【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及使用氢化歧化-脱氢再化合法来制造稀土合金粉末的方法、稀土合金粉末和永磁体。
技术介绍
作为制造磁体用的合金粉末的方法,已知有使原料合金氢化歧化-再化合的氢化歧化 ~ 脱S再化合(HDDR :Hydrogenation Decomposition Desorption Recombination) 法。HDDR法是指使氢吸藏于原料(起始合金)中,然后通过在氢中对原料进行加热使原料 MlyIt - i^it (HD :Hydrogenation Decompo sition),- Uit^ (DR Resorption Recombination),从而使晶体微细化的方法。由于该HDDR法为伴随固相-气相反应的方法,所以其反应机制复杂,所得到的磁体粉末的矫顽力等磁特性根据制造条件而发生变动。因此,在使用HDDR法制造磁体粉末时,尝试着通过调整制造条件来改善磁体粉末的磁特性。以往,提出了例如通过下述过程改善稀土系合金粉末的磁特性的稀土系合金的制造方法在对将稀土合金熔解并铸造而得到的原料合金进行HDDR处理时,在脱氢再化合的处理中,通过控制气氛而改变反应速 ...
【技术保护点】
1.一种稀土合金粉末的制造方法,其特征在于,在通过氢化歧化-脱氢再化合法来制造稀土合金粉末时,具有以下工序:贮氢工序,使氢吸藏于稀土合金的原料合金中;氢化歧化工序,将吸藏了氢的原料合金氢化歧化而得到歧化产物;脱氢再化合工序,将所述歧化产物的温度保持在750℃以上且950℃以下的第一脱氢再化合温度,然后在途中将温度降低至550℃以上且700℃以下的第二脱氢再化合温度,使氢从所述歧化产物释放,从而得到稀土合金粉末。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:奥田修弘,增泽清幸,中村英树,田边孝司,森尚树,铃木健一,中野博文,
申请(专利权)人:TDK株式会社,
类型:发明
国别省市:JP
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