用于移除反应器的污染物的方法技术

技术编号:6666855 阅读:184 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种用于移除真空涂覆用反应器内部的金属污染物及/或金属氧化物污染物的方法,所述方法包括以下步骤:a)通过沉积涂层来执行空闲涂覆步骤,其中所述涂层包含硅;b)至少部分地移除所沉积的涂层。根据本发明专利技术的方法特别适用于在太阳能电池制造中对反应器进行清洁。所述方法既节约时间又节约成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及反应器中的污染物移除的领域。具体而言,本专利技术涉及一种用于处理 室、特别是用于形成光伏装置的真空沉积室的清洁工艺。
技术介绍
光伏装置或太阳能电池分别为将光、特别是太阳光转换成电能的装置。为实现低 成本的大规模生产,薄膜太阳能电池已受到关注,这是因为其允许使用玻璃、玻璃陶瓷或其 他刚性或挠性基板代替晶体硅或多晶硅来分别作为基底材料或基板。对于薄膜太阳能电 池,可设置一系列薄的、经局部掺杂的硅或硅合金薄膜,并将其夹置在载体基板(例如玻 璃、塑料或钢)上的透明导电电极之间。目前,可商购获得各种太阳能电池技术。可在低温下大规模地处理此种电池是此 种技术的主要优点。太阳能电池结构或层序列负责产生或能够产生光伏效应。可利用例如PVD、CVD、 PECVD、及/或APCVD等已知的真空沉积技术将各个层沉积为薄层,这些沉积技术均可用于 半导体技术中。传统的薄膜太阳能电池通常包括沉积于基板上的透明电极层(也称为前电极)。 在此第一电极层的顶上,通常沉积有光电转换半导体层以及后电极层,光电转换半导体层 是由非晶硅薄膜及/或微晶硅薄膜形成。所述后电极还可包括透明导电层以及反射层、导 电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于移除真空涂覆用反应器内部的金属污染物及/或金属氧化物污染物的方法,所述方法包括以下步骤:a)通过沉积涂层来执行空闲涂覆步骤,其中所述涂层包含硅;以及b)至少部分地移除所述所沉积的涂层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:P·罗希欧O·克卢斯J·卡拉斯
申请(专利权)人:欧瑞康太阳能处贝区市公司
类型:发明
国别省市:CH

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