多电源域设计的电路、方法与存储阵列技术

本发明专利技术是有关于一种多电源域设计的电路、方法与存储阵列的设计方法，在与存储阵列相关的实施例中，感应放大器使用第一供应电源，例如电压VDDA，而其它的电路，例如：信号输出逻辑，使用第二供应电源，例如电压VDDB。各种的实施例将感应放大器和一对转移装置设置在区域输入/输出装置列中，并将电压保持器设置在同一存储阵列的主输入/输出部分中。在适当的时候，感应放大器、转移装置和电压保持器一起运作，如此由电压VDDB所提供的电路的数据位准可相等于电压VDDA所提供的电路的数据位准。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多电源域(multi-power domain)的设计方法，特别是涉及一种不需在每一区域输入/输出装置(local input/output ；LI0)中设置专用位准转换电路的存储阵列及多电源设计。
技术介绍
多电源域提供了良好的方式来达成低功率应用。例如，根据状况，电路可能会被设计来使用较低功率的电源供应器，而非较高功率的电源供应器，以减少功率消耗。在多电源域的设计中，传统的方法一般是使用位准转换电路来于两个电源域间转移信号。在多种不同的存储阵列中，存储阵列的每一个区域输入/输出装置皆应用了位准转换电路(也称为位准转换器(level shifter))0根据复杂度，位准转换电路可包含大数量的晶体管与相关的电路。根据数组的大小，区域输入/输出装置的数量可非常多。在一例中，在美国专利案第5594696号案(U. S patent 5，594，696)中，位准转换电路使用了大约六个可构成较大部份存储单元的晶体管。在另一例中，四兆比特(mega bit)的内存可包含多达六百个区域输入/输出装置。因此，在每一个区域输入/输出装置中都使用位准转换电路会消耗掉一大部份的晶粒面本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种多电源域设计的方法，其特征在于：提供具有一区域输入／输出装置列的一存储阵列的一读取操作，其中该区域输入／输出装置是连接至一第一电路，该第一电路包含一感应放大器和一转移装置；在该读取操作中，利用该第一电路来将该感应放大器的一节点充电至一第一数据逻辑高位准；在该读取操作中，利用一第二电路来将一第一数据线充电至一第二数据逻辑高位准；在该读取操作中，改变位于该感应放大器的该节点的该第一数据逻辑高位准为一第一数据逻辑低位准；以及在该读取操作中，利用该转移装置来将该第一数据线的该第二数据逻辑高位准改变为一第二数据逻辑低位准。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈旭顺，李政宏，陆崇基，郑宏正，吴重毅，邱志杰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71