一种提高电流密度的P型绝缘体上硅横向器件制造技术

一种提高电流密度的P型绝缘体上硅横向器件，包括：N型半导体衬底，在半导体衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N外延层，在N外延层上面设有N型漂移区与N阱区，在N阱区表面设有P型源区和N型接触区，在P型漂移区上设有P型缓冲区，N型漏区，在N外延的表面还设有栅氧化层，在N阱的表面有P型源区、N型接触区，P型漂移区表面的N型漏区以外的区域设有场氧化层，其特征在于所述P型绝缘体上硅横向器件的P型缓冲区为环状缓冲区且该环状缓冲区向内扩散形成P型缓冲扩散区。制作该器件具体步骤如下：在SOI上生长N型外延；制备N阱与P漂移区；制备环形P型缓冲区；制备场氧和栅氧；制备多晶栅；制备源、漏区；通孔；制备金属层。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及功率半导体器件领域，更具体的说，是关于一种适用于高压大电 流应用的提高电流密度的P型绝缘体上硅横向器件。技术背景随着人们对现代化生活需求的日益增强，功率集成电路产品的性能越来越受到关 注，其中功率集成电路处理高电压、大电流的能力越来越成为最为主要的性能指标之一。决 定功率集成电路处理高电压、大电流能力大小的因素除了功率集成电路本身电路结构、设 计以及电路所采用的制造工艺之外，相同面积的单个器件能通过的电流能力是衡量功率集 成电路性能和成本的关键。由于功率半导体器件是电力电子系统进行能量控制和转换的基本电子元件，电力 电子技术的不断发展为半导体功率器件开拓了广泛的应用领域，而半导体功率器件的导通 电阻和击穿电压等特性则决定了电力电子系统的效率、功耗等基本性能。近来绝缘体上硅制造技术日益成熟，与通过传统的体型衬底硅晶圆生产的芯片相 比，基于绝缘体上硅的芯片结构中绝缘层把活动硅膜层与体型衬底硅基板分隔开来，因此 大面积的PN结将被介电隔离取代。各种阱可以向下延伸至氧化埋层，有效减少了漏电流和 结电容。其结果必然是大幅度提高了芯片的运行速度，拓宽了器件工作的温度范围。随着 绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种提高电流密度的Ｐ型绝缘体上硅横向器件，包括：Ｎ型半导体衬底（９），在半导体衬底（９）上面设置有埋氧化层（８），在埋氧化层（８）上设有Ｎ外延层（６），在Ｎ外延层和上面设有Ｐ型漂移区（７）与Ｎ型阱区（１５），在Ｎ型阱区（１５）表面设有Ｐ型源区（１２）和Ｎ型接触区（１１），在Ｐ型漂移区（７）上设有Ｐ型缓冲区（１４），在所述的Ｐ型缓冲区上方设置Ｎ型漏区（１０），在Ｎ外延层（６）的表面还设有栅氧化层（３）且栅氧化层（３）自Ｎ外延层（６）延伸至Ｐ型漂移区（７），在Ｎ外延层（６）表面的Ｐ型源区（１２）、Ｎ型接触区（１１），Ｐ型漂移区（７）表面除Ｎ型漏区（１０）以外的区域设有场氧化层（１），在栅氧化层...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙伟锋，钱钦松，孙俊，苏展，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：32