，得到介电损耗值在不同温度下随频率的变化关系，检测到６０～８０℃以上有新的损耗峰移入平面，再取不同温度下的损耗峰值，按Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ公式计算出各个峰值对应的活化能值，其中低温高频和低温低频峰分别对应的值为０．２０～０．３０ｅｖ，０．３０ｅｖ～０．４０ｅｖ，高温峰对应值０．６５～０．７５ｅｖ；４）通过测得数据以复模量Ｍ”为纵坐标，频率为横坐标，得到复模量值在不同温度下随频率的变化关系，再取不同温度下的复模量峰值，按Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ公式计算出各个峰值对应的活化能值，其中低温高频和低温低频峰分别对应值０．２０～０．３０ｅｖ，０．３０ｅｖ～０．４０ｅｖ，高温高频和高温低频峰分别对应值为０．６５～０．７５ｅｖ，０．８０ｅｖ～０．９５ｅｖ；５）通过测得数据以复阻抗Ｚ”为纵坐标，频率为横坐标，得到复阻抗值在不同温度下随频率的变化关系，再取不同温度下的复阻抗峰值，按Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ公式计算出该峰值对应的活化能值为０．８０～０．９５ｅｖ；６）通过测得数据以电导率σ’为纵坐标，频率为横坐标，得到电导率值在不同温度下随频率的变化关系，再取不同温度下０．１～１０Ｈｚ处电导率值，按Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ公式计算出类直流电导对应的活化能值０．８０～０．９５ｅｖ；７）对表征ＺｎＯ压敏电阻性能的不同参数进行比较，首先，检测到损耗谱中存在三个松弛峰，其中高温峰对应活化能为０．６５～０．７５ｅｖ，其次，在模量谱中检测到四个松弛峰，其中复模量高温低频峰和复阻抗松弛峰对应的活化能值与类直流电导活化能值大小一致，在０．８０～０．９５ｅｖ。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李建英，赵学童，李盛涛，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：87
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