电介质陶瓷组合物及电子部件制造技术

本发明专利技术涉及电介质陶瓷组合物及电子部件。提供了一种相对介电常数以及交流破坏电压高，介电损失低，温度特性以及烧结性良好的电介质陶瓷组合物。该电介质陶瓷组合物具有以(Ba1-u-v-w，Cau，Mgv，Srw)α(Ti1-x，Zrx)O3的组成式表示的主成分、氧化镍、氧化铈、和氧化锰，其中，上述组成式中的u为0.20~0.27，上述组成式中的v为0.018~0.049，上述组成式中的w为0.004~0.018，上述组成式中的x为0.118~0.149，上述组成式中的α为0.95~1.02，相对于上述主成分100重量部，含有上述氧化镍0.03~0.4重量部，相对于上述主成分100重量部，含有上述氧化铈0.03~0.4重量部，相对于上述主成分100重量部，含有上述氧化锰0.03~0.4重量部。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电介质陶瓷组合物及电子部件。
技术介绍
近年来，伴随着飞速发展的电气设备的高性能化，电路的小型化、复杂化也飞速地发展着。因此，对电子部件也要求进一步的小型化、高性能化。即，为了一边维持良好的温度特性，一边即使是小型化也维持静电容量，要求相对介电常数高的电介质陶瓷组合物以及电子部件，进而为了在高电压下使用，要求交流破坏电压高的电介质陶瓷组合物以及电子部件。历来，作为被广泛利用为陶瓷电容器、层叠电容器、高频率用电容器、高电压用电容器等的高介电常数电介质陶瓷组合物，已知在专利文献1中表示的组合物。在该专利文献 1 中，公开了一种将组成式以(BEIhCax) (Ti1Jry)O3(其中，0. 10<x 彡 0. 25,0<y 彡 0. 25) 表示的钛酸钡作为主成分的电介质陶瓷组合物。此外，在专利文献2中公开了一种将组成式以(Bi^xCax) (Ti1^yZry) O3 (其中， 0<x彡0. 25，0<y彡0. 25)表示的、将钛酸钡作为主成分并进一步含有^03、MgO、Al2O3的电介质陶瓷组合物。但是，在像这样的现有的高介电常数电介质陶瓷组合物中，将相对介电常数设为 3000以上的情况下，难以降低介电损失，并且难以确保6kV/mm以上的高交流破坏电压。专利文献专利文献1 日本特开2003-104774号公报； 专利文献2 日本特开2003-109430号公报。
技术实现思路
本专利技术正是鉴于这样的现状而完成的，其目的在于提供一种相对介电常数以及交流破坏电压高，介电损失低，温度特性以及烧结性良好的电介质陶瓷组合物。此外，本专利技术的目的也在于提供一种具有由像这样的电介质陶瓷组合物构成的电介质层的电子部件。本专利技术者等为了达到上述目的，进行锐意研究的结果是发现通过将电介质陶瓷组合物的组成设为特定的成分，并将它们的比率设为规定范围，能达到上述目的使本专利技术完成。S卩，解决上述课题的本专利技术的电介质陶瓷组合物，具有以(Balra, Cau, Mgv, Srw) α (Tih，Zrx) O3的组成式表示的主成分、氧化镍、氧化铈、和氧化锰，其中，所述组成式中的u为0. 2(Γ0. 27， 所述组成式中的ν为0. 018 0. 049， 所述组成式中的w为0. 004 0. 018， 所述组成式中的χ为0. 118、. 149， 所述组成式中的α为0.95 1.02，相对于所述主成分100重量部，含有所述氧化镍0. 03、. 4重量部， 相对于所述主成分100重量部，含有所述氧化铈0. 03、. 4重量部， 相对于所述主成分100重量部，含有所述氧化锰0. 03、. 4重量部。根据本专利技术，能提供一种相对介电常数以及交流破坏电压高，介电损失低，温度特性以及烧结性良好的电介质陶瓷组合物。此外，根据本专利技术，能够提供一种能防止在室温下的热失控(thermorimaway)的电介质陶瓷组合物。具体地，通过将电介质陶瓷组合物的居里温度设为20°C以下，能够防止在室温下的热失控。在此，热失控是发热招致进一步的发热的正反馈导致不能进行温度的控制的现象。本专利技术的实施方式的电子部件具有以所述电介质陶瓷组合物构成的电介质层。作为本专利技术的实施方式的电子部件，没有特别地限定，但例示有单片陶瓷电容器、 贯通型电容器、层叠陶瓷电容器、压电元件、片式电感器、片式压敏电阻器、片式热敏电阻器、片式电阻器、其它的表面实装(SMD)片式型电子部件。附图说明图1 (A)是本专利技术的一个实施方式的陶瓷电容器的正视图，图1 (B)是本专利技术的一个实施方式的陶瓷电容器的侧面剖面图。图2是本专利技术的一个实施方式的贯通型电容器的立体图。