消弧线圈阻尼电阻可控硅保护装置制造方法及图纸

一种用于电气技术领域的消弧线圈阻尼电阻可控硅保护装置，包括：第一级保护可控硅Ｔ１、第二级保护可控硅Ｔ２、触发电流控制电阻Ｒ１～Ｒ４、电流互感器ＴＡ、阻尼电阻Ｒ，其特征在于，阻尼电阻Ｒ连接在消弧线圈的未端Ｘ和地之间，第一级保护可控硅Ｔ１并联在阻尼电阻Ｒ两端，触发电流控制电阻Ｒ１、Ｒ２连接在第一级保护可控硅Ｔ１触发端和阻尼电阻Ｒ两端；第二级保护可控硅Ｔ２并联在阻尼电阻Ｒ两端，触发电流控制电阻Ｒ３、Ｒ４连接在第二级保护可控硅Ｔ２触发端和阻尼电阻Ｒ两端；电流互感器ＴＡ串联在阻尼电阻Ｒ上。本发明专利技术不但动作速度快，没有机械动作，而且不需要电压引入，做到高、低压完全隔离，可靠性和性价比都具有较大的竞争优势，具有极高的应用价值。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电气
的装置，具体是一种消弧线圈阻尼电阻可控硅保护装置。
技术介绍
目前消弧线圈系统的阻尼电阻起到限制串联谐振的作用，在电网正常运行时阻尼电阻必须接在回路中起到阻尼作用，单相接地故障发生时，阻尼电阻必须短接保护，否则不但增加了接地残流，而且由于阻尼电阻的通流能力小被烧毁造成事故，所以阻尼电阻的保护对于电网的可靠运行起到重要作用。传统的阻尼电阻保护技术是通过接触器或者真空开关进行保护，单相接地故障发生时，通过中性点电压或者中点电流的升高触发保护动作，控制接触器或者真空开关动作将阻尼电阻短接。对现有技术的文献检索发现，刊登在《全国电网接地方式与技术研讨会论文集》2005年5月上的“介绍一种自动跟踪接地补偿及接地选线成套装置”一文，该文中指出“电阻短接装置采用两套独立控制回路，一套为交流220V操作，一套为直流220V(或110V)操作。短接开关采用两只EVS-160-630/11型真空接触器，1只为交流操作，1只为直流操作，均装于电阻箱内”，由于这些传统的保护装置都是机械动作保护，容易出现机械故障使得保护不能够正确动作，造成事故。另外这些保护用的接触器或者真空开关都需本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种消弧线圈阻尼电阻可控硅保护装置，包括：电流互感器ＴＡ、阻尼电阻Ｒ，其特征在于，还包括：第一级保护可控硅Ｔ１、第二级保护可控硅Ｔ２、触发电流控制电阻Ｒ１～Ｒ４，阻尼电阻Ｒ连接在消弧线圈的未端Ｘ和地之间，第一级保护可控硅Ｔ１并联在阻尼电阻Ｒ两端，触发电流控制电阻Ｒ１、Ｒ２连接在第一级保护可控硅Ｔ１触发端和阻尼电阻Ｒ两端；第二级保护可控硅Ｔ２并联在阻尼电阻Ｒ两端，触发电流控制电阻Ｒ３、Ｒ４连接在第二级保护可控硅Ｔ２触发端和阻尼电阻Ｒ两端；电流互感器ＴＡ串联在阻尼电阻Ｒ上，其中可控硅Ｔ１和Ｔ２的选择取决于消弧线圈额定电流，控制电阻Ｒ１～Ｒ４的选择取决于阻尼电阻Ｒ两端的启动电压的整定值Ｕ１、Ｕ２和可...

【技术特征摘要】
1.一种消弧线圈阻尼电阻可控硅保护装置，包括电流互感器TA、阻尼电阻R，其特征在于，还包括第一级保护可控硅T1、第二级保护可控硅T2、触发电流控制电阻R1～R4，阻尼电阻R连接在消弧线圈的未端X和地之间，第一级保护可控硅T1并联在阻尼电阻R两端，触发电流控制电阻R1、R2连接在第一级保护可控硅T1触发端和阻尼电阻R两端；第二级保护可控硅T2并联在阻尼电阻R两端，触发电流控制电阻R3、R4连接在第二级保护可控硅T2触发端和阻尼电阻R两端；电流互感器TA串联在阻尼电阻R上，其中可控硅T1和T2的选择取决于消弧线圈额定电流，控制电阻R1～R4的选择取决于阻尼电阻R两端的启动电压的整定值U1、U2和可控硅触发电流Ik，其中触发电流控制电阻R1＝R2＝U1/Ik，R3＝R4＝U2/Ik，作为第二级保护U2＞U1。2.根据权利要求1所述的消弧线圈阻尼电阻可控硅保护装置，其特征是，所述的U1和U2，在100V～1000V之间。3.根据权利要求1所述的消弧线圈阻尼电阻可控硅保护装置，其特征是，所述的触发电流控制电阻R1～R4，在2KΩ～50KΩ之间范围。4.根据权利要求1或者3...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨小强，王建忠，
申请(专利权)人：上海思源电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]