多电源域设计的电路、方法与存储阵列技术

本发明专利技术是有关于一种多电源域设计的电路、方法与存储阵列的设计方法，在与存储阵列相关的实施例中，感应放大器使用第一供应电源，例如电压VDDA，而其它的电路，例如：信号输出逻辑，使用第二供应电源，例如电压VDDB。各种的实施例将感应放大器和一对转移装置设置在区域输入/输出装置列中，并将电压保持器设置在同一存储阵列的主输入/输出部分中。在适当的时候，感应放大器、转移装置和电压保持器一起运作，如此由电压VDDB所提供的电路的数据位准可相等于电压VDDA所提供的电路的数据位准。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多电源域(multi-power domain)的设计方法，特别是涉及一种不需在每一区域输入/输出装置(local input/output ；LI0)中设置专用位准转换电路的存储阵列及多电源设计。
技术介绍
多电源域提供了良好的方式来达成低功率应用。例如，根据状况，电路可能会被设计来使用较低功率的电源供应器，而非较高功率的电源供应器，以减少功率消耗。在多电源域的设计中，传统的方法一般是使用位准转换电路来于两个电源域间转移信号。在多种不同的存储阵列中，存储阵列的每一个区域输入/输出装置皆应用了位准转换电路(也称为位准转换器(level shifter))0根据复杂度，位准转换电路可包含大数量的晶体管与相关的电路。根据数组的大小，区域输入/输出装置的数量可非常多。在一例中，在美国专利案第5594696号案(U. S patent 5，594，696)中，位准转换电路使用了大约六个可构成较大部份存储单元的晶体管。在另一例中，四兆比特(mega bit)的内存可包含多达六百个区域输入/输出装置。因此，在每一个区域输入/输出装置中都使用位准转换电路会消耗掉一大部份的晶粒面积。大部份晶粒面积的消耗是不受欢迎的，特别是在电子装置与设备的尺寸被持续减少的先进技术中。由此可见，上述现有的电源域(multi-power domain)设计方法在结构、方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决的道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品及方法又没有适切的结构及方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种可兼具体积小、成本低且使用时可具有全方位调整功能的新的多电源域设计的电路、方法与存储阵列，实属当前重要研发课题的一，亦成为当前业界极需改进的目标。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，克服现有的多电源域的设计方法存在的缺陷，而提供一种新型结构的多电源域设计的电路、方法与存储阵列，所要解决的技术问题是使其在多电源域设计的方法中，首先提供具有一区域输入/输出装置(local input/output ；LI0)列的一存储阵列的读取操作，其中此区域输入/输出装置是连接至一第一电路，此第一电路包含一感应放大器和转移装置。然后，在此读取操作中，利用第一电路来将感应放大器的一节点充电至第一数据逻辑高位准。接着，在此读取操作中，利用一第二电路来将一第一数据线充电至一第二数据逻辑高位准。然后，在此读取操作中，改变位于感应放大器的节点的第一数据逻辑高位准为第一数据逻辑低位准。接着，在此读取操作中，利用转移装置来将第一数据线的第二数据逻辑高位准改变为第二数据逻辑低位准，从而更加适于实用。本专利技术的另一目的在于，克服现有的多电源域的设计方法存在的缺陷，而提供一种新的多电源域设计的电路、方法与存储阵列，所要解决的技术问题是使多电源域设计的电路包含第一电路、第二电路以及一对数据线。第一电路包含第一供应电源节点、互锁器的一对节点、一对转移装置、第一充电电路，其中第一供应电源节点是设置来提供一第一供应电压。第二电路包含第二供应电压节点以及第二充电电路，其中第二供应电压节点是不同于第一供应电压节点并设置来提供第二供应电压。数据线是耦接至第一电路和第二电路。 其中，在读取操作中，第一充电电路被设置来将互锁器的节点充电至第一供应电压；第二充电电路被设置来将数据线充电至第二供应电压；转移装置的一第一转移装置被设置来基于节点中的一第一节点的第二数据逻辑低位准来提供一第一数据逻辑低位准至对数据线中的一第一数据线；转移装置的一第二转移装置被安排来提供一数据逻辑高位准至数据线中的一第二数据线，从而更加适于实用。