图3是表示本专利技术的一个实施方式的电介质陶瓷组合物的相对介电常数相对于温度的关系的图表。具体实施例方式以下，基于在附图表示的实施方式，对本专利技术的实施方式进行说明。陶瓷电容器2如图1 (A)所示，本专利技术的实施方式的陶瓷电容器2为如下结构，S卩，具有电介质层 10 ；在其相向表面形成的一对端子电极12、14 ；和与该端子电极12，14分别连接的引线端子 6、8，它们被保护树脂4覆盖。陶瓷电容器2的形状根据目的、用途适宜地决定即可，但优选是电介质层10为圆板形状的圆板型的电容器。此外，其尺寸根据目的、用途适宜地决定即可，但通常直径为5 20mm左右，优选5 15mm左右。电介质层10的厚度没有特别地限定，根据用途等适宜地决定即可，但优选 0. 3 2mm。通过将电介质层10的厚度设为这样的范围，适合在中高压用途中使用。端子电极12，14以导电材料构成。作为在端子电极12，14使用的导电材料，可列举例如Cu、Cu合金、Ag、Ag合金、In-Ga合金等。电介质层10上述陶瓷电容器2的电介质层10由本专利技术的实施方式的电介质陶瓷组合物构成。本专利技术的实施方式的电介质陶瓷组合物是如下电介质陶瓷组合物，其具有以 (Balra, Cau,Mgv, Srw) α (Ti1^jZrx) O3的组成式表示的主成分、氧化镍、氧化铈、和氧化锰。上述组成式中的u表示Ca的比率，其范围为0.2(Γ0. 27，优选0.22、. 24。通过以该范围含有Ca，有相对介电常数提高，介电损失下降，温度特性变得良好的倾向。上述组成式中的ν表示Mg的比率，其范围为0.018 0.049，优选0.028 0.03。通过以该范围含有Mg，有相对介电常数、交流破坏电压及烧结性提高，温度特性变得良好的倾向。上述组成式中的w表示Sr的比率，其范围为0.004 0.018，优选0.015 0.017。通过以该范围含有Sr，有温度特性变得良好，介电损失下降的倾向。上述组成式中的χ表示^ 的比率，其范围为0. 118 0. 149，优选0. 13 0. 14。通过以该范围含有^ ，有介电损失下降、交流破坏电压提高，温度特性变得良好的倾向。上述组成式中的α为0. 95 1. 02，更加优选1. θΓ . 015。通过将α设成该范围， 有相对介电常数及烧结性提高，介电损失及居里温度下降的倾向。在本专利技术的实施方式的电介质陶瓷组合物中，相对于上述主成分100重量部含有氧化镍0. 03、. 4重量部，优选0. 05、. 3重量部，更加优选含有0. Γ0. 2重量部。通过以该范围含有氧化镍，有相对介电常数、交流破坏电压及烧结性提高的倾向。在本专利技术的实施方式的电介质陶瓷组合物中，相对于上述主成分100重量部含有氧化铈0. 03、. 4重量部，优选0. 05、. 3重量部，更加优选含有0. Γ0. 2重量部。通过以该范围含有氧化铈，有温度特性变得良好、交流破坏电压及相对介电常数提高，介电损失下降的倾向。在本专利技术的实施方式的电介质陶瓷组合物中，相对于上述主成分100重量部含有氧化锰0. 03、. 4重量部，优选0. 05、. 3重量部，更加优选含有0. Γ0. 2重量部。通过以该范围含有氧化锰，有相对介电常数、交流破坏电压及烧结性提高，介电损失下降的倾向。以下，将氧化镍、氧化铈或者氧化锰称为“副成分”。陶瓷电容器2的制造方法接着，对陶瓷电容器2的制造方法进行说明。首先，对烧成后形成图1中所示的电介质层10的电介质陶瓷组合物粉末进行制造。准备主成分的原料及各副成分的原料。作为主成分的原料，可列本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．　一种电介质陶瓷组合物，具有：以（Ｂａ１－ｕ－ｖ－ｗ，Ｃａｕ，Ｍｇｖ，Ｓｒｗ）α（Ｔｉ１－ｘ，Ｚｒｘ）Ｏ３的组成式表示的主成分、氧化镍、氧化铈、和氧化锰，其中，所述组成式中的ｕ为０．２０～０．２７，所述组成式中的ｖ为０．０１８～０．０４９，所述组成式中的ｗ为０．００４～０．０１８，所述组成式中的ｘ为０．１１８～０．１４９，所述组成式中的α为０．９５～１．０２，相对于所述主成分１００重量部，含有所述氧化镍０．０３～０．４重量部，相对于所述主成分１００重量部，含有所述氧化铈０．０３～０．４重量部，相对于所述主成分１００重量部，含有所述氧化锰０．０３～０．４重量部。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大津大辅，中村孝男，工藤亮，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP