微波介质基板用低温共烧陶瓷制备方法技术

微波介质基板用低温共烧陶瓷制备方法，涉及电子材料技术，包括下述步骤：1)ZnO和SiO2为主料，按摩尔比ZnO/SiO2＝1～2.5混合；2)研磨混合，烘干；3)煅烧；4)加入ZnO-B2O3-SiO2-TiO2-Al2O3玻璃添加剂，添加剂占主料10～50wt％；玻璃添加剂是按质量比ZnO∶B2O3∶SiO2∶TiO2∶Al2O3＝a∶b∶c∶d∶e，平均粒径为0.1～0.3μm的玻璃粉料，其中，a＝1，0.3≤b≤0.7，0.1≤c≤0.3，0≤d≤0.005，0≤e≤0.01；5)研磨，烘干；6)加入PVA溶液，造粒，压制成陶瓷生坯；7)烧结。本发明专利技术制备的陶瓷材料具有良好微波介电性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子材料技术，特别是低介微波介质陶瓷技术。
技术介绍
随着现代信息技术的飞速发展，对电子产品的小型化、便携化、多功能、高可靠和低成本等方面提出了越来越高的要求。低温共烧陶瓷技术(Low temperature cofired ceramic, LTCC)是近年来兴起的一种令人瞩目的多学科交叉的整合组件技术，因其优异的电子、热机械特性已成为未来电子元件集成化、模组化的首选方式。它采用厚膜材料，根据预先设计的结构，将电极材料、基板、电子器件等在900°C以下一次烧成，是一种用于实现低成本、高集成、高性能的电子封装技术。发展低温烧结的低介电常数10)材料以满足高频和高速的要求，是当今电子材料如何适应高频应用的一个挑战。低介电常数微波介质陶瓷因其优异的介电性能而成为这一应用领域的首选材料。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种，制备的陶瓷材料具有良好微波介电性能。本专利技术解决所述技术问题采用的技术方案是， ，其特征在于，包括下述步骤1) ZnO和SiO2为主料，按摩尔比Zn0/Si02 = 1 2. 5混合；2)研磨混合主料，烘干；3)将步骤2)得到的物料在本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．微波介质基板用低温共烧陶瓷制备方法，其特征在于，包括下述步骤：１）ＺｎＯ和ＳｉＯ２为主料，按摩尔比ＺｎＯ／ＳｉＯ２＝１～２．５混合；２）研磨混合主料，烘干；３）将步骤２）得到的物料在１１００℃～１２５０℃煅烧２～８小时；４）煅烧后的物料加入ＺｎＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＴｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３玻璃添加剂，其中添加剂占主料的质量百分比为１０～５０ｗｔ％，所述玻璃添加剂是按质量比ＺｎＯ∶Ｂ２Ｏ３∶ＳｉＯ２∶ＴｉＯ２∶Ａｌ２Ｏ３＝ａ∶ｂ∶ｃ∶ｄ∶ｅ，平均粒径为０．１～０．３μｍ的玻璃粉料，其中，ａ＝１，０．３≤ｂ≤０．７，０．１≤ｃ≤０．３，０≤ｄ≤０．００５，０≤ｅ≤０．０１；５）研磨步骤４）所得的...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐光亮，余洪滔，程吉霖，
申请(专利权)人：西南科技大学，
类型：发明
国别省市：51