本专利技术的再一目的在于，提供一种多电源域设计的电路、方法与存储阵列，所要解决的技术问题是使多电源域设计的存储阵列，包含存储单元列、区域输入/输出装置列、主输入/输出装置列、第一电路、第二电路以及数据线。第一电路是连接至区域输入/输出装置列，且设置来应用从第一供应电压节点而来的第一供应电压。第二电路是连接至主输入 /输出装置列，且设置来应用与第一供应电压不同的第二供应电压，其中第二供应电压是从第二供应电压节点而来。数据线是设置来在存储单元列的一存储单元的读取操作中，基于第二数据逻辑位准来具有第一数据逻辑位准，其中第二数据逻辑位准是由第一电路的一数据节点所供应，从而更加适于实用。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种多电源域设计的方法，其特征在于提供具有一区域输入/输出装置(local input/ output ；LI0)列的一存储阵列的一读取操作，其中该区域输入/输出装置是连接至一第一电路，该第一电路包含一感应放大器和一转移装置；在该读取操作中，利用该第一电路来将该感应放大器的一节点充电至一第一数据逻辑高位准；在该读取操作中，利用一第二电路来将一第一数据线充电至一第二数据逻辑高位准；在该读取操作中，改变位于该感应放大器的该节点的该第一数据逻辑高位准为一第一数据逻辑低位准；以及在该读取操作中，利用该转移装置来将该第一数据线的该第二数据逻辑高位准改变为一第二数据逻辑低位准。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的多电源域设计的方法，其中所述的该第一数据逻辑高位准是由一第一供应电压节点所提供，而该第二数据逻辑高位准是由不同于该第一供应电压节点的一第二供应电压节点所提供。前述的多电源域设计的方法，其中所述的该第一数据逻辑低位准和该第二数据逻辑低位准中的一者或其组合为接地位准。前述的多电源域设计的方法，其中所述的该转移装置包含一 N型金属氧化半导体晶体管，以将该第二数据逻辑高位准改变为该第二数据逻辑低位准。前述的多电源域设计的方法，其中所述的该N型金属氧化半导体晶体管的一漏极是耦接至该第一数据线以及N型金属氧化半导体晶体管的一源极提供该第二数据逻辑低位准。前述的多电源域设计的方法，其中所述的其改变位于该感应放大器的该节点的该第一数据逻辑高位准为该第一数据逻辑低位准的步骤是基于该存储阵列的一存储单元所接收的数据。前述的多电源域设计的方法，其中所述的其更包含利用该第二电路来将一第二数据线充电该第二数据逻辑高位准，以及利用一第二转移装置来将该第二数据线维持于该第二数据逻辑高位准。本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本专利技术提出的一第一电路，包含一第一供应电压节点，设置来提供一第一供应电压；一互锁器的一对节点；一对转移装置以及一第一充电电路；一第二电路，包含一第二供应电压节点，不同于该第一供应电压节点并设置来提供一第二供应电压；以及一第二充电电路；以及一对数据线，耦接至该第一电路和该第二电路；其中，在一读取操作中，该第一充电电路被设置来将该互锁器的该对节点充电至该第一供应电压；该第二充电电路被设置来将该对数据线充电至该第二供应电压；该对转移装置的一第一转移装置被设置来基于该对节点的一第一节点的一第二数据逻辑低位准来提供一第一数据逻辑低位准至该对数据线的一第一数据线；该对转移装置的一第二转移装置被设置来提供一数据逻辑高位准至该对数据线的一第二数据线。本专利技术的目的及解决其技本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种多电源域设计的方法，其特征在于：提供具有一区域输入／输出装置列的一存储阵列的一读取操作，其中该区域输入／输出装置是连接至一第一电路，该第一电路包含一感应放大器和一转移装置；在该读取操作中，利用该第一电路来将该感应放大器的一节点充电至一第一数据逻辑高位准；在该读取操作中，利用一第二电路来将一第一数据线充电至一第二数据逻辑高位准；在该读取操作中，改变位于该感应放大器的该节点的该第一数据逻辑高位准为一第一数据逻辑低位准；以及在该读取操作中，利用该转移装置来将该第一数据线的该第二数据逻辑高位准改变为一第二数据逻辑低位准。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈旭顺，李政宏，陆崇基，郑宏正，吴重毅，邱志杰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71