【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
１．一种单晶硅纳米结构的制备方法，包括如下步骤：１）以硅基片或ＳＯＩ硅片作为衬底，在衬底上制作掩膜层，根据所需要的单晶硅纳米结构形成掩膜图形，掩膜图形线宽≤２μｍ；２）对衬底进行氧化，在硅表面形成二氧化硅层，并消耗掉部分硅；３）用氢氟酸溶液腐蚀掉二氧化硅，得到单晶硅纳米结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵安迪，于晓梅，王晓菲，吴文刚，董立泉，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：11
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