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电流传感器制造技术

技术编号:6636300 阅读:207 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种对涉及较宽范围的检测对象电流高灵敏度且高精度地进行检测的电流传感器。其具备:GMR元件(11~14),沿着导体相互同向延伸配置,根据流过导体的检测对象电流所产生的感应磁场,各自的电阻值示出变化;补偿电流线(30),通过流过补偿电流,将与感应磁场相反方向的补偿磁场提供给GMR元件(11~14)的每一个。GMR元件(11~14)相互连接而形成桥接电路。补偿电流通过从该桥接电路的中点取出的电位的差分产生。补偿电流线(30)中的带状部分(31~34)与GMR元件(11~14)同向延伸并且在厚度方向上与其分别重合,而且具有分别比GMR元件(11~14)的宽度(W11~W14)小的宽度(W31~34)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及能够对流过导体的电流变化高灵敏度地进行感测的小型的电流传感O
技术介绍
一般作为测定用于进行控制设备等的控制的控制电流的方法,有对通过该控制电流产生的电流磁场的梯度进行检测而间接地进行测定的方法。具体地说,例如是如下方法 使用4个表现出巨磁阻效应(Giant Magneto-Resistive effect)的巨磁阻效应元件(以下, 称为GMR元件)等磁阻效应元件形成惠斯通电桥,配置在上述电流磁场中,对其梯度进行检测(例如,参照专利文献1)。这样,通过形成惠斯通电桥,能够将来自外部的噪声(干扰磁场)和环境温度产生的影响抑制到较低。特别是,在4个磁阻效应元件的特性均一的情况下,能够获得更稳定的检测特性。此外,还公开有通过设置补偿电流线,进一步降低输出电压的起因于环境温度或来自外部的噪声的变化的例子(例如,参照专利文献2)。进而,近年来由于对更微弱的电流进行检测的必要性正在提高,所以作为磁阻效应元件谋求阻抗大且灵敏度更高的元件。但是,当按这样使用高阻抗且高灵敏度的磁阻效应元件构成惠斯通电桥时,往往容易产生大的偏移输出或使连接电阻的偏差等变大。因此, 构成惠斯通电桥的4个磁本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电流传感器,其特征在于,具备:第一至第四磁阻效应元件,沿着导体相互同向延伸配置,根据流过所述导体的检测对象电流所产生的感应磁场,各自的电阻值示出变化;以及补偿电流线,通过流过补偿电流,将与基于所述检测对象电流对所述第一至第四磁阻效应元件施加的各感应磁场相反方向的补偿磁场提供给所述第一至第四磁阻效应元件的每一个,所述第一和第二磁阻效应元件的一端彼此在第一连接点连接,所述第三和第四磁阻效应元件的一端彼此在第二连接点连接,所述第一磁阻效应元件的另一端与所述第四磁阻效应元件的另一端在第三连接点连接,所述第二磁阻效应元件的另一端与所述第三磁阻效应元件的另一端在第四连接点连接,由此,形成桥接电路,...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:原谷进山口仁宫崎雅弘志村茂
申请(专利权)人:TDK株式会社
类型:发明
国别省市:JP

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