太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包含一基板、一光吸收层以及一盖板。此一光吸收层设置于基板上。盖板具有一表面及多个凹槽，其中该表面面向该光吸收层，而所述多个凹槽排列在该表面上。在一实施例中，光吸收层包含铜铟镓硒层或铜铟硒层。本实用新型专利技术能够提高薄膜太阳能电池的能源转换效率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种太阳能电池，特别涉及一种具有可使光在其内部进行多次反射结构的太阳能电池。
技术介绍
现今，主流的太阳能电池技术是建立在晶体硅(crystalline silicon)上。然而， 单晶硅或多晶硅太阳能电池的成本高，造成其单位发电成本偏高，故仍难以大规模地取代传统、对环境冲击较大的发电方式。此外，一种利用薄膜技术发展的太阳能电池为另一种替代选择。薄膜太阳能电池 (thin film solar cell)具有低成本的优势，但一般而言，其能源转换效率低且耐用性较不足。如今，有不同种类的半导体化合物被用来制作薄膜太阳能电池，其中使用铜(Copper) 铟(Indium)镓(Gallium)硒(Selenide)化合物的铜铟镓硒太阳能薄膜电池(CIGS film solar cells)是最具效率的一种。CIGS薄膜太阳能电池拥有宽广的吸收光谱，其电池转换率最高可达约19%。此外，CIGS太阳能电池也易于量产，以及具有低材料成本等优点。CIGS太阳能电池所使用的吸光材料为铜铟镓硒化合物半导体。CIGS薄膜太阳能电池的基本结构通常包括基材、盖板，以及位于基材与盖板间的太阳能电池单元，其中太阳能电池单元包括CIGS光吸收层。通常，盖板包括一入光面和与该入光面相对的内表面。一般，盖板为高透光性的玻璃，其入光面与内表面均为平面。在使用时，太阳光从入光面进入CIGS薄膜太阳能电池，部分光为CIGS光吸收层所吸收，而部分光则反射出CIGS薄膜太阳能电池。由于反射出CIGS 薄膜太阳能电池无法再被吸收利用，从而限制CIGS薄膜太阳能电池的效率。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题，本技术的一目的为提供一种太阳能电池，以提高薄膜太阳能电池的能源转换效率。本技术的一目的是通过提高光线的吸收率，来提升薄膜太阳能电池的能源转换效率。根据前述目的，本技术一实施例揭示一种太阳能电池，其包含一基板、一光吸收层，以及一盖板。光吸收层设置于基板上。盖板具有一表面及多个凹槽，其中表面面向该光吸收层，而该些凹槽排列在该表面上。本技术的太阳能电池，优选的，该凹槽的形状为多边形。本技术的太阳能电池，优选的，该凹槽的形状为六边形。本技术的太阳能电池，优选的，该凹槽的形状为四边形。本技术的太阳能电池，优选的，该太阳能电池还包含一封装材料，其中该封装材料设置于该吸收层与该盖板之间，且粘附该表面。本技术的太阳能电池，优选的，部分的该封装材料在所述多个凹槽之内。本技术的太阳能电池，优选的，该封装材料为热塑型高分子材料。本技术的太阳能电池，优选的，该封装材料为乙烯醋酸乙烯酯。本技术的太阳能电池，优选的，该盖板为低铁玻璃。本技术的太阳能电池，优选的，该基板为玻璃基板。本技术的太阳能电池，优选的，该光吸收层包含铜铟镓硒光吸收层或铜铟硒光吸收层。本技术的太阳能电池，优选的，该凹槽的内径介于0. Imm 0. 4mm，而该凹槽的深度小于0. 4mm。本技术的有益效果在于，本技术，能够提高薄膜太阳能电池的能源转换效率。具体的说，是通过提高光线的吸收率，来提升薄膜太阳能电池的能源转换效率。