一种三元核壳型复合光催化剂及其制备方法技术

本发明专利技术为一种三元核壳型复合光催化剂。该催化剂由外覆宽禁带半导体氧化物，内包n型和p型窄禁带半导体氧化物的异质复合体组成，其配比为：质量比外覆的宽禁带氧化物∶内包的窄禁带n型和p型半导体氧化物二元组合体之和＝0.01-0.9∶1，摩尔比n型窄禁带半导体氧化物∶p型窄禁带半导体氧化物＝0.2-5.0∶1。该催化剂用于光催化分解水制氢的反应或光催化降解染料废水的反应。本发明专利技术的三元核壳型复合光催化剂既耐光化学腐蚀，又在以氙灯为光源的情况下，表现出较好的光催化分解水制氢性能和较好的光催化降解染料废水的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光催化领域，包括光催化分解水制氢和光催化降解染料废水。具体为 一种三元核壳型复合光催化剂的结构设计及其制备。
技术介绍
光催化技术被认为是利用太阳能解决环保问题和能源问题最有前途的方法之一。 在过去的三十多年中受到人们极大的关注，开发出众多的光催化剂。已开发的催化剂可以分为两类，一类为只能感应紫外光的催化剂，一类为可部分感应可见光的催化剂。只能感应可见光的催化剂，包括本身禁带宽度较窄的半导体物质，如CdS，和宽禁带半导体物质，如 TiO2，经非金属元素掺杂改性、或金属元素改性而得到的催化剂体系，可以吸收太阳光中的大部分光子，但普遍的问题是该类催化剂暴露于液态水相体系中，光照下容易发生光化学腐蚀。原因是光激发电子和空穴的能位差较小，在一种载流子(电子或空穴)发生光催化反应的情况下，另一种载流子的能量通常不足以使其被用于光催化反应，而会导致催化剂腐蚀，并使其活性迅速衰减；为了抑制窄禁带光催化剂在使用过程中发生光化学腐蚀作用， 人们通过在光催化分解水的反应中，加入牺牲剂的方法消耗不能发生光催化反应的那种载流子。如加入甲醇等空穴消耗剂，促进光激发电子发生光催化还原反应；加入A本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种三元核壳型复合光催化剂，其特征为该催化剂由外覆宽禁带半导体氧化物，内包ｎ型和ｐ型窄禁带半导体氧化物的异质复合体组成，其配比为：质量比外覆的宽禁带氧化物∶内包的窄禁带ｎ型和ｐ型半导体氧化物二元组合体之和＝０．０１－０．９∶１，摩尔比ｎ型窄禁带半导体氧化物∶ｐ型窄禁带半导体氧化物＝０．２－５．０∶１。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王桂赟，王延吉，张广林，赵新强，
申请(专利权)人：河北工业大学，
类型：发明
国别省市：12