触控面板制造技术

本发明专利技术提供一种触控面板，包括第一导电基板和第二导电基板，所述第一导电基板受触碰时可产生变形，所述第二导电基板与第一导电基板相对设置，所述第二导电基板上生长有多个碳纳米管簇，所述多个碳纳米管簇由第二导电基板向第一导电基板方向延伸，以使第二导电基板和触碰变形后的第一导电基板之间导通。本技术方案的触控面板具有较好的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及触控
，尤其涉及一种触控面板。
技术介绍
随着科技发展的日新月异，科技产品考虑人性因素来开发设计已逐渐成为趋势。触控技 术因其方便的使用方式在游客导览系统、自动柜员机、可携式电子产品以及工业控制系统等 获得了越来越多的应用。触控面板(Touch Panel,触控屏幕)是指可触控的屏幕，其通过接收手指或触控笔等触 头的触碰而定位出触碰位置，再通过控制器读取触碰位置的指令而显示出所需图象。触控面 板根据其定位技术主要可分为电阻式、电容式、超音波式以及光学式等种类。电阻式触控面 板由氧化铟锡软膜和氧化铟锡玻璃构成，氧化铟锡软膜和氧化铟锡玻璃之间由树脂球隔开。 手指或触控笔触碰氧化铟锡软膜时会使得氧化铟锡软膜下陷，从而导通氧化铟锡软膜和氧化 铟锡玻璃。此时，可在氧化铟锡玻璃上接通一个y轴向的均匀渐变的5V电压场，这个时候触 碰位置的电压等同于氧化铟锡软膜的电压值，通过取得氧化铟锡软膜的电压值并将该电压值 与5V比较即可获得触碰位置在y轴向的坐标。同理，在氧化铟锡软膜上接通一个x轴向的均匀 渐变的5V电压场，通过取得氧化铟锡玻璃的电压值并将该电压值与5V比较即可获得触碰位置 在x轴向的坐标。如此，即可得出触碰位置的坐标，可对触碰位置进行定位。电容式触控面 板由二氧化硅硬化处理层和氧化铟锡玻璃构成，在氧化铟锡玻璃表面建立一个均匀电场，利 用触碰时人体的微弱感应电流对电场的影响进行定位。音波式触控面板的中间区域具有一个 均匀的声波力场，利用声波碰到软性介质会被吸收掉能量的特性进行定位。Takeuchi， M.等 人在2004年发表于2004 IEEE Ultrasonics Symposium的文献Ultrasonic attenuation in acoustic touch panels对音波式触控面板中超声波的衰减作了研究。光学式触控面板四 周设置有红外线发射器和红外线接收器，从而在触控面板中间区域形成矩阵式排列的红外线 ，利用触头触碰触控面板时对红外线的遮挡来定位触碰位置的坐标。以上各种类型的触控面板均易受破损，即均具有较短的使用寿命，且其分辨率也普遍不高。因此，有必要提供一种性能较好的触控面板。
技术实现思路
以下将以实施例说明一种触控面板。一种触控面板，包括第一导电基板和第二导电基板，所述第一导电基板受触碰时可产生 变形，所述第二导电基板与第一导电基板相对设置，所述第二导电基板上生长有多个碳纳米 管簇，所述多个碳纳米管簇由第二导电基板向第一导电基板方向延伸，以使第二导电基板和 触碰变形后的第一导电基板之间导通。本技术方案的触控面板通过碳纳米管簇实现第一导电基板和第二导电基板之间的电导通 ，其具有如下优点由于碳纳米管簇具有良好的强度以及良好的柔韧性，因此，触控面板可 具有较长的使用寿命；并且，由于碳纳米管簇具有良好的导电性，有利于触控面板对触碰位置的精确定位，从而触控面板可具有较好的灵敏度和分辨率。 附图说明图l是本技术方案第一实施例提供的触控面板的结构示意图。图2是本技术方案第一实施例提供的第二导电基板的俯视图。图3是本技术方案第一实施例提供的触碰第一导电基板后的结构示意图。图4是本技术方案第二实施例提供的触控面板的结构示意图。图5是本技术方案第二实施例提供的第二导电基板的俯视图。图6是本技术方案第二实施例提供的触碰第一导电基板后的结构示意图。具体实施例方式下面将结合附图及多个实施例，对本技术方案提供的触控面板作进一步的详细说明。 请一并参阅图1及图2，本技术方案第一实施例提供的触控面板10包括第一导电基板11、 第二导电基板12、多个碳纳米管簇13以及多个间隔体14。所述第一导电基板ll受触碰时可产 生变形。所述第二导电基板12和第一导电基板11相对设置。所述多个碳纳米管簇13生长于第 二导电基板12，且自第二导电基板12向第一导电基板11方向延伸，用于导通第二导电基板 12和触碰变形后的第一导电基板11。所述多个间隔体14设置于第一导电基板11和第二导电基 板12之间，且间隔分布于多个碳纳米管簇13之间，以间隔第一导电基板11和第二导电基板12 ，同时间隔相邻的碳纳米管簇13。所述第一导电基板11包括第一绝缘层111和附着于第一绝缘层111的第一导电层112。所 述第一绝缘层lll由便于实现触碰变形的软性材料制成，例如由聚亚酰胺、聚对苯二甲酸乙 二酯、软性环氧树脂等材料制成。