【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有用于控制恒压电路的电压控制电路的电压控制系统，所述恒压电路向其间集成有半导体器件的半导体芯片的半导体封装供应电功率。
技术介绍
已知，在通过具有小于90nm设计规则的先进半导体工艺制造的半导体芯片中，半导体器件的功率消耗与操作功率和泄漏功率的总和相对应。操作功率取决于到半导体芯片的输入电压的大小并且在取决于半导体制造工艺中的变化的半导体芯片之间很少变化。操作功率以及半导体器件的功率消耗随着该相同半导体器件的输入电压增加而增加。泄露功率取决于半导体芯片的电流特性，即取决于晶体管的阈值电压的大小。因此泄露功率在取决于半导体制造工艺中的变化的半导体芯片之间变化。由于泄露电流随着阈值电压降低而增加，因此与具有较小泄露功率的半导体芯片相比较，具有较大泄露功率的半导体芯片具有更好的开关特性。因此，通过将具有较大泄露功率的半导体芯片的输入电压降低到小于具有较小泄露功率的半导体芯片的输入电压，能够降低半导体芯片的功率消耗并且维持半导体芯片的开关频率基本不变。参考图9对此进行更详细的描述。在图9中，图9(a)和图9(b)示意性示出了分别相对于两个半导体芯片样...
【技术保护点】
１．一种电压控制系统，包括：恒压电路（１０，１０ａ，１０ｂ）；半导体封装（２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ），包括半导体器件的半导体芯片（２１，２１ａ，２１ｂ，２１ｃ）集成在所述半导体封装（２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ）中；以及电压控制电路（３１，３１ａ，３１ｂ，３１ｃ），所述电压控制电路（３１，３１ａ，３１ｂ，３１ｃ）被配置成基于输入电压和所述半导体器件的操作电压来控制所述恒压电路，所述输入电压从所述恒压电路供应到所述半导体封装，所述操作电压与所述半导体封装的泄漏电流和操作电流相对应。其特征在于配置所述电压控制电路（３１，３１ａ，３１ｂ，３１ｃ），使得从所述恒压电路供应到所述...
【技术特征摘要】
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