附图说明图1为本技术一实施例的太阳能电池的截面示意图；图2显示本技术一实施例的太阳能电池单元的截面示意图；图3为本技术一实施例的盖板的局部放大立体示意图；图4为本技术另一实施例的盖板的局部放大立体示意图；图5例示本技术一实施例的盖板与第二封装材料的结合示意图；图6为本技术另一实施例的盖板与第二封装材料的结合示意图；以及图7显示在本技术一实施例的太阳能电池内部，产生多次反射的示意图其中，附图标记说明如下1太阳能电池2光线3反射光11基板12第一封装材料13太阳能电池单元14第二封装材料15盖板15'盖板16框胶材22背电极23光吸收层24缓冲层25绝缘层沈透明导电层27上电极层151表面152入光面153凹槽153'凹槽154 槽壁1541 顶面D结构直径H波形高度具体实施方式图1为本技术一实施例的太阳能电池1的截面示意图。参照图1所示，太阳能电池1包含一基板11、一第一封装材料12、一太阳能电池单元13、一第二封装材料14，以及一盖板15。太阳能电池单元13夹设于盖板15和基板11之间。第一封装材料12黏接基板11与太阳能电池单元13，而第二封装材料14粘接太阳能电池单元13与盖板15。太阳能电池1可另包含一框胶材16，周设于太阳能电池单元13，以密封太阳能电池1的周围。基板11可以不锈钢或高分子材料制成，较佳地以玻璃制成。第一封装材料12用于结合基板11与太阳能电池单元13。第二封装材料14用于结合盖板15与太阳能电池单元13。第一封装材料12与第二封装材料14为热塑型高分子材料。在一实施例中，第一封装材料12与第二封装材料14为乙烯醋酸乙烯酯(ethylene vinyl acetate)0盖板15可为高透光率(例如大于90% )的玻璃。较佳地，盖板15可为低铁玻璃(low iron glass) 0低铁玻璃一般又被称为超白玻璃(water whiteglass)，其光吸收率 (light absorption)可低至0. 5%，其光反射率(reflection)可至8%。更佳地，盖板15 可为强化低铁玻璃(low iron glass)。图2显示本技术一实施例的太阳能电池单元13的截面示意图。参照图2所示，太阳能电池单元13包含背电极22、一光吸收层23、一缓冲层对、一绝缘层25、一透明导电层26以及一上电极层27。背电极22包含金属电极、透明电极(包括氧化铟锡)或导电高分子。背电极22可以溅镀方法或其他方式形成，厚度可约为0.5 1.0 μ m。光吸收层 23设置于基板11上，其厚度可约为1. 5 2. Ομπι。光吸收层23可为铜铟镓硒(CIGS)光吸收层或铜铟硒(CIS)光吸收层。光吸收层23 可以共蒸镀(co-evaporation)、硒化(selenization)、溅镀 (sputtering)、涂布(coating)、电沉积(electrod印osition)，或化学喷洒热解法 (chemical spary pyrolysis)等制作。缓冲层M可包含硫化镉(CcK)或硫化锌( 或二氧化钛，其厚度可约为0. 05 μ m。绝缘层25包含氟化锂(LiF)或氧化锌层(SiO)，绝缘层25 可约0. 1 μ m厚，其可避免漏电流的问题。透明导电层沈可为透明导电氧化物(transparent conductive oxides)，其可包含掺杂铝的氧化锌或导电高分子。透明导电层沈的厚度可介于0. 5 1. 5 μ m之间。透明导电层沈可以溅镀方式制作。图3为本技术一实施例的盖板15的局部放大立体示意图。参照图1与图3 所示，盖板15包含一表面151、一入光面152，以及多个凹槽153。太阳光从入光面152进入太阳能电池1的内部。表面151相对于入光面152。表面151面向光吸收层23 (如图1所示)。多个凹槽153排列在表面151上。多个凹槽153可布满整个表面151。多个凹槽153 可大小一致。多个凹槽153可具有相同形状；在本实施例中，凹本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池包含：一基板；一光吸收层，设置于该基板上；以及一盖板，具有一表面及多个凹槽，其中该表面面向该光吸收层，而所述多个凹槽排列在该表面上。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪进义，李宗龙，
申请(专利权)人：太阳海科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71