【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及例如半导体装置的制造等中使用的切割/芯片接合薄膜。
技术介绍
现有的半导体装置的制造中，在将半导体芯片固着到引线框或电极构件上时使用银浆。所述固着处理通过在引线框的焊盘等上涂布银浆后在其上搭载半导体芯片并使浆层固化来进行。形成有电路图案的半导体晶片，根据需要通过背面研磨调节厚度后(背面研磨工序)，进行切割为半导体芯片(切割工序)、利用胶粘剂将该半导体芯片固着到引线框等被粘物上(芯片贴装工序)、以及丝焊工序。在切割工序中，为了除去切削屑，通常以适度的液压清洗半导体晶片。在该处理工序中，通过将胶粘剂另外涂布到引线框或形成的芯片上的方法，难以实现胶粘剂层的均勻化，另外，胶粘剂的涂布需要特殊的装置或长时间。因此，在下述专利文献1中，提出了在切割工序中胶粘保持半导体晶片并且提供芯片贴装工序所需的芯生固着用胶粘剂层的切割/芯片接合薄膜。该切割/芯片接合薄膜，在支撑基材上以可以剥离的方式设置有胶粘剂层，在该胶粘剂层的保持下切割半导体晶片后，拉伸支撑基材从而将形成的芯片与胶粘剂层一起剥离，将其各自进行回收并隔着该胶粘剂层固着到引线框等被粘物上。在此，对于切割/芯...
【技术保护点】
１．一种切割／芯片接合薄膜，具有在支撑基材上至少设置有粘合剂层的切割薄膜和设置在所述粘合剂层上的芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层的厚度为５μｍ～８０μｍ，从所述芯片接合薄膜侧至少切割到所述粘合剂层的一部分后，将所述切割薄膜从所述芯片接合薄膜上剥下时的切割面附近处的剥离力的最大值在温度２３℃、剥离角度１８０°、剥离点移动速度１０ｍｍ／分钟的条件下为０．７Ｎ／１０ｍｍ以下。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宍户雄一郎，松村健，村田修平，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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