所述第一导电层112由透明的导电材料制成，例如氧化铟 锡、氧化铟锌、铝氧化锌、镍金涂层等。第一导电层112可以具有预定的图案，例如为规则 排列并相互电导通的条状图案或块状图案；第一导电层112也可以为不具有图案的连续分布的导电层。本实施例中，第一导电层112为连续的氧化铟锡层。所述第二导电基板12包括第二绝缘层121以及附着于第二绝缘层121的第二导电层122。 所述第二导电层122与第一导电层112相对。本实施例中，第二导电层122也为连续的氧化铟 锡层。所述第二绝缘层121则可以由硬性材料材料制成，例如由聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙 烯、聚碳酸酯等材料制成。所述第二导电基板12的第二导电层122上形成有碳纳米管生长层15，所述碳纳米管生长 层15是指便于碳纳米管生长的催化剂层， 一般为铁-镍层、铁-钴层、铁-钴-镍层、铁-氧化 镁层等，以便于在其上生长多个碳纳米管簇13。在第二导电层122上形成碳纳米管生长层15 的方法不限，可以为模板沉积法、低温磁控溅射法等等，仅需不对第二导电层122造成影响 即可。碳纳米管生长层15可以具有预定图案，即具有与多个碳纳米管簇13的分布相对应的图 案，从而在碳纳米管生长层15上生长碳纳米管时即可生长形成按预定图案分布的多个碳纳米 管簇13;当然，碳纳米管生长层15也可以为连续的催化剂层，此时仅需通过具有预定图案的 模板在碳纳米管生长层15上生长碳纳米管，同样可以在碳纳米管生长层15上生长出按预定图 案分布的多个碳纳米管簇13。本实施例中，碳纳米管生长层15包括多个均匀分布于第二导电层122的方形生长块151。 方形生长块151的尺寸可以在5微米X5微米至100微米X100微米之间，相邻方形生长块151的 间距可为100微米至500微米。从而，通过化学气相沉积法、低温电弧法或其它方法即可在碳纳米管生长层15上生长出 按预定图案分布的多个碳纳米管簇13。本实施例中，碳纳米管簇13为横截面为方形的碳纳米 管阵列，其尺寸以及相邻碳纳米管簇13的间距均与碳纳米管生长层15的图案相对应。多个碳 纳米管簇13与第一导电层112具有一定间距。该间距在第一绝缘层lll的变形范围内，从而多 个碳纳米管簇13可在且仅在第一导电基板11触碰变形后通过直接接触导通第一导电基板11和 第二导电基板12。当然，该间距的具体数值依第一绝缘层lll的变形能力以及触头的施力大 小而定。 一般的，碳纳米管簇13与第一导电层112的间距可在5微米至10微米之间。所述多个间隔体14为由软性树脂制成的球状颗粒或块状颗粒，通过粘结剂粘结于第二导 电基板12，并间隔分布于多个碳纳米管簇13之间。间隔体14的高度可等于或略小于第一导电 基板11与第二导电基板12的间距，但应大于碳纳米管簇13的高度与碳纳米管生长层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触控面板，包括第一导电基板和第二导电基板，所述第一导电基板受触碰时可产生变形，所述第二导电基板与第一导电基板相对设置，其特征在于，所述第二导电基板上生长有多个碳纳米管簇，所述多个碳纳米管簇由第二导电基板向第一导电基板方向延伸，以使第二导电基板和触碰变形后的第一导电基板之间导通。

【技术特征摘要】
1.一种触控面板，包括第一导电基板和第二导电基板，所述第一导电基板受触碰时可产生变形，所述第二导电基板与第一导电基板相对设置，其特征在于，所述第二导电基板上生长有多个碳纳米管簇，所述多个碳纳米管簇由第二导电基板向第一导电基板方向延伸，以使第二导电基板和触碰变形后的第一导电基板之间导通。2 如权利要求l所述的触控面板，其特征在于，所述多个碳纳米管 簇按预定图案均匀分布。3 如权利要求2所述的触控面板，其特征在于，所述第二导电基板 上形成有用于生长多个碳纳米管簇的碳纳米管生长层，所述碳纳米管生长层具有与多个碳纳 米管簇的分布相对应的图案。4 如权利要求3所述的触控面板，其特征在于，所述碳纳米管生长 层为铁-镍层、铁-钴层、铁-钴-镍层或铁-氧化镁层。5 如权利要求l所述的触控面板，其特征在于，每一碳纳米管簇的 横截面均为方形，其尺寸在5微米X5微米至100微米X 100微米之间，相邻碳纳米管簇的间距 为100微米至500微米。6 如权利要求l所述的触控面板，其特征在于，所述多个碳纳米管 簇通过直接接触或尖端放电导通第二导电基板和触碰变形后的第一导电基板。7 如权利要求l所述的触控面板，其特征在于，所述第一导电基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：张仁淙，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]